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公开(公告)号：KR1020070019454A
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050074449
申请日：2005-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1262 , G02F1/1368 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은 기판 상에 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 박막 트랜지스터 상에 보호막을 형성하는 단계와, 보호막 상에 박막 트랜지스터 영역에 위치하는 제1 영역 및 화소 영역에 위치하고 제1 영역보다 두께가 얇은 제2 영역을 포함하며, 컨택홀을 정의하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 보호막에 컨택홀을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴의 제2 영역을 선택적으로 제거하는 단계와, 결과물의 전면에 도전성 산화물을 증착하여, 컨택홀을 통하여 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계 및 제2 영역이 제거된 포토레지스트 패턴 및 포토레지스트 패턴 상에 존재하는 도전성 산� ��막을 포토레지스트 스트리퍼를 이용하여 제거하는 단계를 포함하되, 도전성 산화물을 증착하기 전 및/또는 후에 제2 영역이 제거된 포토레지스트 패턴을 열처리하는 단계를 포함한다.
박막 트랜지스터, 리프트 오프법, 액정 표시 장치-
公开(公告)号：KR1020060123996A
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020050045685
申请日：2005-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김주한
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/136286 , G02F2001/136231 , G02F2201/12 , H01L27/124
Abstract: A thin film transistor substrate, a method for manufacturing the same, and an LCD comprising the same are provided to widen the viewing angle and lower the driving voltage, by forming a pixel electrode and a common electrode to overlap each other above a single substrate. A gate line is formed on a substrate(110), wherein the gate line is composed of plural layers. A common electrode(131) is formed on the substrate, and formed of a transparent conductor. A gate insulating layer(140) is formed on the gate line and the common electrode. A semiconductor layer(151) is formed on the gate insulating layer. A data line(171) having a source electrode(173) and a drain electrode(175) facing the source electrode are formed on the semiconductor layer. A pixel electrode(191) is connected to the drain electrode, and overlaps the common electrode. The semiconductor layer, except a region between the source electrode and the drain electrode, has the same plane pattern as the data line and the drain electrode. At least one of plural layers of the gate line is formed of the same material as the common electrode.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管基板及其制造方法以及包括该薄膜晶体管基板的LCD，通过在单个基板上形成像素电极和公共电极以彼此重叠的方式来扩大视角并降低驱动电压。 栅极线形成在基板（110）上，其中栅极线由多层构成。 公共电极（131）形成在基板上，由透明导体形成。 栅极绝缘层（140）形成在栅极线和公共电极上。 在栅极绝缘层上形成半导体层（151）。 在半导体层上形成具有源电极（173）和面对源电极的漏电极（175）的数据线（171）。 像素电极（191）连接到漏电极，并与公共电极重叠。 除了源电极和漏电极之间的区域之外，半导体层具有与数据线和漏电极相同的平面图案。 栅极线的多层中的至少一层由与公共电极相同的材料形成。
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公开(公告)号：KR1020050098631A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：KR1020040024071
申请日：2004-04-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F2001/134345
Abstract: 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선, 게이트선과 데이터선이 교차하여 정의하는 각 화소 영역마다 형성되어 있는 제1 화소 전극, 게이트선, 데이터선 및 제1 화소 전극에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 각각 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 화소 영역마다 형성되어 있으며 드레인 전극에 연결되어 있는 제1 화소 전극, 드레인 전극에 연결된 결합 전극을 통하여 제1 화소 전극과 용량성으로 결합되어 있는 제2 화소 전극을 포함하는 액정 표시 장치를 마련한다. 이렇게 하면, 하측 계조 반전을 최소화할 수 있는 광시야각 액정 표시 장치를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070000637A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050056144
申请日：2005-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1262 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , H01L27/1218 , H01L27/1288
Abstract: A thin film transistor substrate and a method for manufacturing the same are provided to use no photo process for forming a contact hole, through which a pixel electrode is connected to a drain electrode, by connecting the pixel electrode and the drain electrode through irradiation of laser beam. A gate line having a gate electrode(124) is formed on a substrate(110). A semiconductor layer(154) is formed on the gate line. A data line(171) having a source electrode(173) and a drain electrode(175) are formed on the semiconductor layer. A passivation layer(180) is formed on the data line and the drain electrode. A pixel electrode(191) is formed on the passivation layer. A mask is aligned above the pixel electrode. The pixel electrode is connected to the drain electrode by irradiating laser beam.
Abstract translation: 提供了一种薄膜晶体管基板及其制造方法，用于不形成用于形成接触孔的光刻工艺，通过像素电极和漏电极通过激光的照射连接像素电极而连接到漏极电极 光束。 具有栅极（124）的栅极线形成在基板（110）上。 在栅极线上形成半导体层（154）。 在半导体层上形成具有源电极（173）和漏电极（175）的数据线（171）。 在数据线和漏电极上形成钝化层（180）。 像素电极（191）形成在钝化层上。 掩模在像素电极上方对准。 像素电极通过照射激光束与漏电极连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060084020A
公开(公告)日：2006-07-21
申请号：KR1020050004272
申请日：2005-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L29/66 , H01L27/32 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/786 , G02F1/133 , H01L27/3269 , H01L29/66583 , H01L29/78606
Abstract: 본 발명은 광마스크에 관한 것으로, 이 광마스크는 투과 영역과 반투과 영역을 포함하고, 상기 반투과 영역은 소정 면적을 갖고 소정 간격만큼 매트릭스 형태로 배열되어 있는 복수의 광차단부를 포함한다. 이때, 상기 복수의 광차단부 각각은 사각형 형상을 가진다. 상기 복수의 광차단부 각각의 면적은 가로 또는 세로 폭에 따라 정해진다.
박막트랜지스터표시판, 슬릿, 마스크, 언더컷, 감광막, 광마스크, 감광막두께-
公开(公告)号：KR1020060074734A
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1020040113849
申请日：2004-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295 , G02F2201/123
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 관한 것으로, 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 제1 절연막을 형성하는 단계, 상기 제1 절연막 위에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 위에 저항성 접촉 부재를 형성하는 단계, 상기 저항성 접촉 부재 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 데이터선 및 드레인 전극 위에 제2 절연막을 증착하는 단계, 상기 제2 절연막 위에 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 보호막과 상기 게이트 절연막을 식각함으로써 상기 드레인 전극의 적어도 일부와 상기 기판의 적어도 일부를 드러내는 보호막을 형성하는 단계, 투명 도전막을 증착하는 단계, 그리고 상기 제1 감광막 패턴을 제거하여 � �기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 화소 전극은 적어도 하나의 절개부를 가지고 있다.
박막트랜지스터표시판, PVA, 화소전극, 절개부, 슬릿마스크-
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公开(公告)号：KR101090252B1
公开(公告)日：2011-12-06
申请号：KR1020040077519
申请日：2004-09-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/12 , H01L29/458
Abstract: The present invention provides a thin film transistor array panel comprising: an insulating substrate; a gate line formed on the insulating substrate and having a gate electrode; a gate insulating layer formed on the gate line; a semiconductor formed on the gate insulating layer and overlapping the gate electrode; diffusion barriers formed on the semiconductor and containing nitrogen; a data line crossing the gate line and having a source electrode partially contacting the diffusion barriers; a drain electrode partially contacting the diffusion barriers and facing the source electrode on the gate electrode; and a pixel electrode electrically connected to the drain electrode.
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公开(公告)号：KR1020110117561A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020100037096
申请日：2010-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04B1/40 , G01B11/02 , H04M2203/1075
Abstract: 본 발명은 휴대용 단말기를 이용한 길이 측정 방법에 있어서, 상기 휴대용 단말기의 모드를 길이측정모드로 전환하는 길이측정모드 설정 과정과, 상기 휴대용 단말기의 이동시작 기준점을 설정하는 과정과, 실행 명령이 입력되면, 상기 휴대용 단말기에 장착된 센서를 이용하여 상기 휴대용 단말기의 이동을 감지하는 과정과, 상기 휴대용 단말기의 이동완료 기준점을 설정하는 과정과, 종료 명령이 입력되면, 상기 센서에 의해 감지된 상기 휴대용 단말기의 이동정보를 길이측정 데이터로 산출하는 과정과, 상기 산출된 데이터를 상기 휴대용 단말기의 표시부에 표시하는 과정을 포함함을 특징으로 한다.
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