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公开(公告)号：KR101042177B1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：KR1020057018039
申请日：2004-04-07
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 파틀로윌리엄엔. , 알고츠제이.마틴 , 블루멘스톡게리엠. , 바우어링노버트 , 어쇼브알렉산더아이. , 포멘코프이고르브이. , 판지아오지앙제이.
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H05G2/001 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , G21K1/062
Abstract: 반사면을 포함할 수 있는 EUV광원내의 EUV콜렉터의 반사면으로부터 찌꺼기를 제거하기 위한 방법과 장치가 개시되고, 반사면은 제 1 물질을 포함하고 찌꺼기는 제 2 물질 및/또는 제 2 물질의 화합물을 포함하고, 본 시스템 및 방법은 제어된 스퍼터링 이온 소스를 포함할 수 있고, 상기 제어된 스퍼터링 이온 소스는 스퍼터링 이온 물질의 원자를 포함하는 가스; 및 스퍼터링 이온 물질의 원자를 이온화 상태로 여기시키는 자극 메커니즘을 포함할 수 있고, 상기 이온화 상태는 제 2 물질을 스퍼터링하는 확률이 높고 제 1 물질을 스퍼터링하는 확률이 매우 낮은 선택된 에너지 피크 주위에서의 분포를 가지도록 선택된다. 자극 메커니즘은 RF 또는 마이크로웨이브 유도 메커니즘을 포함할 수 있다. 가스는 선택된 에너지 피크를 부분적으로 결정하는 압력으로 유지되고 자극 메커니즘은 제 2 물질의 플라즈마 찌꺼기 원자의 유입율과 같거나 초과하는 반사면으로부터 제 2 물질의 원자의 스퍼터 밀도를 생성하는 스퍼터링 이온 물질의 이온의 유입을 생성할 수 있다. 스퍼터링 율은 반사면의 소정의 원하는 수명에 대해 선택될 수 있다. 반사면은 캐핑될 수 있다. 콜렉터는 타원형 미러와 방사상으로 뻗어있는 채널을 포함할 수 있는 찌꺼기 실드를 포함할 수 있다. 제 1 물질은 몰리브덴, 제 2 물질은 리튬일 수 있고 이온 물질은 헬륨일 수 있다. 시스템은 반사면으로부터 제 2 물질을 증발시키기 위한 히터를 구비할 수 있다. 자극 메커니즘은 점화 시점사이에 반사면에 연결될 수 있다. 반사면은 장벽층을 구비할 수 있다. 콜렉터는, 반사기 쉘상의 다층 스 택을 위한 층물질의 선택에 의해 스펙트럼 필터로서 기능할 수 있는, 입사 반사기 쉘의 스침각과 결합하여 구형 미러일 수 있다. 스퍼터링은 가열과 결합하게 될 수 있고, 후자는 리튬을 제거하고 전자는 리튬의 화합물을 제거하고, 스퍼터링은 여기된 가스 원자보다는 플라즈마내에서 생성된 이온에 의해 될 수 있다.
EUV광원, 콜렉터, 자극 메커니즘, 플라즈마, 스퍼터링, 반사기, 쉘, 스펙트럼 필터-
公开(公告)号：KR1020110025882A
公开(公告)日：2011-03-11
申请号：KR1020117003417
申请日：2004-04-07
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 파틀로윌리엄엔. , 알고츠제이.마틴 , 블루멘스톡게리엠. , 바우어링노버트 , 어쇼브알렉산더아이. , 포멘코프이고르브이. , 판지아오지앙제이.
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H05G2/001 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , G21K1/062
Abstract: 반사면을 포함할 수 있는 EUV광원내의 EUV콜렉터의 반사면으로부터 찌꺼기를 제거하기 위한 방법과 장치가 개시되고, 반사면은 제 1 물질을 포함하고 찌꺼기는 제 2 물질 및/또는 제 2 물질의 화합물을 포함하고, 본 시스템 및 방법은 제어된 스퍼터링 이온 소스를 포함할 수 있고, 상기 제어된 스퍼터링 이온 소스는 스퍼터링 이온 물질의 원자를 포함하는 가스; 및 스퍼터링 이온 물질의 원자를 이온화 상태로 여기시키는 자극 메커니즘을 포함할 수 있고, 상기 이온화 상태는 제 2 물질을 스퍼터링하는 확률이 높고 제 1 물질을 스퍼터링하는 확률이 매우 낮은 선택된 에너지 피크 주위에서의 분포를 가지도록 선택된다. 자극 메커니즘은 RF 또는 마이크로웨이브 유도 메커니즘을 포함할 수 있다. 가스는 선택된 에너지 피크를 부분적으로 결정하는 압력으로 유지되고 자극 메커니즘은 제 2 물질의 플라즈마 찌꺼기 원자의 유입율과 같거나 초과하는 반사면으로부터 제 2 물질의 원자의 스퍼터 밀도를 생성하는 스퍼터링 이온 물질의 이온의 유입을 생성할 수 있다. 스퍼터링 율은 반사면의 소정의 원하는 수명에 대해 선택될 수 있다. 반사면은 캐핑될 수 있다. 콜렉터는 타원형 미러와 방사상으로 뻗어있는 채널을 포함할 수 있는 찌꺼기 실드를 포함할 수 있다. 제 1 물질은 몰리브덴, 제 2 물질은 리튬일 수 있고 이온 물질은 헬륨일 수 있다. 시스템은 반사면으로부터 제 2 물질을 증발시키기 위한 히터를 구비할 수 있다. 자극 메커니즘은 점화 시점사이에 반사면에 연결될 수 있다. 반사면은 장벽층을 구비할 수 있다. 콜렉터는, 반사기 쉘상의 다층 스택을 위한 층물질의 선택에 의해 스펙트럼 필터로서 기능할 수 있는, 입사 반사기 쉘의 스침각과 결합하여 구형 미러일 수 있다. 스퍼터링은 가열과 결합하게 될 수 있고, 후자는 리튬을 제거하고 전자는 리튬의 화합물을 제거하고, 스퍼터링은 여기된 가스 원자보다는 플라즈마내에서 생성된 이온에 의해 될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070110890A
公开(公告)日：2007-11-20
申请号：KR1020077021846
申请日：2006-02-24
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 엘쇼프알렉산더아이. , 파틀로윌리엄엔. , 보워링노보트알.
IPC: H05G2/00
CPC classification number: H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/005 , H05G2/008
Abstract: An EUV light source is disclosed that may include a laser source, e.g. CO2 laser, a plasma chamber, and a beam delivery system for passing a laser beam from the laser source into the plasma chamber. Embodiments are disclosed which may include one or more of the following; a bypass line may be provided to establish fluid communication between the plasma chamber and the auxiliary chamber, a focusing optic, e.g. mirror, for focusing the laser beam to a focal spot in the plasma chamber, a steering optic for steering the laser beam focal spot in the plasma chamber, and an optical arrangement for adjusting focal power.
Abstract translation: 公开了一种EUV光源，其可以包括例如激光源。 CO2激光器，等离子体室和用于将激光束从激光源传递到等离子体室中的光束传送系统。 公开了可以包括以下中的一个或多个的实施例; 可以提供旁路管线以建立等离子体室和辅助室之间的流体连通，聚焦光学器件例如。 用于将激光束聚焦到等离子体室中的焦点的反射镜，用于转向等离子体室中的激光束焦斑的转向光学元件，以及用于调整焦度的光学装置。
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公开(公告)号：KR100561973B1
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：KR1020027002294
申请日：2000-08-17
Applicant: 사이머 엘엘씨
IPC: H01S3/22
Abstract: 가스 방전 레이저 챔버의 피드스루 구조(280)는 밀봉된 가스 엔클로저(212)의 벽을 통해 엔클로저내의 단일 피스 전극(218)으로 전력을 도전시킨다. 이 피드스루 구조는 전극보다 더 큰 단일 피스 일체식 메인 절연체(276)를 포함한다. 이 메인 절연체(276)는 전극(218) 및 엔클로저(212)의 벽 사이에서 압축된다. 전극 및 단일 피스 절연체 사이의 인터페이스를 형성하는 표면은 절연체이고 벽은 모두 매우 스무드하여 챔버 온도가 변함에 따라 부품이 팽창하고 수축할 수 있게 한다. 피드스루 구조는 또한 기계적 서포트 및 전극에 대한 정렬을 제공하고 시일(184)을 포함하여 피드스루 구조의 둘레에서 가스가 누출되는 것을 방지한다.
피드스루 구조, 단일 피스 절연체, 엔클로저, 전극, 시일, 가스 방전 레이저 챔버, 인터페이스, 열팽창, 가스누출-
公开(公告)号：KR100421273B1
公开(公告)日：2004-03-09
申请号：KR1020017000557
申请日：1999-06-24
Applicant: 사이머 엘엘씨
IPC: H01S3/00
CPC classification number: G03F7/70483 , G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70575 , H01S3/097 , H01S3/225 , H03K3/57 , H03K17/80
Abstract: A high pulse rate pulse power source for supplying controlled high energy electrical pulses at rates of 2000 Hz or greater. The source includes a pulse generating circuit including a charging capacitor, a solid state switch and a current limiting inductor. Pulses generated in the pulse generating circuit are compressed in at least two pulse compression circuits and a step-up pulse transformer increases peak voltage to at least 12,000 volts. A very fast regulated power supply is provided for charging the charging capacitor in less than 400 microseconds and a pulse control system including a programmed processor controls the charging of the charging capacitor to an accuracy of less than about one percent at a rate of at least 2000 charges per second.
Abstract translation: 用于以2000 Hz或更高速率提供受控高能电脉冲的高脉冲速率脉冲电源。 该源包括脉冲发生电路，该电路包括充电电容器，固态开关和限流电感器。 脉冲发生电路中产生的脉冲在至少两个脉冲压缩电路中被压缩，并且升压脉冲变压器将峰值电压增加到至少12,000伏。 提供非常快的稳压电源，用于在小于400微秒的时间内对充电电容器充电，并且包括编程处理器的脉冲控制系统以至少2000的速率控制充电电容器的充电精度小于约1％ 每秒收费。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100319001B1
公开(公告)日：2002-01-04
申请号：KR1020000012713
申请日：2000-03-14
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 파틀로윌리엄엔. , 포멘코프이고르브이. , 벅스다니엘엘.
IPC: H01L21/263
Abstract: 고 에너지 광자원. 한 쌍의 플라즈마 핀치 전극이 진공 챔버에 위치되어 있다. 요구되는 스펙트럼 라인을 제공하기 위해 선택되는 활성가스와 불활성 버퍼 가스를 포함하는 작용가스. 펄스 전력원은 활성가스의 스펙트럼 라인에서 방사를 제공하는 작용가스에서 고 밀도 플라즈마 핀치, 초 고온을 발생하기 위해 전극간의 전기 방전을 발생시키기에 충분히 높은 전압에서 전기 펄스를 제공한다. 외부의 반사 방사 컬렉터-디렉터는 플라즈마 핀치에서 발생된 방사를 수집하고 요구되는 방향으로 방사를 향하게 한다. 바람직한 실시예에서, 활성가스는 리튬이고 완충가스는 헬륨이며 방사 컬렉터-디렉터는 전극에 사용되는 물질로 코팅된다. 양호하게 선택되는 물질은 텅스텐이다. 제 2의 바람직한 실시예에서 완충가스는 아르곤이고 리튬가스는 동축의 전극 구성의 중심전극 축을 따라 홀에 위치된 고형 또는 액체 리튬의 증기화에 의해 발생된다. 기타 바람직한 실시예에서는 방사 컬렉터-디렉터 상부로 원추형 내포 파편 컬렉터가 사용된다.
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公开(公告)号：KR101385047B1
公开(公告)日：2014-04-14
申请号：KR1020087030482
申请日：2007-05-22
Applicant: 사이머 엘엘씨
Abstract: 챔버 볼륨을 둘러싸는 내측면 및 외측면을 갖춘 벽을 가진 캠버 하우징을 포함하고, 오리피스와 함께 형성될 수 있는 가스방전용 챔버가 개시된다. 본 챔버에 대하여, 적어도 하나의 전기 도체는 챔버 볼륨으로 전류를 통전시키기 위해 오리피스를 통해 뻗을 수 있다. 챔버 압력이 볼륨 내에서 유지되도록 하기 위해 오리피스를 통한 가스 흐름을 방지하기 위해 도체와 벽 사이에 부재가 배치될 수 있다. 챔버는 또한 챔버 압력으로 인해 오리피스 주변 벽의 바우잉을 줄이기 위해 벽의 외측면의 적어도 일부분 상의 압력을 유지하기 위해 오리피스와 인접하게 배치된 가압 컴파트먼트를 포함할 수 있다.
가스방전 레이저, 챔버, 오리피스, 챔버 벽, 가압 검파트먼트.-
公开(公告)号：KR101193916B1
公开(公告)日：2012-10-29
申请号：KR1020077021531
申请日：2006-02-24
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 보워링노보트알. , 한손브존에이.,엠. , 바이카노프알렉산더엔. , 코디킨올레 , 엘쇼프알렉산더아이. , 파틀로윌리엄엔.
CPC classification number: G03F7/70925 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70166 , G03F7/70916 , G21K2201/06 , H05G2/001
Abstract: 플라즈마 형성에 의해 발생된 파편으로부터 EUV 광원 플라즈마 생성 챔버 광소자 표면을 보호하기 위한 시스템 및 방법이 개시되어 있다. 본 발명의 하나의 실시예에서, 쉴드가 개시되어 있는데 이것은 광소자와 플라즈마 형성 사이트 사이에서 위치된 적어도 하나의 중공 튜브를 포함하고 있다. 튜브는 파편을 포착하는 한편 비교적 작은 각도로 반사를 통해 튜브의 루멘을 광이 통과하도록 향해 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 쉴드는 쉴드에 퇴적된 파편 재료의 하나 이상의 종을 제거하기에 충분한 온도로 가열되도록 개시되어 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 쉴드가 광원 플라즈마 챔버로부터 쉴드가 청소되는 크리닝 챔버까지 움직이는 시스템이 개시되어 있다.
플라즈마, 파편, EUV 광원, 플라즈마 생성 챔버, 광소자, 쉴드, 플라즈마 형성 사이트, 광 통로-
公开(公告)号：KR101118996B1
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020117003417
申请日：2004-04-07
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 파틀로윌리엄엔. , 알고츠제이.마틴 , 블루멘스톡게리엠. , 바우어링노버트 , 어쇼브알렉산더아이. , 포멘코프이고르브이. , 판지아오지앙제이.
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H05G2/001 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , G21K1/062
Abstract: 반사면을 포함할 수 있는 EUV광원내의 EUV콜렉터의 반사면으로부터 찌꺼기를 제거하기 위한 방법과 장치가 개시되고, 반사면은 제 1 물질을 포함하고 찌꺼기는 제 2 물질 및/또는 제 2 물질의 화합물을 포함하고, 본 시스템 및 방법은 제어된 스퍼터링 이온 소스를 포함할 수 있고, 상기 제어된 스퍼터링 이온 소스는 스퍼터링 이온 물질의 원자를 포함하는 가스; 및 스퍼터링 이온 물질의 원자를 이온화 상태로 여기시키는 자극 메커니즘을 포함할 수 있고, 상기 이온화 상태는 제 2 물질을 스퍼터링하는 확률이 높고 제 1 물질을 스퍼터링하는 확률이 매우 낮은 선택된 에너지 피크 주위에서의 분포를 가지도록 선택된다. 자극 메커니즘은 RF 또는 마이크로웨이브 유도 메커니즘을 포함할 수 있다. 가스는 선택된 에너지 피크를 부분적으로 결정하는 압력으로 유지되고 자극 메커니즘은 제 2 물질의 플라즈마 찌꺼기 원자의 유입율과 같거나 초과하는 반사면으로부터 제 2 물질의 원자의 스퍼터 밀도를 생성하는 스퍼터링 이온 물질의 이온의 유입을 생성할 수 있다. 스퍼터링 율은 반사면의 소정의 원하는 수명에 대해 선택될 수 있다. 반사면은 캐핑될 수 있다. 콜렉터는 타원형 미러와 방사상으로 뻗어있는 채널을 포함할 수 있는 찌꺼기 실드를 포함할 수 있다. 제 1 물질은 몰리브덴, 제 2 물질은 리튬일 수 있고 이온 물질은 헬륨일 수 있다. 시스템은 반사면으로부터 제 2 물질을 증발시키기 위한 히터를 구비할 수 있다. 자극 메커니즘은 점화 시점사이에 반사면에 연결될 수 있다. 반사면은 장벽층을 구비할 수 있다. 콜렉터는, 반사기 쉘상의 다층 스택을 위한 층물질의 선택에 의해 스펙트럼 필터로서 기능할 수 있는, 입사 반사기 쉘의 스침각과 결합하여 구형 미러일 수 있다. 스퍼터링은 가열과 결합하게 될 수 있고, 후자는 리튬을 제거하고 전자는 리튬의 화합물을 제거하고, 스퍼터링은 여기된 가스 원자보다는 플라즈마내에서 생성된 이온에 의해 될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090016023A
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：KR1020087030482
申请日：2007-05-22
Applicant: 사이머 엘엘씨
Abstract: A chamber for a gas discharge laser is disclosed and may include a chamber housing having a wall, the wall having an inside surface surrounding a chamber volume and an outside surface, the wall also being formed with an orifice. For the chamber, at least one electrical conductor may extend through the orifice to pass an electric current into the chamber volume. A member may be disposed between the conductor and the wall for preventing gas flow through the orifice to allow a chamber pressure to be maintained in the volume. The chamber may further comprise a pressurized compartment disposed adjacent to the orifice for maintaining a pressure on at least a portion of the outside surface of the wall to reduce bowing of the wall near the orifice due to chamber pressure.
Abstract translation: 公开了一种用于气体放电激光器的腔室，并且可以包括具有壁的腔室壳体，壁具有围绕室容积的内表面和外表面，壁还形成有孔口。 对于腔室，至少一个电导体可以延伸通过孔口以将电流传递到腔体积中。 构件可以设置在导体和壁之间，用于防止气体流过孔口，以允许室压力保持在容积中。 腔室可以进一步包括邻近孔口设置的加压隔室，用于在壁的外表面的至少一部分上保持压力，以减小由于腔室压力而在孔口附近的壁的弯曲。
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