公开(公告)号：DE102010063296B4

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：DE102010063296

申请日：2010-12-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： THEES HANS-JUERGEN ,  KRONHOLZ STEPHAN ,  WIATR MACIEJ

IPC: H01L21/8234

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer schützenden Materialschicht selektiv über einem Isolationsgebiet, das ein erstes aktives Gebiet lateral von einem zweiten aktiven Gebiet trennt, die in einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelements ausgebildet sind, wobei das erste und das zweite aktive Gebiet von mindestens einer Maskenschicht bedeckt sind; Bilden einer Ätzmaske über dem ersten aktiven Gebiet und einem Teil des Isolationsgebiets derart, dass die mindestens eine Maskenschicht über dem zweiten aktiven Gebiet freiliegt; Entfernen der mindestens einen Maskenschicht von dem zweiten aktiven Gebiet selektiv zu der schützenden Materialschicht in Anwesenheit der Ätzmaske; Entfernen der schützenden Materialschicht nach dem Entfernen der mindestens einen Maskenschicht; Bilden einer Halbleiterlegierung auf dem zweiten aktiven Gebiet durch Verwenden einer oder mehrerer der mindestens einen Maskenschicht, die über dem ersten aktiven Gebiet ausgebildet ist, als eine Abscheidemaske; und Bilden eines ersten Transistors in und über dem ersten aktiven Gebiet und eines zweiten Transistors in...

公开(公告)号：DE102010063907A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：DE102010063907

申请日：2010-12-22

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  LENSKI MARKUS ,  THEES HANS-JUERGEN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L21/311 ,  H01L27/088

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen werden Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; in einer frühen Fertigungsphase mit besserer Integrität empfindlicher Materialien hergestellt, indem ein zusätzliches Beschichtungsmaterial nach dem selektiven Abscheiden eines verformungsinduzierenden Halbleitermaterials in ausgewählten aktiven Gebieten vorgesehen wird. Die dielektrischen Deckmaterialien der Gateelektrodenstrukturen können auf der Grundlage eines Prozessablaufes entfernt werden, der deutlich den Grad an Materialabtrag in Isolationsgebieten und aktiven Gebieten verringert, indem das Strukturieren und das Entfernen von Opferoxidabstandshaltern vermieden wird.

公开(公告)号：DE102010063782A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102010063782

申请日：2010-12-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BEERNINK GUNDA ,  WIATR MACIEJ

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Transistoren, die beispielsweise Metallgateelektrodenstukturen mit großem &egr; aufweisen, wird ein ausgeprägter Materialverlust eines eingebetteten verformungsinduzierenden Halbleitermaterials kompensiert oder zumindest deutlich verringert, indem ein zweiter epitaktischer Aufwachsprozess nach dem Einbau der Drain- und Sourceerweiterungsdotiermittel ausgeführt wird. Auf diese Weise werden bessere Verformungsbedingungen erreicht, wobei auch die erforderlichen Drain- und Sourcedotierprofile eingerichtet werden.

公开(公告)号：DE102010003556B4

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102010003556

申请日：2010-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PREUSSE AXEL ,  SCHROEDER NORBERT ,  STOECKGEN UWE

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Kontaktelements in einem Halbleiterbauelement, wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines Metalls in einer Kontaktöffnung, die in einem dielektrischen Material einer Kontaktebene ausgebildet ist, indem ein selektiver Abscheideprozess ausgeführt wird, wobei die Kontaktöffnung eine Verbindung zu einem Kontaktbereich eines Schaltungselements herstellt, das zumindest teilweise in einer Halbleiterschicht des Halbleiterbauelements ausgebildet ist; Bilden eines Kontaktelements aus dem Metall, wobei das Kontaktelement lateral eingebettet ist, indem das Metall bis zu einer Höhe der Kontaktöffnung eingefüllt wird, die kleiner ist als eine Höhe einer Oberfläche eines dielektrischen Materials der Kontaktebene; und Ausführen eines Einebnungsprozesses auf der Grundlage des lateral eingebetteten Kontaktelements, so dass eine im Wesentlichen planare Oberflächentopographie der Kontaktebene geschaffen wird, wobei ein chemisch-mechanischer Polierprozesses ausgeführt wird, so dass ein Teil des dielektrischen Materials abgetragen wird.

公开(公告)号：DE102010030768B4

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：DE102010030768

申请日：2010-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  JAVORKA PETER ,  BOSCHKE ROMAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren mit: Bilden von Aussparungen in einem siliziumenthaltenden kristallinen Halbleitergebiet benachbart zu einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors eines Halbleiterbauelements durch Verwenden eines kristallographisch anisotropen Ätzprozesses, wobei die Gateelektrodenstruktur einen Versatzabstandshalter aufweist, der an ihren Seitenwänden ausgebildet ist; Bilden einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung in den Aussparungen durch Ausführen eines selektiven Aufwachsprozesses mit einem selbstbegrenzenden Abscheideverhalten in zumindest einer Kristallachse durch Einstellen von Prozessparametern derart, dass ein Kristallwachstum auf (111) Kristallebenen und dazu physikalisch äquivalenten Kristallebenen vermieden wird; und Bilden eines Überschussbereichs der verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung durch Anwenden des selbstbegrenzenden Abscheideverhaltens derart, dass Außenflächen des Überschussbereichs durch (111) Kristallebenen oder dazu physikalisch äquivalente Kristallebenen gebildet sind.

公开(公告)号：DE102010001403B4

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102010001403

申请日：2010-01-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHEIPER THILO ,  BEYER SVEN ,  GRIEBENOW UWE ,  HOENTSCHEL JAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors derart, dass diese ein dielektrisches Material mit großem &egr; und ein Platzhalterelektrodenmaterial über dem dielektrischen Material mit großem &egr; aufweist; Bilden einer Öffnung in der Gateelektrodenstruktur durch Entfernen des Platzhalterelektrodenmaterials der Gateelektrodenstruktur; Bilden eines Abstandshalters an Seitenwänden der Öffnung; und Bilden eines leitenden Elektrodenmaterials in der Öffnung.

公开(公告)号：DE102009047304B4

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102009047304

申请日：2009-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHEIPER THILO ,  BEYER SVEN ,  WEI ANDY ,  HOENTSCHEL JAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/22 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren mit: Einführen einer diffusionsblockierenden Sorte in ein Halbleitergebiet eines p-Kanaltransistors; Bilden eines schwellwerteinstellenden Halbleitermaterials auf dem Halbleitergebiet, wobei das Halbleitergebiet die Diffusionsblockiersorte aufweist; Bilden einer Gateelektrodenstruktur auf dem schwellwerteinstellenden Halbleitermaterial, wobei die Gateelektrodenstruktur ein Gatedielektrikumsmaterial aufweist, das ein Elektrodenmaterial der Gateelektrodenstruktur von einem Kanalgebiet in dem schwellwerteinstellenden Halbleitermaterial trennt; Einführen von Dotiermitteln für Drain- und Sourceerweiterungsgebiete und Drain- und Sourcegebiete; und Ausheizen des p-Kanaltransistors unter Anwendung der Diffusionsblockiersorte zum Unterdrücken einer Dotierstoffdiffusion unter das Kanalgebiet.

公开(公告)号：DE102009046246B4

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：DE102009046246

申请日：2009-10-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOENTSCHEL JAN ,  BEYER SVEN ,  GRIEBENOW UWE

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren mit: Bereitstellen einer Halbleiterschicht, die über einem Substrat gebildet ist, wobei die Halbleiterschicht eine biaxiale Verformung aufweist; Bilden eines Halbleitersteigs aus der Halbleiterschicht, wobei der Halbleitersteg eine Länge und eine Breite besitzt, wobei die Länge und die Breite eine im uniaxiale Verformung bewirken, die entlang einer Länge des Halbleiterstegs orientiert ist; Bilden einer Gateelektrodenstruktur auf einem zentralen Bereich des Halbleiterstegs, wobei die Gateelektrodenstruktur ausgebildet ist, ein Kanalgebiet in dem Halbleitersteg zu steuern; und Bilden von Drain- und Sourcebereichen in dem Halbleitersteg benachbart zu dem Kanalgebiet.

公开(公告)号：DE102008063399B4

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：DE102008063399

申请日：2008-12-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  PAPAGEORGIOU VASSILIOS ,  BEERNINK GUNDA ,  HOENTSCHEL JAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Halbleiterlegierung in Aussparungen, die in einem kristallinen Halbleitergebiet gebildet sind, wobei die Aussparungen von einem Kanalgebiet eines Transistors lateral beabstandet sind und wobei die Halbleiterlegierung eine Verformung in dem Kanalgebiet hevorruft; und selektives Einführen einer nicht-dotierenden Sorte in die Halbleiterlegierung, die auf einer Drainseite des Transistors angeordnet ist, um einen internen Verformungspegel der auf der Drainseite angeordneten Halbleiterlegierung zu verringern.

公开(公告)号：DE102010040063A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：DE102010040063

申请日：2010-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZENNER SOEREN ,  JUNGNICKEL GOTTHARD ,  KUECHENMEISTER FRANK

IPC: H01L21/60 ,  B23K35/24 ,  B23K35/26 ,  H01L23/488

Abstract: Lotkugeln von Halbleiterbauelementen und insbesondere bleifreie Lotkugeln erhalten eine sehr gleichmäßige Passivierungsschicht, beispielsweise in Form einer Oxidschicht, die durch Anwenden einer Plasmabehandlung erzeugt wird. Beispielsweise wird die Passivierungsschicht mit einer Dicke von 5 bis 50 nm vorgesehen, wodurch somit auf Grund der guten Gleichmäßigkeit ein zuverlässiger Schutz der Lotkugeln gewährleistet ist, wobei dennoch ein zuverlässiges Entfernen während des abschließenden Lötvorganges möglich ist.