公开(公告)号：KR100554643B1

公开(公告)日：2006-02-24

申请号：KR1020037001839

申请日：2001-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카신스케 ,  요코야마오사무 ,  나카세리사 ,  이시즈카슈우이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4411 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32862

Abstract: Provided is a parallel-plate-type processing apparatus (10), which performs plasma CVD and includes a chamber (11) to be cleaned. To perform cleaning of the chamber (11), plasma of a gas including fluorine is generated outside the chamber (11), and supplied into the chamber (11). During the cleaning, an RF power is applied to electrode plates (12, 17) inside the chamber (11).

公开(公告)号：KR1020030019912A

公开(公告)日：2003-03-07

申请号：KR1020037001839

申请日：2001-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카신스케 ,  요코야마오사무 ,  나카세리사 ,  이시즈카슈우이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4411 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32862

Abstract: 본 발명은 플라즈마 CVD를 수행하며 세정될 챔버(11)를 구비하는 평행판형 처리 장치(10)를 제공한다. 챔버(11)의 세정을 수행하기 위해, 플루오르를 함유한 가스의 플라즈마가 챔버(11)의 외부에서 발생되어 챔버(11)내로 공급된다. 세정 동안, 챔버(11) 내부의 전극판(12, 17)에는 RF 전력이 인가된다.

Abstract translation: 本发明提供一种平板型处理装置（10），其执行等离子体CVD并且包括待清洁的腔室（11）。 为了执行腔室（11）的清洁，在腔室（11）外部产生包含氟的气体的等离子体，并将其供应到腔室（11）中。 在清洁期间，将RF功率施加到腔室（11）内的电极板（12,17）。

公开(公告)号：KR1019990077209A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019980705351

申请日：1997-11-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시 ,  도자와마사키 ,  나이토요코 ,  나카세리사 ,  요코야마오사무 ,  이시즈카슈이치 ,  엔도슈니치 ,  사이토마사히데 ,  아오키다케시 ,  히라타다다시

IPC: H01L21/314

Abstract: 본 발명에서는, 플라즈마 처리장치의 플라즈마실내에, 마이크로파를 도입함과 더불어 자계를 인가하여, 전자 사이클로트론 공명에 의해 플라즈마생성용 가스를 플라즈마화한다. 이 플라즈마를 플라즈마 처리장치의 성막실내로 도입하고, 탄소 및 불소의 화합물가스 혹은 탄소, 불소 및 수소의 화합물가스와, 탄화수소가스를 포함하는 성막가스를 플라즈마화한다. 그리고 이 플라즈마화된 성막가스에 의해 불소첨가 카본막으로 이루어진 절연막을 성막한다.