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公开(公告)号：KR1020050097075A
公开(公告)日：2005-10-07
申请号：KR1020040021801
申请日：2004-03-30
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/22 , Y10S257/918
Abstract: 본 발명은 플립 칩 본딩 구조에서 빛이 방출되는 기판의 상하면에 각각 광경도를 바꿀 수 있는 패턴을 형성하여 계면에서의 전반사 특성을 감소시킴으로서 발광 효율을 개선한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 광원이 임계각내로 입사되도록 상하부면에 소정 형태의 요철이 형성되며, 질화갈륨계 반도체 물질을 성장시키기 위한 기판; 상기 기판의 일면상에 형성되는 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상의 일부 영역이 노출되도록 상기 n형 질화물 반도체층의 상부에 형성되는 활성층; 상기 활성층의 상부에 형성되는 p형 질화물 반도체층; 상기 p형 질화물 반도체층의 상부에 형성되는 p측 전극; 및, 상기 n형 질화물 반도체층의 노출된 일부 영역 상에 형성되는 n측 전극을 포함하여 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020050035565A
公开(公告)日：2005-04-19
申请号：KR1020030070984
申请日：2003-10-13
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/007 , C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L29/2003
Abstract: 본 발명은 Si 기판 상에 형성된 질화물 반도체 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되며 void를 함유한 중간층; 상기 중간층 상에 형성된 평탄화층; 및 상기 평탄화층 상에 형성된 질화물 반도체층;을 포함하는 질화물 반도체 및 그 제조 방법을 제공한다. 따라서, 내부의 결정 결함, 전위 또는 크랙의 발생을 크게 감소시킨 질화물 반도체를 저비용으로 대량 생산이 가능하다.
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公开(公告)号：KR100936002B1
公开(公告)日：2010-01-08
申请号：KR1020070128021
申请日：2007-12-11
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 발광소자용 반도체 기판이 개시된다. 본 발광소자용 반도체 기판은, 사파이어 기판 상에 형성된 제1 질화물 단결정층, 제1 질화물 단결정층 상에 형성되며 복수의 윈도우 영역을 포함하는 제1 절연층, 제1 절연층 상에 형성되며 하부면과 하부면의 면적보다 작은 면적의 상부면을 갖는 제2 질화물 단결정층, 제2 질화물 단결정층의 상부면에 형성된 제2 절연층, 및, 제2 질화물 단결정층의 측면 및 제2 절연층의 상부면 상에 형성된 제3 질화물 단결정층을 포함한다.
반도체 기판, 절연층, ELOG, 전위-
公开(公告)号：KR100936001B1
公开(公告)日：2010-01-08
申请号：KR1020070132481
申请日：2007-12-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/08
Abstract: 질화물 반도체 발광소자가 개시된다. 본 질화물 반도체 발광소자는, 질화물 단결정 성장용 기판 상에 형성된 제1 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 제1 파장을 갖는 제1 활성층, 제1 활성층 상에 형성되며 복수 개의 윈도우 영역을 갖는 절연층, 복수 개의 윈도우 영역을 통해 노출된 상기 제1 활성층 상에 복수 개로 형성되며 상부면이 평행한 피라미드 구조로 상기 제1 파장보다 큰 제2 파장을 갖는 제2 활성층 및 복수 개의 제2 활성층의 상부면에 형성된 복수 개의 제2 도전형 반도체층을 포함한다.
질화물 반도체 발광소자, 백색광, UV 파장, 형광체-
公开(公告)号：KR1020090065052A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132481
申请日：2007-12-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/08
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to enhance of efficiency of white light by increasing coupling capacity between light emitted through a second active layer and phosphors. A first conductive type semiconductor layer is formed on a nitride single crystalline growing substrate(121). A first active layer(123) is formed to radiate light of a first wavelength formed on the first conductive type semiconductor layer. The insulating layer is formed on the first active layer. The insulating layer has a plurality of window regions. A plurality of second active layers(125) are formed on the first active layer which is exposed through the window regions. The second active layer has a parallel pyramid structure including a parallel top surface in order to radiate the light of the second wavelength larger than the first wavelength. The second conductive semiconductor layers are formed on top surfaces of the second active layers.
Abstract translation: 提供了一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，其通过增加通过第二有源层发射的光和磷光体之间的耦合容量来提高白光的效率。 第一导电型半导体层形成在氮化物单晶生长衬底（121）上。 第一有源层（123）被形成为辐射形成在第一导电类型半导体层上的第一波长的光。 绝缘层形成在第一有源层上。 绝缘层具有多个窗口区域。 在通过窗口区域暴露的第一有源层上形成多个第二有源层（125）。 第二有源层具有包括平行顶表面的平行金字塔结构，以便辐射比第一波长大的第二波长的光。 第二导电半导体层形成在第二有源层的顶表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100896576B1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020060018445
申请日：2006-02-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 광추출 효율이 향상될 수 있도록 그 구조가 개선된 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법은 기판 상에 순차적으로 n-클래드층, 활성층 및 p-클래드층을 형성하는 단계, 상기 p-클래드층의 상면에 다수의 마스킹-도트들을 형성하는 단계, 상기 마스킹-도트들을 회피하여 상기 p-클래드층 상에 요철구조를 갖는 p-콘택트층을 형성하는 단계, 상기 p-콘택트층 상면의 일부영역으로부터 상기 n-클래드층의 소정 깊이까지 건식식각하여 상기 n-클래드층에 상기 p-콘택트층의 요철형상이 전사된 n-요철콘택트면을 형성하는 단계, 상기 n-요철콘택트면 상에 n-전극을 형성하는 단계 및 상기 p-콘택트층 상에 p-전극을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100682877B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050062926
申请日：2005-07-12
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0075
Abstract: 광추출 효율이 향상되도록 그 구조가 개선된 발광다이오드 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 발광다이오드는, 다수 돌출부를 구비하도록 기판 위에 형성되어 상기 돌출부에 의한 요철표면을 갖는 것으로 돌출부 측면이 상기 기판 상면에 대하여 제1 경사각(α, 35°≤α≤90°)만큼 기울어진 n-GaN층, 상기 n-GaN층 위에 그 윤곽(outline)을 따라 형성되는 것으로 상기 돌출부 측면 위에 상기 기판 상면에 대하여 제2 경사각(β, 35°≤β≤α)만큼 기울어진 경사면을 갖는 활성층, 상기 활성층 위에 그 윤곽을 따라 형성되는 것으로 상기 활성층의 경사면 위에 상기 기판 상면에 대하여 제3 경사각(γ, 20°≤γ
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公开(公告)号：KR100664980B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020040016473
申请日：2004-03-11
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/06 , H01L33/325
Abstract: 모노리식 백색발광소자에 관해 개시한다. 발광소자는 활성층에 서브밴드를 형성하는 실리콘 또는 희토류금속이 도핑되어 있다. 활성층은 하나 또는 둘이며, 둘인 경우에는 그 사이에 크래딩레이어가 개재된다. 이러한 발광구조에 의해 백색광의 반도체 발광이 가능해지고 따라서 형광체의 도움이 필수적이지 않다. 이러한 모노리식 백색발광소자는 제작이 용이하고 저렴하다. 또한 그 응용분야가 기존의 형광체 도움에 의한 백색광 발광소자에 비해 넓다.
모노리식, 백색광-
公开(公告)号：KR1020060078357A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020040117960
申请日：2004-12-31
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 본 발명은 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 반도체 발광 소자에 있어서, 반도체 발광 소자의 제조 방법에 있어서, (가) 기판 상에 제 1반도체층을 형성시키는 단계; (나) 상기 제 1반도체층 상에 물질층을 형성시키고, 열처리하여 상기 물질층의 물질을 상기 제 1반도체층 내에 침투시켜 상기 제 1반도체층을 요철 구조로 형성시키는 단계; 및 (다) 상기 제 1반도체층 상에 제 2반도체층을 형성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020060061568A
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020040100354
申请日：2004-12-02
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 이정욱
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 반도체 발광소자는 기판; 상기 기판 상에 마련되는 것으로 반도체 물질적층에 의한 적어도 2개의 발광셀; 상기 발광셀 사이에 순차적으로 적층된 반사층 및 투명절연층; 적어도 상기 발광셀을 덮는 투명 전극;을 구비하는 것을 특징으로 한다.
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