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    ＥＵＶ광원용 콜렉터
    1.
    发明公开
    ＥＵＶ광원용 콜렉터 失效
    EUV光源收集器

    公开(公告)号：KR1020050111619A

    公开(公告)日：2005-11-25

    申请号：KR1020057018039

    申请日：2004-04-07

    Applicant: 사이머 엘엘씨

    Inventor： 파틀로윌리엄엔. ,  알고츠제이.마틴 ,  블루멘스톡게리엠. ,  바우어링노버트 ,  어쇼브알렉산더아이. ,  포멘코프이고르브이. ,  판지아오지앙제이.

    IPC: H01S3/10

    CPC classification number: H05G2/001 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70916 ,  G21K1/062

    Abstract: A method and apparatus for debris removal from a reflecting surface of an EUV collector in an EUV light source is disclosed which may comprise the reflecting surface comprises a first material and the debris comprises a second material and/or compounds of the second material, the system and method may comprise a controlled sputtering ion source which may comprise a gas comprising the atoms of the sputtering ion material; and a stimulating mechanism exciting the atoms of the sputtering ion material into an ionized state, the ionized state being selected to have a distribution around a selected energy peak that has a high probability of sputtering the second material and a very low probability of sputtering the first material. The stimulating mechanism may comprise an RF or microwave induction mechanism. The gas is maintained at a pressure that in part determines the selected energy peak and the stimulating mechanism may create an influx of ions of the sputtering ion material that creates a sputter density of atoms of the second material from the reflector surface that equals or exceeds the influx rate of the plasma debris atoms of the second material. A sputtering rate may be selected for a given desired life of the reflecting surface. The reflecting surface may be capped. The collector may comprise an elliptical mirror and a debris shield which may comprise radially extending channels. The first material may be molybdenum, the second lithium and the ion material may be helium. The system may have a heater to evaporate the second material from the reflecting surface. The stimulating mechanism may be connected to the reflecting surface between ignition times. The reflecting surface may have barrier layers. The collector may be a spherical mirror in combination with grazing angle of incidence reflector shells, which may act as a spectral filter by selection of the layer material for multi-layer stacks on the reflector shells. The sputtering can be in combination with heating, the latter removing the lithium and the former removing compounds of lithium, and the sputtering may be by ions produced in the plasma rather than excited gas atoms.

    Abstract translation: 公开了一种用于从EUV光源中的EUV收集器的反射表面去除碎片的方法和装置，其可以包括反射表面，其包括第一材料，并且所述碎屑包括第二材料和/或第二材料的化合物，所述系统 并且方法可以包括受控的溅射离子源，其可以包括包含溅射离子材料的原子的气体; 以及将溅射离子材料的原子激发成离子化状态的刺激机构，所选择的离子化状态具有围绕选择的能量峰的分布，其具有溅射第二材料的可能性很高，并且溅射的可能性非常低 材料。 刺激机构可以包括RF或微波感应机构。 气体保持在部分地决定所选择的能量峰值的压力下，并且刺激机构可以产生溅射离子材料的离子的流入，其从反射器表面产生第二材料的原子的溅射密度等于或超过 第二种材料的等离子体碎片原子的流入速率。 可以在反射表面的给定期望寿命期间选择溅射速率。 反射面可以被盖住。 收集器可以包括椭圆镜和可包括径向延伸通道的碎片屏蔽。 第一材料可以是钼，第二锂和离子材料可以是氦。 该系统可以具有从反射表面蒸发第二材料的加热器。 刺激机构可以在点火时间之间连接到反射表面。 反射表面可以具有阻挡层。 收集器可以是与入射反射器壳的掠射角组合的球面镜，其可以通过选择反射器壳体上的多层堆叠的层材料来充当光谱滤光器。 溅射可以与加热相结合，后者除去锂和前者除去锂的化合物，并且溅射可以是在等离子体中产生的离子而不是被激发的气体原子。

    ＥＵＶ광원 광소자
    3.
    发明公开
    ＥＵＶ광원 광소자 无效
    EUV光源光学元件

    公开(公告)号：KR1020070006805A

    公开(公告)日：2007-01-11

    申请号：KR1020067020110

    申请日：2005-02-24

    Applicant: 사이머 엘엘씨

    Inventor： 보워링노베르트에르. ,  어쇼브알렉산더아이. ,  다이어티모시에스. ,  그리놀드휴알.

    IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01J35/20

    CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70916

    Abstract: Apparatus and methods are disclosed for forming plasma generated EUV light source optical elements, e.g., reflectors comprising MLM stacks employing various binary layer materials and capping layer(s) including single and binary capping layers for utilization in plasma generated EUV light source chambers, particularly where the plasma source material is reactive with one or more of the MLM materials. ® KIPO & WIPO 2007

    Abstract translation: 公开了用于形成等离子体产生的EUV光源光学元件的装置和方法，例如，包括使用各种二元层材料的MLM堆叠的反射器和包括用于等离子体产生的EUV光源室中的单个和二进制封盖层的封盖层，特别是在 等离子体源材料与一种或多种MLM材料反应。 ®KIPO＆WIPO 2007

    ＥＵＶ광원
    4.
    发明公开
    ＥＵＶ광원 有权
    EUV光源

    公开(公告)号：KR1020070003996A

    公开(公告)日：2007-01-05

    申请号：KR1020067020324

    申请日：2005-02-24

    Applicant: 사이머 엘엘씨

    Inventor： 파틀로윌리암엔. ,  보워링노베르트에르. ,  어쇼브알렉산더아이. ,  포멘코브이고르브이. ,  올리버아이.로저 ,  비아텔라존 ,  자크로버트엔.

    IPC: H01J35/20 ,  G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  H01J65/04

    CPC classification number: G03F7/70033 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70916 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067 ,  H05G2/003 ,  H05G2/005 ,  H05G2/006 ,  H05G2/008

    Abstract: An apparatus and method for EUV light production is disclosed which may comprise a laser produced plasma (" LPP") extreme ultraviolet ("EUV") light source control system comprising a target delivery system adapted to deliver moving plasma initiation targets and an EUV light collection optic having a focus defining a desired plasma initiation site, comprising: a target tracking and feedback system comprising: at least one imaging device providing as an output an image of a target stream track, wherein the target stream track results from the imaging speed of the camera being too slow to image individual plasma formation targets forming the target stream imaged as the target stream track; a stream track error detector detecting an error in the position of the target stream track in at least one axis generally perpendicular to the target stream track from a desired stream track intersecting the desired plasma initiation site. At least one target crossing detector may be aimed at the target track and detecting the passage of a plasma formation target through a selected point in the target track. A drive laser triggering mechanism utilizing an output of the target crossing detector to determine the timing of a drive laser trigger in order for a drive laser output pulse to intersect the plasma initiation target at a selected plasma initiation site along the target track at generally its closest approach to the desired plasma initiation site. A plasma initiation detector may be aimed at the target track and detecting the location along the target track of a plasma initiation site for a respective target. An intermediate focus illuminator may illuminate an aperture formed at the intermediate focus to image the aperture in the at least one imaging device. The at least one imaging device may be at least two imaging devices each providing an error signal related to the separation of the target track from the vertical centerline axis of the image of the intermediate focus based upon an analysis of the image in the respective one of the at least two imaging devices. A target delivery feedback and control system may comprise a target delivery unit; a target delivery displacement control mechanism displacing the target delivery mechanism at least in an axis corresponding to a first displacement error signal derived from the analysis of the image in the first imaging device and at least in an axis corresponding to a second displacement error signal derived from the analysis of the image in the second imaging device. ® KIPO & WIPO 2007

    Abstract translation: 公开了一种用于EUV光产生的装置和方法，其可以包括激光产生的等离子体（“LPP”）极紫外（“EUV”）光源控制系统，其包括适于递送移动等离子体引发靶的目标传送系统和EUV光收集 光学元件具有限定期望的等离子体起始位置的焦点，包括：目标跟踪和反馈系统，包括：至少一个成像装置，其提供目标流轨迹的图像作为输出，其中，所述目标流轨迹来自所述目标流轨迹的成像速度 摄像机太慢，不能成像形成被作为目标流轨迹成像的目标流的各个等离子体形成目标; 流轨迹误差检测器，从与期望的等离子体起始位置相交的期望的流轨道检测在大致垂直于目标流轨迹的至少一个轴上的目标流轨迹位置的误差。 至少一个目标交叉检测器可以瞄准目标轨道并且检测等离子体形成目标通过目标轨道中的选定点的通过。 驱动激光触发机构利用目标交叉检测器的输出来确定驱动激光触发的定时，以便驱动激光输出脉冲在等离子体引发目标处沿着目标轨道在一般最接近的等离子体起始位置处相交 接近所需的等离子体引发位点。 等离子体起始检测器可以瞄准目标轨道并且检测针对相应目标的等离子体起始位置沿着目标轨迹的位置。 中间焦点照明器可以照亮形成在中间焦点处的孔，以对至少一个成像装置中的孔进行成像。 所述至少一个成像装置可以是至少两个成像装置，每个成像装置基于对所述中间焦点的图像的图像的分析，提供与所述目标轨道与所述中间焦点的图像的垂直中心线轴线分离相关的误差信号 所述至少两个成像装置。 目标传送反馈和控制系统可以包括目标传送单元; 目标传送位移控制机构至少在对应于从第一成像装置中的图像的分析导出的第一位移误差信号的轴上移动目标传送机构，并且至少在与由第二位移误差信号 对第二成像装置中的图像进行分析。 ®KIPO＆WIPO 2007

    ＥＵＶ광원용 콜렉터
    5.
    发明授权
    ＥＵＶ광원용 콜렉터 失效

    公开(公告)号：KR101042177B1

    公开(公告)日：2011-06-16

    申请号：KR1020057018039

    申请日：2004-04-07

    Applicant: 사이머 엘엘씨

    Inventor： 파틀로윌리엄엔. ,  알고츠제이.마틴 ,  블루멘스톡게리엠. ,  바우어링노버트 ,  어쇼브알렉산더아이. ,  포멘코프이고르브이. ,  판지아오지앙제이.

    IPC: H01S3/10

    CPC classification number: H05G2/001 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70916 ,  G21K1/062

    Abstract: 반사면을 포함할 수 있는 EUV광원내의 EUV콜렉터의 반사면으로부터 찌꺼기를 제거하기 위한 방법과 장치가 개시되고, 반사면은 제 1 물질을 포함하고 찌꺼기는 제 2 물질 및/또는 제 2 물질의 화합물을 포함하고, 본 시스템 및 방법은 제어된 스퍼터링 이온 소스를 포함할 수 있고, 상기 제어된 스퍼터링 이온 소스는 스퍼터링 이온 물질의 원자를 포함하는 가스; 및 스퍼터링 이온 물질의 원자를 이온화 상태로 여기시키는 자극 메커니즘을 포함할 수 있고, 상기 이온화 상태는 제 2 물질을 스퍼터링하는 확률이 높고 제 1 물질을 스퍼터링하는 확률이 매우 낮은 선택된 에너지 피크 주위에서의 분포를 가지도록 선택된다. 자극 메커니즘은 RF 또는 마이크로웨이브 유도 메커니즘을 포함할 수 있다. 가스는 선택된 에너지 피크를 부분적으로 결정하는 압력으로 유지되고 자극 메커니즘은 제 2 물질의 플라즈마 찌꺼기 원자의 유입율과 같거나 초과하는 반사면으로부터 제 2 물질의 원자의 스퍼터 밀도를 생성하는 스퍼터링 이온 물질의 이온의 유입을 생성할 수 있다. 스퍼터링 율은 반사면의 소정의 원하는 수명에 대해 선택될 수 있다. 반사면은 캐핑될 수 있다. 콜렉터는 타원형 미러와 방사상으로 뻗어있는 채널을 포함할 수 있는 찌꺼기 실드를 포함할 수 있다. 제 1 물질은 몰리브덴, 제 2 물질은 리튬일 수 있고 이온 물질은 헬륨일 수 있다. 시스템은 반사면으로부터 제 2 물질을 증발시키기 위한 히터를 구비할 수 있다. 자극 메커니즘은 점화 시점사이에 반사면에 연결될 수 있다. 반사면은 장벽층을 구비할 수 있다. 콜렉터는, 반사기 쉘상의 다층 스 택을 위한 층물질의 선택에 의해 스펙트럼 필터로서 기능할 수 있는, 입사 반사기 쉘의 스침각과 결합하여 구형 미러일 수 있다. 스퍼터링은 가열과 결합하게 될 수 있고, 후자는 리튬을 제거하고 전자는 리튬의 화합물을 제거하고, 스퍼터링은 여기된 가스 원자보다는 플라즈마내에서 생성된 이온에 의해 될 수 있다.
    EUV광원, 콜렉터, 자극 메커니즘, 플라즈마, 스퍼터링, 반사기, 쉘, 스펙트럼 필터

    ＥＵＶ광원용 콜렉터
    6.
    发明公开
    ＥＵＶ광원용 콜렉터 失效
    EUV光源收集器

    公开(公告)号：KR1020110025882A

    公开(公告)日：2011-03-11

    申请号：KR1020117003417

    申请日：2004-04-07

    Applicant: 사이머 엘엘씨

    Inventor： 파틀로윌리엄엔. ,  알고츠제이.마틴 ,  블루멘스톡게리엠. ,  바우어링노버트 ,  어쇼브알렉산더아이. ,  포멘코프이고르브이. ,  판지아오지앙제이.

    IPC: H01S3/10

    CPC classification number: H05G2/001 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70916 ,  G21K1/062

    Abstract: 반사면을 포함할 수 있는 EUV광원내의 EUV콜렉터의 반사면으로부터 찌꺼기를 제거하기 위한 방법과 장치가 개시되고, 반사면은 제 1 물질을 포함하고 찌꺼기는 제 2 물질 및/또는 제 2 물질의 화합물을 포함하고, 본 시스템 및 방법은 제어된 스퍼터링 이온 소스를 포함할 수 있고, 상기 제어된 스퍼터링 이온 소스는 스퍼터링 이온 물질의 원자를 포함하는 가스; 및 스퍼터링 이온 물질의 원자를 이온화 상태로 여기시키는 자극 메커니즘을 포함할 수 있고, 상기 이온화 상태는 제 2 물질을 스퍼터링하는 확률이 높고 제 1 물질을 스퍼터링하는 확률이 매우 낮은 선택된 에너지 피크 주위에서의 분포를 가지도록 선택된다. 자극 메커니즘은 RF 또는 마이크로웨이브 유도 메커니즘을 포함할 수 있다. 가스는 선택된 에너지 피크를 부분적으로 결정하는 압력으로 유지되고 자극 메커니즘은 제 2 물질의 플라즈마 찌꺼기 원자의 유입율과 같거나 초과하는 반사면으로부터 제 2 물질의 원자의 스퍼터 밀도를 생성하는 스퍼터링 이온 물질의 이온의 유입을 생성할 수 있다. 스퍼터링 율은 반사면의 소정의 원하는 수명에 대해 선택될 수 있다. 반사면은 캐핑될 수 있다. 콜렉터는 타원형 미러와 방사상으로 뻗어있는 채널을 포함할 수 있는 찌꺼기 실드를 포함할 수 있다. 제 1 물질은 몰리브덴, 제 2 물질은 리튬일 수 있고 이온 물질은 헬륨일 수 있다. 시스템은 반사면으로부터 제 2 물질을 증발시키기 위한 히터를 구비할 수 있다. 자극 메커니즘은 점화 시점사이에 반사면에 연결될 수 있다. 반사면은 장벽층을 구비할 수 있다. 콜렉터는, 반사기 쉘상의 다층 스택을 위한 층물질의 선택에 의해 스펙트럼 필터로서 기능할 수 있는, 입사 반사기 쉘의 스침각과 결합하여 구형 미러일 수 있다. 스퍼터링은 가열과 결합하게 될 수 있고, 후자는 리튬을 제거하고 전자는 리튬의 화합물을 제거하고, 스퍼터링은 여기된 가스 원자보다는 플라즈마내에서 생성된 이온에 의해 될 수 있다.

    ＥＵＶ광원용 콜렉터
    8.
    发明授权
    ＥＵＶ광원용 콜렉터 失效
    EUV光源收集器

    公开(公告)号：KR101118996B1

    公开(公告)日：2012-03-12

    申请号：KR1020117003417

    申请日：2004-04-07

    Applicant: 사이머 엘엘씨

    Inventor： 파틀로윌리엄엔. ,  알고츠제이.마틴 ,  블루멘스톡게리엠. ,  바우어링노버트 ,  어쇼브알렉산더아이. ,  포멘코프이고르브이. ,  판지아오지앙제이.

    IPC: H01S3/10

    CPC classification number: H05G2/001 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70916 ,  G21K1/062

    Abstract: 반사면을 포함할 수 있는 EUV광원내의 EUV콜렉터의 반사면으로부터 찌꺼기를 제거하기 위한 방법과 장치가 개시되고, 반사면은 제 1 물질을 포함하고 찌꺼기는 제 2 물질 및/또는 제 2 물질의 화합물을 포함하고, 본 시스템 및 방법은 제어된 스퍼터링 이온 소스를 포함할 수 있고, 상기 제어된 스퍼터링 이온 소스는 스퍼터링 이온 물질의 원자를 포함하는 가스; 및 스퍼터링 이온 물질의 원자를 이온화 상태로 여기시키는 자극 메커니즘을 포함할 수 있고, 상기 이온화 상태는 제 2 물질을 스퍼터링하는 확률이 높고 제 1 물질을 스퍼터링하는 확률이 매우 낮은 선택된 에너지 피크 주위에서의 분포를 가지도록 선택된다. 자극 메커니즘은 RF 또는 마이크로웨이브 유도 메커니즘을 포함할 수 있다. 가스는 선택된 에너지 피크를 부분적으로 결정하는 압력으로 유지되고 자극 메커니즘은 제 2 물질의 플라즈마 찌꺼기 원자의 유입율과 같거나 초과하는 반사면으로부터 제 2 물질의 원자의 스퍼터 밀도를 생성하는 스퍼터링 이온 물질의 이온의 유입을 생성할 수 있다. 스퍼터링 율은 반사면의 소정의 원하는 수명에 대해 선택될 수 있다. 반사면은 캐핑될 수 있다. 콜렉터는 타원형 미러와 방사상으로 뻗어있는 채널을 포함할 수 있는 찌꺼기 실드를 포함할 수 있다. 제 1 물질은 몰리브덴, 제 2 물질은 리튬일 수 있고 이온 물질은 헬륨일 수 있다. 시스템은 반사면으로부터 제 2 물질을 증발시키기 위한 히터를 구비할 수 있다. 자극 메커니즘은 점화 시점사이에 반사면에 연결될 수 있다. 반사면은 장벽층을 구비할 수 있다. 콜렉터는, 반사기 쉘상의 다층 스택을 위한 층물질의 선택에 의해 스펙트럼 필터로서 기능할 수 있는, 입사 반사기 쉘의 스침각과 결합하여 구형 미러일 수 있다. 스퍼터링은 가열과 결합하게 될 수 있고, 후자는 리튬을 제거하고 전자는 리튬의 화합물을 제거하고, 스퍼터링은 여기된 가스 원자보다는 플라즈마내에서 생성된 이온에 의해 될 수 있다.

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