用於EUV微影製程中之鏡面基材的鈦摻雜矽石玻璃坯料及其製造方法
    40.
    发明专利
    用於EUV微影製程中之鏡面基材的鈦摻雜矽石玻璃坯料及其製造方法 审中-公开
    用于EUV微影制程中之镜面基材的钛掺杂硅石玻璃坯料及其制造方法

    公开(公告)号:TW201602022A

    公开(公告)日:2016-01-16

    申请号:TW104119887

    申请日:2015-06-18

    Abstract: 在用於EUV微影製程中之鏡面基材的鈦摻雜矽石玻璃坯料中,通常界定光學使用區域CA。在CA內,熱膨脹係數CTE具有於該坯料之厚度上平均化之二維dCTE分佈剖面,在此情況下,最大不均勻性dCTEmax(定義為CTE最大值與CTE最小值之差值)係小於5ppb/K。已知藉由個別調適之位置相關性調整二氧化鈦濃度之方式避免高CTE不均勻性值。相對高絕對CTE不均勻性值係僅於使用期間出現之輻射剖面顯示圓形對稱時可接受。自此開始,為提供經設計並適合與具有非圓形輻射剖面共同使用亦無需個別調適之位置相關性調整二氧化鈦濃度之鈦摻雜矽石玻璃坯料,本發明提出dCTEmax係至少0.5ppb/K,及CA形成具有該區域之質心之非圓形區域,其中該dCTE分佈剖面係非旋轉對稱並界定於CA上使得標準化至單位長度並延伸通過該區域之該質心之直剖面區段(straight profile sections)產生形成具有小於0.5 x dCTEmax之帶寬之曲線帶的dCTE曲線族。

    Abstract in simplified Chinese: 在用于EUV微影制程中之镜面基材的钛掺杂硅石玻璃坯料中,通常界定光学使用区域CA。在CA内,热膨胀系数CTE具有于该坯料之厚度上平均化之二维dCTE分布剖面,在此情况下,最大不均匀性dCTEmax(定义为CTE最大值与CTE最小值之差值)系小于5ppb/K。已知借由个别调适之位置相关性调整二氧化钛浓度之方式避免高CTE不均匀性值。相对高绝对CTE不均匀性值系仅于使用期间出现之辐射剖面显示圆形对称时可接受。自此开始,为提供经设计并适合与具有非圆形辐射剖面共同使用亦无需个别调适之位置相关性调整二氧化钛浓度之钛掺杂硅石玻璃坯料,本发明提出dCTEmax系至少0.5ppb/K,及CA形成具有该区域之质心之非圆形区域,其中该dCTE分布剖面系非旋转对称并界定于CA上使得标准化至单位长度并延伸通过该区域之该质心之直剖面区段(straight profile sections)产生形成具有小于0.5 x dCTEmax之带宽之曲线带的dCTE曲线族。

Patent Agency Ranking