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公开(公告)号：CN115692149A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110872349.4
申请日：2021-07-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置及其内壁组件，等离子体处理装置包含反应腔、设置在反应腔内侧壁处的内壁组件，设置在反应腔内的等离子体约束环，以及设置在反应腔底部的排气装置。内壁组件包含围成一个等离子体环境处理空间的筒状部，所述筒状部的内侧壁设有若干个弧形沟槽，所述弧形沟槽由筒状部的内侧壁的上方向下延伸，等离子体约束环具有多个斜向下的排气通道。本发明使从内壁组件的内侧壁和等离子体约束环排出的气流形成涡旋结构，所述气流中的微小颗粒相互碰撞团聚成大颗粒污染物从反应腔中排出，防止颗粒污染物累积在基片表面和基片周围的零件上，保持了刻蚀环境的洁净。
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公开(公告)号：CN112768332A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911071144.5
申请日：2019-11-05
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种气体输送系统及半导体处理装置，包括气体调节装置，气体调节装置的输入端接入处理气体；多个支路气体管路，每一支路气体管路均包括依次连接的支路开关阀、缓冲器、第一气动阀及质量流量控制器，支路开关阀的输入端与气体调节装置的输入端相连，质量流量控制器的输出端连接相应的反应腔。将多个支路气体管路共用同一气体调节装置，能够减少气体输送系统的组成部件而使其结构简单、占用面积小，且降低半导体处理装置的成本；每一支路气体管路中均设置有一缓冲器，起到稳定所在支路气体管路的传输气体的压力的作用，还消除其他支路气体管路在突然关闭或突然开启时造成的传输气体的压力不稳的影响，提高半导体处理装置性能。
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公开(公告)号：CN112017932A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910466981.1
申请日：2019-05-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置中气体输送系统的耐腐蚀结构，在衬套的气体通道等处设有耐腐蚀性材料的镀层，避免与所输送的腐蚀性气体反应，减少金属污染和颗粒。本发明反向地安装喷嘴，使其可靠地覆盖出气孔内的镀层，以防止耐腐蚀性材料被腔体内产生的等离子体破坏。本发明在喷嘴暴露于腔体一侧的表面形成有耐腐蚀的氧化钇涂层，阻挡等离子体对喷嘴的侵蚀。本发明还在衬套与介质窗及腔体接触的密封面也使用了柔韧的耐腐蚀性材料，如特氟龙，来提高衬套整体的密封效果。本发明可以有效提升衬套的耐腐蚀性、密封性，增加其服役寿命，提高等离子体处理装置的运行稳定性。
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公开(公告)号：CN108022820B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201610945576.4
申请日：2016-11-02
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/305
Abstract: 本发明涉及一种等离子刻蚀机水平度的自动调节装置，包含：倾角传感器，固定安装在等离子刻蚀机上，且与等离子刻蚀机中承载基片的静电吸盘平行设置，用于检测等离子刻蚀机的倾斜角度与倾斜方向；多个调节组件，分别连接设置在等离子刻蚀机的底部下方；控制器，分别与倾角传感器以及各个调节组件连接，根据接收到的离子刻蚀机的倾斜角度与倾斜方向，控制各个调节组件对应进行升高或降低操作，以调节等离子刻蚀机处于水平状态。本发明通过倾角传感器实时监控等离子刻蚀机的水平度，在不需要打开刻蚀机腔体的情况下，自动完成精度高于0.1度的水平度调节，保证基片刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN114582693B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202011380087.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环及方法。所述等离子体处理装置的反应腔内设有用来承载晶圆的基座；环绕基座外侧设置的边缘环，设有容纳部用来与末端执行器相配合；所述末端执行器包括运载晶圆的晶圆承载部和运载所述边缘环的边缘环承载部；所述末端执行器穿过反应腔腔壁的开口进出所述反应腔。本发明中所述等离子体处理装置的末端执行器能够同时运载晶圆和边缘环进出反应腔，也能够单独运载晶圆进出反应腔进行传片，或单独运载边缘环进出反应腔进行边缘环更换。本发明实现了在不打开反应腔的情况下更换边缘环，显著地提高了设备工作效率，节省了大量的人力和时间，有效地降低了设备的使用成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118888421A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410969692.4
申请日：2024-07-18
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双腔处理系统及气体供应方法，包括：两个处理腔，用于分别对置于其中的基片进行工艺处理。主进气通道，与一工艺气体源相连，用于将所述工艺气体源中的工艺气体输送至两个所述处理腔内。气体流量调节组件，设置在所述主进气通道上，包括至少一个气体分流器。流量调整控制单元，用于根据两个处理腔的基片处理结果控制所述气体流量调节组件以实现对进入两个处理腔内的工艺气体气流的调整。本发明能够解决由于双腔处理系统的出气口的固有问题导致的两个处理腔的气压不同，进而导致两个处理腔内的刻蚀率存在不一致的问题。
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公开(公告)号：CN112768332B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201911071144.5
申请日：2019-11-05
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种气体输送系统及半导体处理装置，包括气体调节装置，气体调节装置的输入端接入处理气体；多个支路气体管路，每一支路气体管路均包括依次连接的支路开关阀、缓冲器、第一气动阀及质量流量控制器，支路开关阀的输入端与气体调节装置的输出端相连，质量流量控制器的输出端连接相应的反应腔。将多个支路气体管路共用同一气体调节装置，能够减少气体输送系统的组成部件而使其结构简单、占用面积小，且降低半导体处理装置的成本；每一支路气体管路中均设置有一缓冲器，起到稳定所在支路气体管路的传输气体的压力的作用，还消除其他支路气体管路在突然关闭或突然开启时造成的传输气体的压力不稳的影响，提高半导体处理装置性能。
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公开(公告)号：CN117936449A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211262132.2
申请日：2022-10-14
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/67
Abstract: 一种基片承载装置、半导体处理设备及基片位置调节方法，基片承载装置设置在半导体处理设备的反应腔内，其包含基座单元和位置调节装置，所述位置调节装置至少部分位于基座单元顶部开设的凹陷部中，所述位置调节装置的数量与所述凹陷部的数量相同；所述位置调节装置包含固定部和移动部，所述固定部与所述基座单元固定连接，所述移动部可容置于所述凹陷部并用于承托基片且可相对于所述基片承载装置移动。本发明用于调整基片与基座单元之间的对中性，从而保证基片边缘刻蚀区域的尺寸一致，提高刻蚀均匀性及对称性(S2S及uniformity)，进而提高基片的良率，同时可降低对机械臂传输基片的精度要求。
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公开(公告)号：CN114001858B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010740454.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种电容式薄膜真空计，包括壳体和极板，壳体具有端口，壳体内部的空腔设置一膜片，膜片包括与端口相对的第一表面和与极板相对的第二表面，第一表面具有致密的膜层，膜层含氟元素。本发明通过在真空计中的膜片上增加一层致密膜层，阻挡反应腔内的氟自由基渗透到膜片中，避免膜片发生性能改变，从而避免由于膜片性能改变造成的零点漂移，保证了真空计的测量精度，解决了现有真空计中氟自由基渗透造成的零点漂移的问题。进一步地，提供了一种等离子体反应装置，这种装置压力便于控制和监控，以及膜层的制备方法，制备得到的膜层具有高致密的性质。
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公开(公告)号：CN114121582B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010877431.1
申请日：2020-08-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：反应腔；第一进气件，其内部具有第一凹槽，所述第一凹槽底端开设有若干第一通孔；第二进气件，安装于所述第一进气件上，所述第一凹槽与所述第二进气件之间形成有腔体，所述第二进气件的进气口用于接入反应气体，所述第二进气件的出气口用于流出反应气体，流出的反应气体流至所述腔体内，并经由第一通孔流至所述反应腔内；驱动装置，其可以根据实际需要利用所述驱动装置改变所述第一进气件与所述第二进气件之间的相对位置来改变待处理基片不同相位角上所述第一通孔中反应气体的流速。本发明可调整进入反应腔内待处理基片不同相位角上气体的流量，进而使待处理基片不同相位角上的刻蚀情况可调。
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