公开(公告)号：KR102228497B1

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020197003970A

申请日：2017-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 제프리 스미스 ,  안톤 데빌리어스

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/42392 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/1108

Abstract: 기판 표면을 갖는 기판을 포함하는 3 차원(3-D) 집적 회로(IC)가 개시된다. 제 1 전기 접촉부를 가진 제 1 반도체 디바이스가 기판 표면 반도체 디바이스에 실질적으로 평행한 제 1 평면 상의 상기 표면의 제 1 영역에 형성된다. 제 2 전기 접촉부를 포함하는 제 2 반도체 디바이스는 상기 표면에 실질적으로 평행한, 그리고 상기 기판 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 상기 제 1 평면으로부터 수직으로 이격된, 제 2 평면상의 상기 표면의 제 2 영역에 형성된다. 제 1 전극 구조는 기판 표면에 실질적으로 평행한 대향하는 상부 및 하부 표면과, 전극 구조가 3 차원 전극 공간을 형성하도록 상부 및 하부 표면을 연결하는 측벽을 포함한다. 전도성 충전 재료가 전극 공간에 제공되고, 유전층은 전도성 충전재를, 제 1 반도체 디바이스의 제 1 접촉부에 전기적으로 접속된 제 1 전극과, 제 2 반도체 디바이스에 전기적으로 접속되고 제 1 전극으로부터 전기적으로 절연된 제 2 전극으로 전기적으로 분리한다. 제 1 회로 단자는 전극 구조의 상부면 또는 하부면으로부터 수직으로 연장되고 제 1 전극에 전기적으로 연결된다.

公开(公告)号：KR102228484B1

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020140077913A

申请日：2014-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 에이지 다카하시 ,  노리카즈 사사키 ,  아츠시 사와치

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32862 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32853 ,  Y10T137/2574

Abstract: 본 발명은, 분류 제어가 가능한 가스 공급 기구를 이용하여 효과적으로 처리 장치를 클리닝하는 것을 목적으로 한다.
가스 공급 기구를 가지며, 처리 장치를 클리닝하는 클리닝 방법으로서, 상기 가스 공급 기구는, 분류 제어부와, 상기 분류 제어부의 상류측에 연통하는 제1 유로와, 상기 제1 유로에 설치된 제1 밸브와, 상기 분류 제어부의 하류측에 연통하는 제2 유로와, 상기 제2 유로에 설치된 제2 밸브와, 상기 제1 유로와 상기 제2 유로를 접속하는 우회 유로와, 상기 제2 유로에 접속되고, 상기 우회 유로에 설치된 바이패스 밸브를 가지며, 상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 폐쇄하고, 상기 바이패스 밸브를 개방하는 바이패스 개방 공정과, 상기 바이패스 개방 공정 후, 상기 우회 유로로부터 상기 처리 장치에 가스를 도입하고, 그 처리 장치를 클리닝하는 클리닝 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 클리닝 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR102227530B1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020197008033A

申请日：2017-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 싱후아 선 ,  다카시 야마무라 ,  히로우키 나가이 ,  류이치 아사코 ,  케이티 마리 루커-리

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L2221/1026 ,  H01L2221/1063 ,  H01L23/53295

Abstract: ULK(ultra-low dielectric constant (k)) 물질 층을 포함하는 패터닝된 구조체를 가진 마이크로일렉트로닉 워크피스를 프로세싱하기 위한 실시형태가 개시된다. 특히, 마이크로일렉트로닉 워크피스를 위한 기판 내의 패터닝된 구조체의 에칭 프로세싱 중에 ULK 피쳐를 보호하기 위한 보호 층을 성막하는 실시형태가 개시된다. 특정 실시형태에서, 이 보호 층은 에칭 챔버 내에 인 시투 성막된다(deposited in-situ).

公开(公告)号：KR20210028125A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020200111126A

申请日：2020-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타카히로 시오자와 ,  히로키 타다토모 ,  아키코 카이 ,  히로시 이치노미야

IPC: H01L21/02 ,  B08B3/02 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  B08B3/02 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/3057 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68764

Abstract: 레지스트 패턴의 패턴 도괴의 억제에 유효한 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치를 제공한다. 본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 방법은, 레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상액을 레지스트막이 형성된 기판의 표면에 공급하는 것과, 레지스트 패턴이 형성된 기판의 표면에 친수기를 가지는 개질제를 포함하는 개질액을 공급하고, 개질액을 제거하기 위한 린스액을 기판의 표면에 공급하는 세정 처리를 복수 회 실행하는 것과, 세정 처리를 복수 회 실행한 후에 기판의 표면을 건조시키는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR20210027234A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020207025557A

申请日：2019-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로키 엔도 ,  겐이치로 나카무라

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H05B1/02

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H05B1/0233 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H05H1/46

Abstract: 기판 처리 시스템은, 기판이 적재되는 적재대와, 전력이 공급됨으로써 기판을 가열하는 히터와, 히터에 전력을 공급하는 전력 공급부와, 히터의 저항값을 측정하는 센서와, 제어 장치를 구비하고 있다. 제어 장치는, 복수의 저항값을 복수의 온도에 대응짓는 변환 테이블을 기록하고, 히터의 온도가 레퍼런스 온도일 때 센서에 의해 측정되는 레퍼런스 저항값을 취득한다. 제어 장치는, 또한 히터에 의해 기판이 가열되어 있을 때 센서에 의해 측정되는 온도 조절용 저항값을 취득하고, 변환 테이블과 레퍼런스 온도와 레퍼런스 저항값과 온도 조절용 저항값에 기초하여 전력 공급부를 제어한다.

公开(公告)号：KR20210027232A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020207024579A

申请日：2019-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 부디만 모드 페어루즈 빈 ,  히로시 츠지모토

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68735 ,  H01L22/26 ,  H05H1/46 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/334 ,  H01J37/32715

Abstract: 소모 부재를 갖는 처리 용기 내를 일정한 압력으로 유지하고, 피처리체를 플라즈마에 의해 에칭하는 플라즈마 에칭 방법으로서, 상기 소모 부재의 온도가 제 1 온도로부터 해당 제 1 온도보다도 낮은 제 2 온도에 도달하기까지의 강온 시간 또는 강온 속도의 변동값을 계측하는 공정과, 상기 소모 부재의 소모 정도와 상기 변동값의 상관을 나타내는 정보에 따라서, 계측한 상기 변동값에 기초하여 상기 소모 부재의 소모 정도를 추정하는 공정을 갖는 플라즈마 에칭 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR20210027127A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020200106988A

申请日：2020-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 준 오가와

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/458 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/0234 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224

Abstract: 본 발명은, 기판의 표면에 형성된 오목부 패턴을 매립하도록 실리콘 질화막을 성막하는 데 있어서, 오목부 패턴을 간극 없이 매립하는 것이다.
표면에 오목부 패턴이 형성된 기판에 실리콘 질화막을 성막하는 성막 방법에 있어서, 상기 기판을 격납하는 처리 용기 내에 실리콘을 포함하는 원료 가스와, 상기 원료 가스를 질화하는 질화 가스를 각각 공급해서 상기 기판의 표면을 따라 컨포멀한 실리콘 질화막을 형성하는 공정과, 상기 처리 용기 내에의 상기 실리콘을 포함하는 원료 가스의 공급을 정지한 상태에서, 상기 기판에 상기 실리콘 질화막을 정형하기 위한 플라스마화한 정형용 가스를 공급하여, 오목부 패턴의 저부측으로부터 상부측을 향해서 막 두께가 얇아지도록 상기 실리콘 질화막을 수축시키는 공정과, 상기 실리콘 질화막을 형성하는 공정과, 상기 실리콘 질화막을 수축시키는 공정을, 교대로 반복해서 행하여, 상기 오목부 패턴에 실리콘 질화막을 매립하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR20210024468A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020207036335A

申请日：2019-06-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야스토시 우메하라

IPC: G01B11/06 ,  G01B21/04 ,  G01N21/27

CPC classification number: G01B11/0616 ,  G01B11/06 ,  G01B21/045 ,  G01N21/27

Abstract: 본 개시 내용의 일 양태에 따른 막두께 측정 장치는, 막두께를 이미 알고 있는 제1 웨이퍼의 기준 위치에서의 기준 반사 스펙트럼 신호와, 기준 위치 이외의 각 위치에서의 반사 스펙트럼 신호와의 각 상대 반사율을 산출하는 제1 산출부와, 상기 제1 산출부에 의해 산출된 각 상대 반사율과, 상기 제1 웨이퍼의 각 위치와 상기 집광 프로브 간의 각 거리 데이터와의 관계를 특정하는 특정부와, 상기 특정부에 의해 특정된 관계에 기초하여, 측정 대상인 제2 웨이퍼의 각 위치와 상기 집광 프로브 간의 각 거리 데이터에 대응하는 각 상대 반사율을 산출하는 제2 산출부와, 상기 제2 웨이퍼의 각 위치에서의 막두께를 산출할 때에, 상기 제2 산출부에 의해 산출된 각 상대 반사율에 기초하여, 상기 기준 반사 스펙트럼 신호를 보정하는 보정부를 포함한다.

公开(公告)号：KR102223567B1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：KR1020180017317A

申请日：2018-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유키 치다

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C14/56 ,  H01L21/02263 ,  C23C16/45551 ,  C23C14/246 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67242

Abstract: 본 발명은 생산성을 향상시키는 것이 가능한 압력 제어 방법을 제공하는 것이다. 일 실시 형태의 압력 제어 방법은, 1개의 진공 용기 내에, 불완전하게 구획된 복수의 처리 영역을 갖는 성막 장치에서의 압력 제어 방법이며, 상기 복수의 처리 영역마다 정해진 목표 압력 및 목표 유량과, 유량과 압력과 개방도와의 관계를 나타내는 학습 정보에 기초하여, 상기 복수의 처리 영역의 각각에 설치된 배기 밸브의 개방도를 조정하는 제1 조정 스텝과, 상기 제1 조정 스텝 후, 상기 복수의 처리 영역 중 1개의 처리 영역의 압력에 기초하여, 상기 1개의 처리 영역에 설치된 배기 밸브의 개방도를 조정하는 제2 조정 스텝을 포함한다.

公开(公告)号：KR102239199B1

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：KR1020180033120A

申请日：2018-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카즈 후루사와

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098

Abstract: 본 발명은, 종형 열처리 장치에 의해 피처리 기판에 대하여 성막을 행하는 데 있어서, 파티클 오염을 저감할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 웨이퍼 보트(65)에 웨이퍼(W)를 탑재해서 반응 용기(10) 내에 반입하여, 실란계의 가스를 사용해서 폴리실리콘막의 성막을 행한다. 계속해서 웨이퍼 보트(65)를 반응 용기(10)로부터 반출하고, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(65)로부터 이동 탑재한 후, 빈 웨이퍼 보트(65)를 반응 용기(10) 내에 반입하여, 불소 가스로 클리닝을 행한다. 이때 덮개(6)에 설치된 히터에 의해 덮개(6)의 내면을 300 내지 350℃로 가열해 둔다. 계속해서 클리닝 시의 온도 분위기에서 아미노실란 가스 및 오존 가스를 사용해서 반응 용기(10) 내에 실리콘 산화막(SiO
2 막)을 성막한다. 실리콘 산화막은 저온에서 성막할 수 있고, 덮개(6)의 내면에도 성막되어, 덮개(6)의 내면에 부착되어 있는 파티클(P1)을 고정화할 수 있다.