公开(公告)号：DE102009035409A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：DE102009035409

申请日：2009-07-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KAMMLER THORSTEN ,  WIATR MACIEJ ,  BOSCHKE ROMAN ,  JAVORKA PETER

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11

Abstract: In einer statischen Speicherzelle wird die Fehlerrate bei der Herstellung von Kontaktelementen, die ein aktives Gebiet mit einer Gateelektrodenstruktur verbinden, die über einem Isolationsgebiet hergestellt ist, deutlich verringert, indem eine Implantationssorte an einem Endbereich des aktiven Gebiets durch eine Seitenwand des Isolationsgrabens vor dem Füllen des Grabens mit einem isolierenden Material eingebaut wird. Die Implantationssorte ist eine p-Dotierstoffsorte und/oder eine inerte Sorte, um die Materialeigenschaften des Endbereichs des aktiven Gebiets deutlich zu modifizieren.

公开(公告)号：DE102010029531B4

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：DE102010029531

申请日：2010-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  JAVORKA PETER ,  WIATR MACIEJ ,  BOSCHKE ROMAN ,  KRUEGER CHRISTIAN

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen kann die Defektrate, die typischerweise mit dem Vorsehen eines Silizium/Germaniummaterials in dem aktiven Gebiet von p-Kanaltransistoren verknüpft ist, deutlich verringert werden, indem Kohlenstoff vor oder während des selektiven epitaktischen Aufwachsens des Silizium/Germaniummaterials eingebaut wird. Erfindungsgemäß wird ein Ionenimplantationsprozess angewendet, um die Kohlenstoffsorte einzubringen. Dabei werden auch in n-Kanaltransistoren bessere Verformungsbedingungen geschaffen.

公开(公告)号：DE102009039522B4

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：DE102009039522

申请日：2009-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WIATR MACIEJ ,  FORSBERG MARKUS ,  KRONHOLZ STEPHAN ,  BOSCHKE ROMAN

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Ätzstoppschicht (222B) auf einer Grabenisolationsstruktur (220), die ein aktives Gebiet (202A, 202B) in einer Halbleiterschicht (202) eines Halbleiterbauelements (200) lateral begrenzt; Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur (250A, 250B) auf dem aktiven Gebiet (202A, 202B); Ausführen eines Reinigungsprozesses an dem aktiven Gebiet (202A, 202B), während die Ätzstoppschicht (222B) verwendet wird, um einen Materialabtrag der Grabenisolationsstruktur (220) zu unterdrücken; Bilden einer dielektrischen Schicht eines dielektrischen Zwischenschichtmaterials über dem aktiven Gebiet (202A, 202B), über der ersten Gateelektrodenstruktur (250A, 250B) und über der Grabenisolationsstruktur (220); und Bilden einer Aussparung in dem aktiven Gebiet (202A, 202B) durch Ausführen eines Ätzprozesses und Verwenden einer Deckschicht auf der Ätzstoppschicht (222B) als ein Ätzstoppmaterial.

公开(公告)号：DE102009035409B4

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102009035409

申请日：2009-07-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KAMMLER THORSTEN ,  WIATR MACIEJ ,  BOSCHKE ROMAN ,  JAVORKA PETER

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/283 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines Isolationsgrabens in einem Halbleitermaterial eines Halbleiterbauelements, wobei der Isolationsgraben eine Seitenwand besitzt, die an ein aktives Gebiet eines ersten Transistors einer Speicherzelle des Halbleiterbauelements angrenzt, wobei die Seitenwand das aktive Gebiet in einer Längsrichtung begrenzt; Einführen einer Implantationssorte in einen Bereich des aktiven Gebiets durch zumindest einen Teil der Seitenwand, wobei die Implantationssorte sich mit einer spezifizierten Tiefe und bis zu einem spezifizierten Abstand zu der Seitenwand entlang der Längsrichtung in das aktive Gebiet erstreckt; Füllen des Isolationsgrabens mit einem isolierenden Material nach dem Einführen der Implantationssorte, um eine Isolationsstruktur zu bilden; Bilden des ersten Transistors in und über dem aktiven Gebiet; Bilden eines Teils einer Gateelektrode eines zweiten Transistors der Speicherzelle über der Isolationsstruktur; Bilden eines dielektrischen Materials, so dass der erste Transistor und der zweite Transistor umschlossen werden; und Bilden eines Kontaktelements in dem dielektrischen Material, wobei das Kontaktelement das aktive Gebiet und den Teil der Gateelektrode des zweiten Transistors verbindet.

公开(公告)号：DE102010030768B4

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：DE102010030768

申请日：2010-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  JAVORKA PETER ,  BOSCHKE ROMAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren mit: Bilden von Aussparungen in einem siliziumenthaltenden kristallinen Halbleitergebiet benachbart zu einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors eines Halbleiterbauelements durch Verwenden eines kristallographisch anisotropen Ätzprozesses, wobei die Gateelektrodenstruktur einen Versatzabstandshalter aufweist, der an ihren Seitenwänden ausgebildet ist; Bilden einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung in den Aussparungen durch Ausführen eines selektiven Aufwachsprozesses mit einem selbstbegrenzenden Abscheideverhalten in zumindest einer Kristallachse durch Einstellen von Prozessparametern derart, dass ein Kristallwachstum auf (111) Kristallebenen und dazu physikalisch äquivalenten Kristallebenen vermieden wird; und Bilden eines Überschussbereichs der verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung durch Anwenden des selbstbegrenzenden Abscheideverhaltens derart, dass Außenflächen des Überschussbereichs durch (111) Kristallebenen oder dazu physikalisch äquivalente Kristallebenen gebildet sind.

公开(公告)号：DE102009031114A1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：DE102009031114

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BOSCHKE ROMAN ,  PAPAGEORGIOU VASSILIOS ,  WIATR MACIEJ

IPC: H01L21/283 ,  H01L27/12

Abstract: Der pn-Übergang einer Substratdiode in einem komplexen Halbleiterbauelement wird auf der Grundlage eines eingebetteten in situ n-dotierten Halbleitermaterials hergestellt, wodurch bessere Diodeneigenschaften geschaffen werden. Beispielsweise wird ein Silizium/Kohlenstoffhalbleitermaterial in einer Aussparung im Substratmaterial gebildet, wobei die Größe und die Form der Aussparung so gewählt wird, dass eine unerwünschte Wechselwirkung mit Metallsilizidmaterial vermieden wird.

公开(公告)号：DE102009021487B4

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：DE102009021487

申请日：2009-05-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BOSCHKE ROMAN ,  PAPAGEORGIOU VASSILIOS ,  WIATR MACIEJ

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Öffnung durch eine vergrabene isolierende Schicht des Halbleiterbauelements, um einen Teil eines kristallinen Materials eines Substrats des Halbleiterbauelements freizulegen; Bilden einer Aussparung in einem Teil des kristallinen Materials durch die Öffnung hindurch, wobei die Aussparung eine größere laterale Abmessung im Vergleich zur Öffnung besitzt; Bilden eines Halbleitermaterials in der Aussparung, wobei zumindest ein Teil des Halbleitermaterials eine Dotierstoffsorte so aufweist, dass ein pn-Übergang mit dem kristallinen Material gebildet wird; und Bilden eines Metallsilizids auf der Grundlage des Halbleitermaterials.

公开(公告)号：DE102010030768A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：DE102010030768

申请日：2010-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  JAVORKA PETER ,  BOSCHKE ROMAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen wird eine verformungsinduzierende eingebettete Halbleiterlegierung auf der Grundlage eines kristallographisch anisotropen Ätzprozesses und eines selbstbegrenzenden Abscheideprozesses bereitgestellt, wobei Transistoren, die die eingebettete verformungsinduzierende Halbleiterlegierung nicht erfordern, unmaskiert bleiben, wodurch eine bessere Gleichmäßigkeit im Hinblick auf den gesamten Transistoraufbau erreicht wird. Folglich können bessere Verformungsbedingungen in einer Art an Transistor erreicht werden, wobei generell Schwankungen in den Transistoreigenschaften für jegliche Arten an Transistoren reduziert werden.

公开(公告)号：DE102010029531A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：DE102010029531

申请日：2010-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  JAVORKA PETER ,  WIATR MACIEJ ,  BOSCHKE ROMAN ,  KRUEGER CHRISTIAN

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen kann die Defektrate, die typischerweise mit dem Vorsehen eines Silizium/Germaniummaterials in dem aktiven Gebiet von p-Kanaltransistoren verknüpft ist, deutlich verringert werden, indem Kohlenstoff vor oder während des selektiven epitaktischen Aufwachsens des Silizium/Germaniummaterials eingebaut wird. In einigen Ausführungsformen wird die Kohlenstoffsorte während des selektiven Aufwachsprozesses eingebaut, während in anderen Fällen ein Ionenimplantationsprozess angewendet wird. In diesem Falle können bessere Verformungsbedingungen auch in n-Kanaltransistoren geschaffen werden.

公开(公告)号：DE102009031114B4

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102009031114

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BOSCHKE ROMAN ,  PAPAGEORGIOU VASSILIOS ,  WIATR MACIEJ

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L29/861

Abstract: Der pn-Übergang einer Subtratdiode in einem komplexen Halbleiterbauelement wird auf der Grundlage eines eingebetteten in-situ n-dotierten Halbleitermaterials hergestellt, wodurch bessere Diodeneigenschaften geschaffen werden. Beispielsweise wird ein Silizium/Kohlenstoffhalbleitermaterial in einer Aussparung im Substratmaterial gebildet, wobei die Größe und die Form der Aussparung so gewählt sind, dass eine unerwünschte Wechselwirkung mit Metallsilizidmaterial vermieden wird.