公开(公告)号：KR1020040043675A

公开(公告)日：2004-05-24

申请号：KR1020020072094

申请日：2002-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선민철 ,  구자흠 ,  김철성 ,  노관종 ,  김민주

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device by a nickel salicide process is provided to prevent silicide residue from being generated on a field region and a spacer by making a Ni-containing silicide metal layer capped with an N-rich titanium nitride layer. CONSTITUTION: A gate pattern(19) and a source/drain region(23) are formed on a silicon substrate(11). The Ni-containing silicide metal layer(25) is formed on the silicon substrate having the gate pattern and the source/drain region. The N-rich titanium nitride layer(27) is formed on the Ni-containing silicide metal layer. A heat treatment is performed on the silicon substrate including the Ni-containing silicide metal layer and the N-rich titanium nitride layer to form a nickel silicide layer on the gate pattern and the source/drain region. The Ni-containing silicide metal layer including unreacted nickel in a process for forming the nickel silicide layer and the N-rich nitride layer are selectively removed.

Abstract translation: 目的：提供一种通过镍硅化物工艺制造半导体器件的方法，以通过使含有N的氮化钛层覆盖的含Ni的硅化物金属层来防止在场区和间隔物上产生硅化物残留。 构成：在硅衬底（11）上形成栅极图案（19）和源极/漏极区域（23）。 在具有栅极图案和源极/漏极区域的硅衬底上形成含Ni的硅化物金属层（25）。 在含Ni的硅化物金属层上形成富N的氮化钛层（27）。 在包括含Ni的硅化物金属层和富N的氮化钛层的硅衬底上进行热处理，以在栅极图案和源极/漏极区上形成硅化镍层。 选择性地除去在形成硅化镍层和富N极氮化物层的工艺中包含未反应的镍的含Ni硅化物金属层。

公开(公告)号：KR102146244B1

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：KR1020130019508

申请日：2013-02-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이호영 ,  김민주 ,  문지영

IPC: H04B1/40 ,  G06F3/048

公开(公告)号：KR1020140105672A

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：KR1020130019417

申请日：2013-02-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김민주 ,  문지영 ,  김아영

IPC: H04B1/40

CPC classification number: H04M1/72519 ,  H04M2250/22

Abstract: A method for displaying images on a portable terminal comprises the steps of deciding images to make an album after searching images based on the information of the images; setting and displaying the information of the album when creating the album based on the properties of the images; and analyzing a subject to display the images when displaying the album, and positioning and displaying the images, centering the subject on a grid.

Abstract translation: 一种用于在便携式终端上显示图像的方法包括以下步骤：基于图像的信息，在搜索图像之后，确定图像以创建相册; 基于图像的属性创建相册时设置和显示相册的信息; 以及分析对象以在显示相册时显示图像，并且定位和显示图像，使被摄体居中在网格上。

公开(公告)号：KR3007015580000S

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：KR3020130009543

申请日：2013-02-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 문지영 ,  김민주 ,  종인원

公开(公告)号：KR101058026B1

公开(公告)日：2011-08-19

申请号：KR1020040095050

申请日：2004-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김민주 ,  고지현 ,  남연우

IPC: H04N5/225

Abstract: 본 발명에 따른 방법은, 프리뷰 모드에서 프리뷰 이미지를 갱신하여 디스플레이 패널로 표시하고, 촬영 모드에서 촬영 동작에 의하여 얻어진 사용자 파일들을 저장 매체에 저장하는 디지털 촬영 장치의 제어 방법으로서, 단계들 (a) 및 (b)를 포함한다. 단계 (a)에서는, 프리뷰 모드에서 갱신되는 프리뷰 이미지가 미리 설정된 시간 간격마다 프리뷰 이미지 저장소에 저장된다. 단계 (b)에서는, 프리뷰 이미지 저장소에 저장된 프리뷰 이미지들 중 사용자에 의해 선택된 하나 이상의 프리뷰 이미지들이 저장 매체에 저장된다.
디지털 카메라, 프리뷰 이미지

公开(公告)号：KR100870176B1

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：KR1020030042838

申请日：2003-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구자흠 ,  선민철 ,  노관종 ,  김민주

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 니켈 합금 샐리사이드 공정, 이를 사용하여 반도체소자를 제조하는 방법, 그에 의해 형성된 니켈 합금 실리사이드막 및 이를 사용하여 제조된 반도체소자를 제공한다. 상기 니켈 합금 샐리사이드 공정은 반도체기판 상에 적어도 한 종류의 첨가원소(at least one species of additive element)를 함유하는(containing) 니켈 합금막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 적어도 한 종류의 첨가원소의 함량(content)은 0.1 atomic％ 내지 10 atomic％이다. 이어서, 상기 니켈 합금막을 갖는 반도체기판을 열처리하여 상기 니켈 합금막 및 상기 반도체기판의 반응에 의해 생성된 니켈 합금 실리사이드막을 형성한다. 상기 니켈 합금 실리사이드막은 반도체기판의 표면 상에 차례로 적층된 하부 니켈 합금 실리사이드막 및 상부 니켈 합금 실리사이드막을 갖는다. 이 경우에, 상기 하부 니켈 합금 실리사이드막은 제1 함량(first content)을 갖는 적어도 한 종류의 첨가원소(at least one species of additive element)를 함유하고, 상기 상부 니켈 합금 실리사이드막은 상기 제1 함량보다 큰 제2 함량을 갖는 상기 적어도 한 종류의 첨가원소를 함유한다. 또한, 상기 상부 니켈 합금 실리사이드막은 상기 하부 니켈 합금 실리사이드막보다 얇다.

公开(公告)号：KR1020060083337A

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：KR1020050003844

申请日：2005-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김민주 ,  이종호 ,  한성기 ,  정형석

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/823842

Abstract: 듀얼 게이트 전극을 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 반도체 기판을 포함한다. 제1 게이트 절연막을 개재하여 제1 영역의 반도체 기판 상에 제1 게이트 전극이 배치된다. 제1 게이트 전극은 금속실리사이드막으로 이루어진다. 제2 게이트 절연막을 개재하여 제2 영역의 반도체 기판 상에 제2 게이트 전극이 배치된다. 제2 게이트 전극은 금속막으로 이루어진다. 제1 및 제2 게이트 전극들은 서로 동일한 금속 원소들을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020060005871A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：KR1020040054860

申请日：2004-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선민철 ,  구자흠 ,  정석우 ,  한성기 ,  김민주 ,  노관종

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/665

Abstract: 자기정렬 실리사이드층을 가지는 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이 소자는 기판에 형성되어 활성영역을 한정하는 소자분리막과 상기 활성영역 상부를 가로지르는 게이트 패턴을 포함한다. 상기 게이트 패턴의 양 측벽에 스페이서 절연막이 형성된다. 상기 게이트 패턴의 상부(upper portion)에 제 1 및 제 2 살리사이드층(salicide layer)가 형성되고, 상기 스페이서 절연막과 상기 소자분리막 사이의 활성영역에 각각 제 1 살리사이드층(salicide layer)이 형성된다. 상기 게이트 패턴 상부의 제 1 및 제 2 살리사이드층은 번갈아 서로 연결되어 형성된다. 폭이 좁은 게이트 패턴에 제 1 살리사이드층이 집괴되어 형성된 후 제 2 살리사이드층으로 패치하여 이어진 살리사이드층을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 提供了具有自对准硅化物层的半导体器件及其制造方法。 该器件包括形成在衬底上的隔离层并且限定穿过有源区的有源区和栅极图案。 间隔绝缘膜形成在栅极图案的两个侧壁上。 第一和第二金属硅化物层形成在栅极图案的上部上，并且第一金属硅化物层形成在间隔件绝缘膜和隔离膜之间的有源区上， 是的。 栅极图案上的第一和第二硅化物层交替地彼此连接。 可以通过在窄栅极图案中聚集第一硅化物层然后修补到第二硅化物层以形成硅化物层来形成硅化物层。

公开(公告)号：KR1020050036307A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：KR1020030071941

申请日：2003-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노관종 ,  구자흠 ,  선민철 ,  김민주

IPC: H01L21/24

Abstract: 니켈 실리사이드층의 형성방법을 제공한다. 이 방법은 먼저, 반도체기판의 활성영역 상에 게이트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 게이트 패턴의 측벽을 덮는 게이트 스페이서를 형성한다. 상기 게이트 패턴 및 게이트 스페이서를 갖는 상기 반도체기판 상의 전면에 콘포말한 니켈층을 형성한다. 상기 니켈층 상에 텅스텐 질화막 캐핑층을 형성하되 상기 텅스텐 질화막 캐핑층은 적어도 0.5의 N/W 조성비를 갖도록 형성한다. 상기 텅스텐질화막 캐핑층을 갖는 반도체기판을 열처리하여 상기 활성영역의 상부 및 상기 게이트 패턴 상부에 자기정렬된 실리사이드층을 형성한다. 상기 니켈층 중 반응하지 않은 잔존부분을 제거한다.

公开(公告)号：KR100480634B1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：KR1020020072094

申请日：2002-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선민철 ,  구자흠 ,  김철성 ,  노관종 ,  김민주

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

Abstract: 니켈 살리사이드 공정을 이용하여 반도체 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명은 실리콘 기판 상에 게이트 패턴 및 소오스/드레인 영역을 형성하는 것을 포함한다. 상기 게이트 패턴 및 소오스/드레인 영역이 형성된 실리콘 기판 상에 니켈이 포함된 실리사이드용 금속막을 형성한다. 상기 니켈이 포함된 실리사이드용 금속막 상에 후공정의 니켈 실리사이드막 형성시 실리사이드 레지듀 발생을 방지하기 위해 N-리치 티타늄 질화막을 형성한다. 상기 니켈이 포함된 실리사이드용 금속막 및 N-리치 티타늄 질화막이 형성된 실리콘 기판을 열처리하여 상기 게이트 패턴과 소오스/드레인 영역 상에 각각 니켈 실리사이드막을 형성한다. 상기 니켈 실리사이드막 형성시 반응하지 않은 니켈이 포함된 실리사이드용 금속막 및 N-리치 질화막을 선택적으로 제거한다. 이상과 같이 본 발명은 니켈이 포함된 실리사이드용 금속막 상에 N-리치 티타늄 질화막을 캡핑함으로써 필드 산화막과 같은 필드 영역의 표면과 스페이서의 표면에 실리사이드 레지듀(silicide residue)가 발생하지 않는다.