公开(公告)号：CN1326177C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200510050918.8

申请日：2005-01-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 俞升濬 ,  金载明 ,  南仲佑 ,  李受京 ,  文钟云 ,  李玹姃

IPC: H01J1/02 ,  H01J1/14 ,  C09K3/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  C08K3/04 ,  C08K3/041 ,  C08K3/045 ,  C08K2201/011 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30469 ,  C08L33/12

Abstract: 本发明涉及用于形成电子发射装置中电子发射源的组合物，以及由其制备的电子发射源。该组合物包括有机粘合剂树脂、碳基材料、溶剂和硅烷基化合物。本发明还提供了用于形成电子发射源的光敏组合物，该组合物包括有机粘合剂树脂、碳基材料、溶剂、选自光敏单体、光敏齐聚体和光敏聚合物的光敏组分、光引发剂和通式R′-SiR3所示的硅烷基化合物，其中R选自烷氧基、烷基、氯、氟和溴，并且R′选自乙烯基、环氧基、甲基丙烯酰基、氨基、巯基和2-(3，4-环氧环己基)乙基。该组合物具有强粘合力，由此能够增加有效辐射面积，并提高电子发射装置的电子发射效率。

公开(公告)号：CN1992141A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200710003710.X

申请日：2001-09-27

Applicant: 北卡罗来纳-查佩尔山大学

Inventor： 周子刚 ,  卢健平

IPC: H01J35/06 ,  H01J35/08 ,  H01J35/04 ,  H01J35/22 ,  H01J35/00 ,  H05G1/00

CPC classification number: H01J35/14 ,  A61B6/032 ,  A61B6/4021 ,  A61B6/4028 ,  A61B6/405 ,  A61B6/4488 ,  A61B6/482 ,  B82Y10/00 ,  H01J35/065 ,  H01J35/22 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2235/064 ,  H01J2235/068 ,  H05G1/34 ,  Y10S977/939

Abstract: 一种X－射线发生装置包括场发射阴极，该阴极至少部分地由具有至少4A/cm2的发射电子电流密度的包含纳结构(1110)的材料形成。由于在阴极(1110)和栅或阳极(1130)之间易于聚焦冷阴极发射电子和以不同的阳极材料(1130)聚焦电子束，因此可以实现高的能量转换效率和紧凑的设计(1100)，并且从单个装置中可以产生具有不同能量的脉冲发送的X－射线辐射。

公开(公告)号：CN1982211A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610105416.5

申请日：2006-07-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金夏辰 ,  李相睦

IPC: C01B31/02 ,  H01J9/02

CPC classification number: B01J37/0244 ,  B01J23/38 ,  B01J23/74 ,  B01J33/00 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 提供了生长碳纳米管和采用所述碳纳米管制造场致发射器件的方法。所述生长碳纳米管的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进碳纳米管的生长；在所述催化剂金属层上形成钝化层以降低所述催化剂金属层的活性；以及在未被所述钝化层覆盖的催化剂金属层的表面生长碳纳米管。因此，所生长的碳纳米管具有适合于场致发射器件的碳纳米管发射器的密度。

公开(公告)号：CN1316534C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN01141294.1

申请日：2001-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 北村伸 ,  塚本健夫

IPC: H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J1/316 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供了一种具有均匀的电子发射特性的耐用的电子发射器件的制造方法，一种电子源，以及能够长时间具有均匀的显示特性的一种图像形成装置。按照本发明的制造电子发射器件的方法包括以下步骤：在衬底表面上布置一个阴极电极；面对着阴极电极提供一个电极；在阴极电极上布置多件以碳为主要成分的纤维；以及在减压状态下对面对着阴极电极的电极施加一个电位，该电位高于施加在阴极电极上的电位。

公开(公告)号：CN1947860A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200510100356.3

申请日：2005-10-14

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 林孟东

IPC: B05C5/02 ,  B05C13/00 ,  B05B15/00 ,  B05D3/10 ,  C23F17/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B05B1/202 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J2201/30469 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0048

Abstract: 本发明涉及一种沉积碳纳米管薄膜的设备，其包括一支撑装置，多个设置在支撑装置上的喷射装置及多个分别与喷射装置相连通的输送管。所述支撑装置包括一第一支撑件、一第二支撑件及一扣紧装置。所述沉积碳纳米管的装置具有可同时大面积成膜，成膜快速，成本低廉的优点。

公开(公告)号：CN1310270C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN03114070.X

申请日：2003-03-26

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 胡昭复 ,  陈丕瑾 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J9/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J9/148 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种场发射显示器的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在基底上沉积阴极电极，并形成场发射点阵；选择金属板材光刻出与场发射显示点阵相对应的阴罩；在阴罩表面沉积绝缘材料形成阻隔壁；在阻隔壁表面沉积栅极电极；将阻隔壁固定在基底上；将荧光屏与基底封接。该场发射显示器的制备方法利用阴极射线管中非常成熟的阴罩制备工艺，通过在其表面沉积绝缘材料而形成高精度的阻隔壁，可适用于大面积场发射显示器的制备。

公开(公告)号：CN1937165A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610139236.9

申请日：2006-09-20

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 藤枝正 ,  日高贵志夫 ,  林原光男

IPC: H01J37/073 ,  H01J37/26

CPC classification number: H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/073 ,  H01J37/28 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/30 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/745

Abstract: 本发明提供一种具有不会破坏纤维状碳物质前端部，可去除其前端部存在的非晶碳的机构的场致发射型电子枪及其运转方法。为解决本发明的课题的机构的场致发射型电子枪，其包括：由单一的纤维状碳物质和支撑其的导电性基体材料构成的场致发射型阴极；使电子场致发射的引出装置；以及使电子加速的加速装置；该场致发射型电子枪具备：加热该场致发射型阴极的机构以及对该场致发射型阴极施加不使电子进行场致发射电的极性的电压的机构。

公开(公告)号：CN1862747A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610079877.X

申请日：2006-05-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文钟云 ,  赵晟希 ,  河在相

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种包括碳基材料和UV屏蔽材料的电子发射源、制备该电子发射源的方法和使用该电子发射源的电子发射装置。UV屏蔽材料被添加到形成电子发射源的组合物中以更容易地控制电子发射源尖端的锐度。电子发射源组合物可包括碳基材料、含树脂和溶剂的载体和UV屏蔽材料。

公开(公告)号：CN1280186C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200410090487.3

申请日：2004-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 古川俊治 ,  马克·C·黑凯 ,  史蒂文·J·霍尔姆斯 ,  戴维·V·霍拉克 ,  查尔斯·W·科伯格第三 ,  彼得·H·米切尔 ,  拉里·A·内斯比特

IPC: C01B31/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/22 ,  C01B2202/34 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/843 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明涉及一种合成碳纳米管的方法和由此形成的结构。该方法包括在由第一衬底支撑的多个合成位置上形成碳纳米管、中断纳米管合成、安装每个碳纳米管的自由端至第二衬底上、以及去除第一衬底。每个碳纳米管由一个合成位置盖住顶部，生长反应物易于进入该合成位置。随着恢复的纳米管合成过程中碳纳米管增长，至合成位置的通道保持畅通。

公开(公告)号：CN1275845C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02107444.5

申请日：2002-03-15

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 岸健太郎 ,  吉沢久江 ,  渡边浩之 ,  长谷川真史 ,  山田宏一 ,  渡边美穗

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/04

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 空心石墨片结构具有以连续形状设置的至少一对空心石墨片材料，其中该对空心石墨片材料的相邻端以一个间隙彼此相对。