公开(公告)号：KR101133787B1

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020080119780

申请日：2008-11-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카신스케

IPC: H01L29/786 ,  H01L31/0445

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 결정성막을 형성하는 결정립간의 가로 방향의 결정 강도를 향상시키기 위해, 실리콘 기판(G) 상에 게이트 산화막(10)을 형성한 후, 2.0eV의 전자 온도 이하의 고전자 밀도 플라즈마에 의해 미결정 실리콘막을 형성하는 제 1 공정과, 2.0eV의 전자 온도보다 높은 전자 온도의 고전자 밀도 플라즈마를 이용하여 초미결정 실리콘막을 형성하는 제 2 공정을 반복 성막한다. 이것에 의해, 미결정 실리콘막과 초미결정 실리콘막이 적층된 적층막(20)이 형성된다. 상기 방법에 의해, 적층막(20)을 활성층으로서 기능시키는 n채널 박막 트랜지스터 및 p채널 박막 트랜지스터의 적어도 어느 하나를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR100554643B1

公开(公告)日：2006-02-24

申请号：KR1020037001839

申请日：2001-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카신스케 ,  요코야마오사무 ,  나카세리사 ,  이시즈카슈우이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4411 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32862

Abstract: Provided is a parallel-plate-type processing apparatus (10), which performs plasma CVD and includes a chamber (11) to be cleaned. To perform cleaning of the chamber (11), plasma of a gas including fluorine is generated outside the chamber (11), and supplied into the chamber (11). During the cleaning, an RF power is applied to electrode plates (12, 17) inside the chamber (11).

公开(公告)号：KR1020030019912A

公开(公告)日：2003-03-07

申请号：KR1020037001839

申请日：2001-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카신스케 ,  요코야마오사무 ,  나카세리사 ,  이시즈카슈우이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4411 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32862

Abstract: 본 발명은 플라즈마 CVD를 수행하며 세정될 챔버(11)를 구비하는 평행판형 처리 장치(10)를 제공한다. 챔버(11)의 세정을 수행하기 위해, 플루오르를 함유한 가스의 플라즈마가 챔버(11)의 외부에서 발생되어 챔버(11)내로 공급된다. 세정 동안, 챔버(11) 내부의 전극판(12, 17)에는 RF 전력이 인가된다.

Abstract translation: 本发明提供一种平板型处理装置（10），其执行等离子体CVD并且包括待清洁的腔室（11）。 为了执行腔室（11）的清洁，在腔室（11）外部产生包含氟的气体的等离子体，并将其供应到腔室（11）中。 在清洁期间，将RF功率施加到腔室（11）内的电极板（12,17）。

公开(公告)号：KR100959441B1

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：KR1020087007569

申请日：2006-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오카신스케 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: [과제] 유전체의 하면 전체에 균일하게 플라즈마를 생성시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치와 방법을 제공한다.
[해결수단] 마이크로파를 도파관(35)의 하면(31)에 복수 형성된 슬롯(70)을 통해서 처리실(4)의 상면에 배치된 유전체(32) 내에 전파시켜, 유전체 표면에서 형성시킨 전자계에서의 전계 에너지에 의해 처리실(4) 내에 공급된 처리 가스를 플라즈마화시켜, 기판 G에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치(1)로서, 유전체(32)의 하면에 깊이가 다른 복수의 오목부(80a~80g)가 형성되어 있다. 각 오목부(80a~80g)의 깊이를 다르게 한 것에 의해, 유전체(32)의 하면에서의 플라즈마의 생성을 제어한다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够在电介质的整个下表面均匀地生成等离子体的等离子体处理装置和方法。

公开(公告)号：KR100877404B1

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：KR1020060075528

申请日：2006-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카신스케

IPC: H05H1/42

Abstract: 본 발명은 플라즈마를 균일하게 발생시키기 위해서 가스를 공급하는 순서를 제어하는 방법을 제공한다.
마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 마이크로파 발생기(28)로부터 출력된 마이크로파를, 복수의 도파관(22)을 거쳐서 슬롯 안테나(23)의 슬롯으로부터 복수개의 유전체 부품(parts)에 전파시키고, 각 유전체 부품을 투과하여 처리 용기(10) 내에 방사된다. 제어 장치(40)는 Ar 가스를 처리 용기(10) 내에 공급시키면서, 마이크로파의 파워를 처리 용기(10) 내에 입사시킨다. 마이크로파의 파워에 의해 Ar 가스가 플라즈마 착화한 후, Ar 가스보다도 플라즈마화하기 위해서 보다 큰 에너지를 필요로 하는 가스인 SiH
4 가스 및 NH
3 가스를 처리 용기(10) 내에 공급시킨다. 이에 따라, 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 처리 용기(10) 내에 입사된 마이크로파의 파워에 의해 처리 가스를 플라즈마화시켜서 양질의 SiN막을 안정적으로 발생시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010041608A

公开(公告)日：2001-05-25

申请号：KR1020007009805

申请日：1999-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키 ,  오카신스케 ,  나카세리사 ,  아오키다케시 ,  아카호리다카시

IPC: H01L21/205

Abstract: 처리 가스를 처리실(22)로 도입시키는 복수개의 처리 가스 구멍(55)을 구비하는 처리 가스 공급부(5)와 면에 대해 비스듬히 교차하는 축선(A)을 갖는 처리 가스 공급부(5)로 이루어진 플라즈마 처리 장치는 소정의 θ각도에서 적재대(4) 상에 얹힌 기판(W)의 피처리 면을 포함하고, 처리 가스 도입 구멍(55)의 축선은 기판(W)의 피처리 면의 중심(C)에 대해 법선(B)이 되며, 상기 피처리 면에서 소정의 거리 L만큼 플라즈마실(21)로 향하는 이격된 위치에서 서로 교차하므로 기판(W)상의 처리 가스 분포도가 균일해 진다.

公开(公告)号：KR100827032B1

公开(公告)日：2008-05-02

申请号：KR1020060042569

申请日：2006-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오카신스케

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 복수개의 가스 공급관 부품을 이용하여 처리 가스를 처리 용기 내에 공급하는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는 복수의 가스 도입관(30)과 복수의 가스 파이프(28)와 그들 가스 파이프(28)를 지지하는 복수의 지지체(27)를 포함하여 구성되어 있다. 복수의 지지체(27)의 내부에는 가스 도입관(30)에 연결된 제 1 경로 또는 제 2 경로가 설치되어 있다. 아르곤 가스는 가스 도입관(30)을 거쳐 제 1 경로로부터 공급되고, 마이크로파에 의하여 플라즈마화(P1)된다. 실란 가스 및 수소 가스는 가스 도입관(30), 제 2 경로를 거쳐 복수의 가스 파이프(28)로부터 공급되고, 아르곤 가스를 플라즈마화할 때에 약해진 마이크로파에 의하여 플라즈마화(P2)된다. 이와 같이 하여 생긴 플라즈마에 의하여 양질의 아모퍼스실리콘막을 생성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060117237A

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：KR1020060042569

申请日：2006-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오카신스케

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: A plasma processing apparatus and method are provided to supply a process gas into a process chamber by using a plurality of gas supply pipe parts. A plasma processing apparatus comprises a plurality of gas introducing parts, a plurality of gas supply pipe parts(28a to 28f), a first gas supply pat and a second gas supply part. The plurality of gas introducing parts(30a to 30g) are used for introducing a process gas into a process chamber(10). The first gas supply part is used for emitting a first process gas of at least one or more gas introducing parts into the process chamber. The second gas supply part is used for emitting a second process gas of at least one or more gas introducing parts to the process chamber through the plurality of gas supply pipe parts.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置和方法，用于通过使用多个气体供应管部件将处理气体供应到处理室中。 等离子体处理装置包括多个气体导入部，多个气体供给管部（28a〜28f），第一气体供给pat和第二气体供给部。 多个气体导入部（30a〜30g）用于将处理气体导入处理室（10）。 第一气体供给部件用于将至少一个或多个气体引入部件的第一处理气体发射到处理室中。 第二气体供给部用于通过多个气体供给管部向处理室发出至少一个以上的气体导入部的第二处理气体。

公开(公告)号：KR100370440B1

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：KR1020007009805

申请日：1999-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키 ,  오카신스케 ,  나카세리사 ,  아오키다케시 ,  아카호리다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708

Abstract: A process gas supply portion 5 of plasma processing apparatus has a plurality of process gas supply holes 55 for introducing process gas into a processing chamber 22. Each of the process gas introducing ports 55 has an axis A diagonally crossing a plane including a surface of a substrate W to be processed to be placed on a susceptor 4 at a specified crossing angle of &thetas;. The axes of each process gas introducing ports 55 simultaneously cross each other at a position. The position is located on a normal line B at the center of the surface to be processed of the substrate W placed on a susceptor 4, and a distance L apart from the surface to be processed toward the plasma chamber 21. This configuration equalizes concentration distribution of the process gas above the substrate W.

Abstract translation: 等离子体处理装置的处理气体供给部5具有用于将处理气体导入处理室22内的多个处理气体供给孔55.各处理气体导入口55具有与包含 待处理的衬底W以特定的交叉角θθ放置在基座4上。 各处理气体导入口55的轴线在同一位置同时交叉。 该位置位于载置在基座4上的基板W的被加工面的中央的法线B上，距离被加工面朝向等离子体室21的距离为L。该结构使浓度分布 在衬底W上方的工艺气体。

公开(公告)号：KR100882969B1

公开(公告)日：2009-02-13

申请号：KR1020070031091

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 오카신스케 ,  호리구치다카히로 ,  니시무라가즈아키 ,  기타무라마사유키 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 복수의 슬롯(37)에 통과시킨 마이크로파를, 대들보(26)로 지지된 복수매의 유전체 파트(31)에 투과시키고, 투과시킨 마이크로파에 의해 가스를 플라즈마화하여 기판 G를 플라즈마 처리한다. 유전체 파트(31)를 지지하는 대들보(26)는, 그 단부 주변에서의 플라즈마 전자 밀도 N
e 가 컷오프의 플라즈마 전자 밀도 N
c 이상으로 되도록 기판측으로 돌출하여 마련된다. 이 대들보(26)의 돌출에 의하여, 이웃하는 유전체 파트(31)를 투과한 마이크로파의 전계 에너지에 의해 발생한 표면파에 의한 간섭이나, 이웃하는 유전체 파트(31) 아래쪽의 플라즈마가 확산될 때에 플라즈마 내를 전파하여 이웃하는 플라즈마에 도달하는 전자나 이온에 의한 간섭이 억제된다.

Abstract translation: 微波等离子体处理装置100中，其中微波穿过所述多个狭槽37的，并透过光束（26）由多个，等离子气体的支撑的电介质部31的由微波发射 衬底G被等离子体处理。 支撑介电部分31的梁26具有等离子体电子密度N.