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公开(公告)号：CN1809444A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200480017029.5
申请日：2004-06-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/105 , B24B49/12 , B24B49/16
Abstract: 本发明涉及用于抛光诸如半导体晶片的基片到平面光洁度的基片抛光设备和基片抛光方法。基片抛光设备包括：具有抛光表面(101)的抛光台(100)；用于保持和压靠基片(W)到抛光台(100)的抛光表面(101)的基片支架(1)；和用于测量基片(W)上的薄膜厚度的薄膜厚度测量装置(200)；基片支架(1)具有多个压力可调节室(22到25)，且在相应压力可调节室(22到25)的压力基于薄膜厚度测量装置(200)所测量的薄膜厚度而被调节。
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公开(公告)号：CN1541151A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN03800759.2
申请日：2003-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30 , B24B37/013 , B24B37/042 , H01L21/30625 , Y10S438/977
Abstract: 本发明的抛光方法，用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W)，把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法，其特征在于：把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上，在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70)，把加压流体供给到上述压力室(70)内，利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨，从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体，这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。
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公开(公告)号：CN111095492B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201880057226.1
申请日：2018-08-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/10 , B24B49/12 , B24B49/16
Abstract: 本发明为了在适当位置结束研磨而检测研磨的终点位置。根据一个实施方式，提供一种具备功能性芯片的基板的化学机械研磨方法，该方法具有以下步骤：在基板配置功能性芯片的步骤；在所述基板配置终点检测元件的步骤；由绝缘材料对配置有所述功能性芯片及所述终点检测元件的基板进行密封的步骤；研磨所述绝缘材料的步骤；及研磨所述绝缘材料时，依据所述终点检测元件来检测研磨终点的步骤。
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公开(公告)号：CN111032283B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201880054220.9
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B7/04 , B24B47/26 , B24B55/06 , H01L21/304
Abstract: 在研磨液通过旋转接头内的基板研磨装置中，需要实施旋转接头的维修。本发明公开一种基板研磨装置，具有：用于保持基板的研磨头；表面设有第一开口部的旋转台；设于旋转台的研磨液吐出机构；及至少控制研磨液吐出机构的控制部，研磨液吐出机构具有：第一气缸、第一活塞、及驱动第一活塞的驱动机构，第一开口部与由第一气缸及第一活塞规定的液体保持空间连通，控制部控制驱动机构对第一活塞的驱动，使液体保持空间的容积增减。
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公开(公告)号：CN111095492A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880057226.1
申请日：2018-08-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/10 , B24B49/12 , B24B49/16
Abstract: 本发明为了在适当位置结束研磨而检测研磨的终点位置。根据一个实施方式，提供一种具备功能性芯片的基板的化学机械研磨方法，该方法具有以下步骤：在基板配置功能性芯片的步骤；在所述基板配置终点检测元件的步骤；由绝缘材料对配置有所述功能性芯片及所述终点检测元件的基板进行密封的步骤；研磨所述绝缘材料的步骤；及研磨所述绝缘材料时，依据所述终点检测元件来检测研磨终点的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111032283A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880054220.9
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B7/04 , B24B47/26 , B24B55/06 , H01L21/304
Abstract: 在研磨液通过旋转接头内的基板研磨装置中，需要实施旋转接头的维修。本发明公开一种基板研磨装置，具有：用于保持基板的研磨头；表面设有第一开口部的旋转台；设于旋转台的研磨液吐出机构；及至少控制研磨液吐出机构的控制部，研磨液吐出机构具有：第一气缸、第一活塞、及驱动第一活塞的驱动机构，第一开口部与由第一气缸及第一活塞规定的液体保持空间连通，控制部控制驱动机构对第一活塞的驱动，使液体保持空间的容积增减。
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公开(公告)号：CN110391171A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910298873.8
申请日：2019-04-15
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 提供一种即使在晶片等基板的整个上表面附着有异物的情况下也能够将该异物除去的基板处理装置。基板处理装置具备基板保持装置(1)和擦洗基板(W)的上表面(US)的处理头(50)。基板保持装置(1)具备：保持基板(W)的基板保持架(5)和使保持于基板保持架(5)的基板(W)旋转的基板旋转机构(10)。基板保持架(5)以在基板(W)保持于基板保持架(5)的状态下不突出到比基板(W)的上表面(US)靠上方的位置的方式配置于比基板(W)的上表面(US)靠下方的位置。
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公开(公告)号：CN103659534B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201310444560.1
申请日：2013-09-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B21/06
Abstract: 本发明提供一种研磨方法，能够在晶片的边缘部形成光滑的垂直面。本发明的研磨方法，使晶片（W）旋转，进行第一研磨工序：在使研磨带（38）的一部分从推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧突出的状态下，通过推压垫（51）将研磨带（38）相对于晶片（W）的边缘部推抵而对该晶片（W）的边缘部进行研磨，并且将研磨带（38）的一部分沿推压垫（51）折弯；将折弯的研磨带（38）的一部分通过推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧推压，由此进行以研磨带（38）对晶片（W）的边缘部进一步研磨的第二研磨工序。
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公开(公告)号：CN105313002B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510733698.2
申请日：2009-08-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/042 , B24B37/32 , B24B49/10 , B24B49/12
Abstract: 本发明涉及抛光衬底的方法和装置，尤其是提出一种抛光方法，用于将诸如半导体晶片的衬底抛光至平坦镜面光洁度。通过抛光装置实施抛光衬底的方法，该抛光装置包括具有抛光表面的抛光台(100)、用于保持衬底并将衬底压抵抛光表面的顶圈(1)以及用于沿垂直方向移动顶圈(1)的可垂直移动机构(24)。在衬底压抵抛光表面之前，顶圈(1)移动至第一高度，且接着在衬底压抵抛光表面之后，顶圈(1)移动至第二高度。
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公开(公告)号：CN103962941A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410039682.7
申请日：2014-01-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10
CPC classification number: B24B7/228 , B24B21/004 , B24B21/06 , B24B37/04 , B24B37/042 , B24B37/30
Abstract: 一种研磨方法，用基板保持部(17、42)对基板(W)进行保持，一边使基板(W)旋转，一边使研磨件(22、44)与基板(W)的整个背面滑动接触，由此研磨整个背面。背面研磨工序包括：一边用基板保持部(17)对基板(W)的中心侧区域进行保持，一边对背面的外周侧区域进行研磨；一边用第2基板保持部(42)对基板(W)的伞形部进行保持，一边对背面的中心侧区域进行研磨。采用本发明，能以较高的去除率去除附着在晶片等基板整个背面上的杂质。
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