基板清洗装置、基板清洗方法及基板处理装置

    公开(公告)号:CN107393846B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN201710316200.1

    申请日:2017-05-08

    Abstract: 基板清洗装置包括:基板保持机构(70),所述基板保持机构(70)对基板(W)进行保持;基板旋转机构(72),所述基板旋转机构(72)使保持于基板保持机构(70)的基板(W)旋转;以及双流体喷嘴(46),所述双流体喷嘴(46)使双流体喷流向旋转着的所述基板(W)的表面喷出。双流体喷嘴(46)由导电性材料构成。由此,能够对从双流体喷嘴(46)作为双流体喷流而喷出的液滴的带电量进行抑制。

    清洗装置、研磨装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113043158A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202011560759.7

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 一种清洗装置、研磨装置,清洗装置具备:清洗槽,该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间;晶片旋转机构,该晶片旋转机构配置在清洗槽的内侧,保持晶片并使晶片旋转;清洗部件,该清洗部件与晶片的表面接触并清洗晶片的表面,能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转,其轴线方向的长度比晶片的半径长;摆动机构,该摆动机构使清洗部件绕着位于清洗槽的内侧的摆动轴线摆动,从而使清洗部件从晶片的外侧的避让位置移动到晶片的正上方的清洗位置;第二清洗构件,该第二清洗构件清洗晶片的表面;以及第二摆动机构,该第二摆动机构使第二清洗构件绕着位于清洗槽的内侧的第二摆动轴线摆动并通过晶片的中心的正上方。

    衬底保持设备以及抛光装置

    公开(公告)号:CN101474772A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200910006163.X

    申请日:2005-12-06

    CPC classification number: B24B37/30

    Abstract: 一种根据本发明的衬底保持设备,其包括将与衬底的后表面接触的弹性膜,用于固定该弹性膜的至少一部分的附着构件,以及在当衬底与该弹性膜接触时用于保持该衬底的外围部分的保持环。弹性薄膜包括至少一个突出部分,而附着构件包括至少一个啮合部分,该啮合部分与弹性膜的该至少一个突出部分的侧表面啮合。弹性膜进一步包括波纹部分,该波纹部分可以在挤压方向上膨胀,以允许弹性膜挤压衬底,且该波纹部分可以沿着挤压方向收缩。

    用于衬底保持装置中的弹性部件以及衬底抛光装置和方法

    公开(公告)号:CN101474771A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200910003370.X

    申请日:2004-02-04

    Abstract: 本发明涉及一种用于衬底保持装置中的弹性部件,其包括与衬底接触的接触部分以及与所述接触部分和所述衬底保持装置的可垂直移动部件相连的周壁,所述周壁能够在所述接触部分与所述衬底保持接触的同时垂直伸展和收缩。本发明还涉及具有所述弹性部件的衬底抛光装置和衬底抛光方法,所述衬底抛光方法包括:通过具有压力腔室的顶环保持衬底;使所述衬底与抛光表面滑动接触,同时将流体供给到所述压力腔室中,以将压力施加到所述衬底上;停止所述流体供给;通过真空抽吸将所述衬底吸附到所述顶环上;将所述顶环与所述衬底一起移动到传送位置;以及通过将流体喷射到所述衬底上使所述衬底脱离所述顶环。

    衬底保持装置以及抛光装置

    公开(公告)号:CN100468643C

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200480003897.8

    申请日:2004-02-04

    Abstract: 本发明涉及一种在将衬底抛光至平整光面的抛光装置中用于保持衬底(W)、例如半导体晶片的衬底保持装置。该衬底保持装置包括一个可垂直移动部件(6)和一个用于限定一腔室(22)的弹性部件(7)。所述弹性部件(7)包括一与所述衬底(W)接触的接触部分(8)和一从所述接触部分(8)向上延伸并与所述可垂直移动部件(6)相连的周壁(9)。所述周壁(9)具有一可垂直伸展和收缩的可伸缩部分(40)。

    电解加工装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101230481A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200710181850.6

    申请日:2003-03-25

    Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身,或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态,并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置,其特征在于具有:电极部,并列地布置了多个电极部件,电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体;保持部,保持被加工物,使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近;以及电源,连接到电极部的各电极部件的电极,电极部件的离子交换体具有:表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。

    清洗装置、研磨装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113043158B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202011560759.7

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 一种清洗装置、研磨装置,清洗装置具备:清洗槽,该清洗槽划定对晶片进行清洗的清洗空间;晶片旋转机构,该晶片旋转机构配置在清洗槽的内侧,保持晶片并使晶片旋转;清洗部件,该清洗部件与晶片的表面接触并清洗晶片的表面,能够绕着在横向上延伸的中心轴线旋转,其轴线方向的长度比晶片的半径长;摆动机构,该摆动机构使清洗部件绕着位于清洗槽的内侧的摆动轴线摆动,从而使清洗部件从晶片的外侧的避让位置移动到晶片的正上方的清洗位置;第二清洗构件,该第二清洗构件清洗晶片的表面;以及第二摆动机构,该第二摆动机构使第二清洗构件绕着位于清洗槽的内侧的第二摆动轴线摆动并通过晶片的中心的正上方。

    基板清洗装置以及基板研磨装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116252241A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202211555298.3

    申请日:2022-12-06

    Abstract: 本发明提供一种基板清洗装置及基板研磨装置,效率良好地去除在研磨处理后的基板、膜片以及固定环上附着的颗粒。基板清洗装置被设于包括研磨平台及顶环的基板研磨装置,对研磨后的基板的表面进行清洗,研磨平台具有进行基板研磨的研磨面,顶环一边利用固定环来围绕基板的外周部,一边利用膜片来保持基板。顶环于在研磨平台的上方进行基板研磨的研磨位置、与在研磨平台的侧方进行基板的交接的交接位置之间移动自如。基板清洗装置是对应于研磨位置以及交接位置之间的清洗位置而设,且包括:第一喷射单元,包含对位于清洗位置的基板、膜片以及固定环喷射清洗液的多个清洗喷嘴;以及第二喷射单元,包含对位于清洗位置的基板喷射冲洗液的基板冲洗喷嘴。

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