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公开(公告)号：KR1020100119018A
公开(公告)日：2010-11-09
申请号：KR1020090037915
申请日：2009-04-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C12P7/10 , C08H8/00 , C12P2201/00 , C13K1/02 , Y02E50/16 , Y02E50/343 , Y02P30/20 , C08B1/08 , C10G3/00 , C12P7/04 , C12R1/865
Abstract: PURPOSE: A pretreatment method of a lignocellulose-based biomass is provided to obtain cellulose with high purity and hemicelluloses with the high yield, by extracting lignin first. CONSTITUTION: A pretreatment method of a lignocellulose-based biomass comprises the following steps: adding a solvent dissolving lignin to the lignocellulose-based biomass containing the lignin, hemicelluloses, and cellulose, to extract the lignin from the biomass(S1,S2); and adding an ionic solution to the biomass without the lignin, to extract the hemicelluloses and the cellulose(S3). The solvent dissolving the lignin is an alkaline solvent.
Abstract translation: 目的：提供木质纤维素基生物质的预处理方法，首先通过提取木质素，以高产率获得高纯度的纤维素和半纤维素。 构成：木质纤维素基生物质的预处理方法包括以下步骤：向含木质素，半纤维素和纤维素的木质纤维素基生物质中加入溶解木质素的溶剂，从生物质提取木质素（S1，S2）; 并将离子溶液加入到没有木质素的生物质中，以提取半纤维素和纤维素（S3）。 溶解木质素的溶剂是碱性溶剂。
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公开(公告)号：KR1020100048135A
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020080107160
申请日：2008-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A pretreatment apparatus for pretreating and transferring biomass is provided to prevent dilution of solvent and to enhance efficiency of pretreatment. CONSTITUTION: A pretreatment apparatus for pretreating and transferring biomass comprises: a transfer pipe(100) having a hollow; an injection(200) for inputting biomass, which is placed at one side of the transfer pipe; a screw(400) which is placed in the hollow of the transfer pipe and provides transfer driving force of biomass; and an outlet(300) which is placed at the other side of the transfer pipe and discharges biomass.
Abstract translation: 目的：提供预处理和转移生物质的预处理装置，以防止溶剂稀释，提高预处理效率。 构成：用于预处理和转移生物质的预处理装置包括：具有中空的输送管（100） 用于输入生物质的注入（200），其放置在所述输送管的一侧; 螺杆（400），其被放置在输送管的中空部分中并提供生物质的传递驱动力; 以及放置在输送管的另一侧并排出生物质的出口（300）。
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公开(公告)号：KR1020090128672A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：KR1020080054534
申请日：2008-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F9/441 , G06F9/32 , G06F15/7807 , G06F2213/0038
Abstract: PURPOSE: A device and a method for supporting a multi-booting mode are provided to realize fast operation of a chip by advancing boot in an optimal boot time state. CONSTITUTION: A first memory(105) stores a boot code, and supplementary information including boot code length information. An adaptive boot sequencer(120) obtains a boot code length by reading the supplementary information from a predetermined address of the first memory and copies the boot code from the first memory according to the boot code length. The adaptive boot sequencer stores the copied boot code to a second memory(115). A CPU(125) performs a booting operation of an SoC(System on a Chip)(100).
Abstract translation: 目的：提供一种用于支持多引导模式的设备和方法，以通过在最佳引导时间状态下启动引导来实现芯片的快速操作。 构成：第一存储器（105）存储引导代码，以及包括引导代码长度信息的补充信息。 自适应引导定序器（120）通过从第一存储器的预定地址读取补充信息来获得引导代码长度，并根据引导代码长度从第一存储器复制引导代码。 自适应引导定序器将复制的引导代码存储到第二存储器（115）。 CPU（125）执行SoC（片上系统）的引导操作（100）。
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公开(公告)号：KR1020090127056A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：KR1020090044070
申请日：2009-05-20
CPC classification number: H04L25/067 , H04L1/1812 , H04L27/0008 , H04L27/2604 , H04L27/3488
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for mapping symbol are provided to improve reception performance by using a different mapping method in retransmission from a mapping method in initial transmission. CONSTITUTION: In a device, transmitted-data is encoded and a plurality of information bits and bits are generated(S410). An information bit and redundancy bit are mapped to a symbol in initial transmission according to a first mapping method(S420). The information bit and redundancy bit are mapped to a symbol in retransmission according to a second mapping method(S450). The second mapping method is different from the first mapping method. The reliability of mapping bit through the first mapping method is different from that of the second mapping method.
Abstract translation: 目的：提供一种用于映射符号的装置和方法，以通过在初始传输中的映射方法中的重传中使用不同的映射方法来提高接收性能。 构成：在设备中，对发送数据进行编码，生成多个信息位和比特（S410）。 信息位和冗余位根据第一映射方法映射到初始传输中的符号（S420）。 根据第二映射方法，将信息位和冗余位映射到重传中的符号（S450）。 第二种映射方法与第一种映射方法不同。 通过第一种映射方法映射比特的可靠性与第二种映射方法不同。
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公开(公告)号：KR1020090067543A
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：KR1020070135234
申请日：2007-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L21/823443 , H01L21/82345 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L27/0617 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to enhance electrical performance thereof by using a metal gate electrode. A gate dielectric layer(110) is formed on a semiconductor substrate(100). A first metal layer is formed on the gate dielectric layer. The first metal layer is removed from a second device region and a fuse region. A first metal layer pattern(122a) is formed on the first device region. A second metal layer is formed on the semiconductor substrate including the first metal layer pattern. The second metal layer is removed from the first device region and the fuse region. A second metal layer pattern(124b) is formed on the second device region. A low resistance layer is formed on the semiconductor substrate including the gate dielectric layer. A gate electrode structure(120a,120b) and a fuse pattern(126c) are formed by patterning the low resistance layer.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法，以通过使用金属栅极电极来提高其电性能。 栅电介质层（110）形成在半导体衬底（100）上。 第一金属层形成在栅介质层上。 从第二器件区域和熔丝区域去除第一金属层。 在第一器件区域上形成第一金属层图案（122a）。 在包括第一金属层图案的半导体衬底上形成第二金属层。 从第一器件区域和熔丝区域去除第二金属层。 第二金属层图案（124b）形成在第二器件区域上。 在包括栅极介电层的半导体衬底上形成低电阻层。 通过对低电阻层进行构图来形成栅电极结构（120a，120b）和熔丝图案（126c）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080040206A
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：KR1020060107855
申请日：2006-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L21/76838 , H01L21/823437
Abstract: A non-volatile memory cell having a protrusion on a floating gate and a method for manufacturing the same are provided to generate a strong electric field from the end of the protrusion. A floating gate(120) is arranged on a semiconductor substrate(100). A control gate electrode(150a) is formed to cover the semiconductor substrate adjacent to the floating gate and at least a part of the floating gate. A tunnel insulating layer(140) is inserted between the floating gate and the control gate electrode. A protrusion(130) is protruded from a surface of the floating gate and is covered with the tunnel insulating layer. The protrusion is positioned in an overlapped region between the floating gate and the control gate electrode.
Abstract translation: 提供了一种在浮动栅极上具有突起的非易失性存储单元及其制造方法，以从突起的端部产生强电场。 浮置栅极（120）布置在半导体衬底（100）上。 形成控制栅电极（150a）以覆盖与浮置栅极和浮栅的至少一部分相邻的半导体衬底。 在浮栅和控制栅电极之间插入隧道绝缘层（140）。 突起（130）从浮动栅极的表面突出并被隧道绝缘层覆盖。 突起位于浮动栅极和控制栅电极之间的重叠区域中。
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公开(公告)号：KR100800467B1
公开(公告)日：2008-02-04
申请号：KR1020020000503
申请日：2002-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 셀렉트 게이트 전극의 선폭을 일정하게 할 수 있는 스플릿 게이트 플래쉬 메모리 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 반도체 기판 상부에, 플로팅 게이트 전극을 포함하는 한 쌍의 스페이서를 형성한다. 다음, 상기 스페이서 사이의 반도체 기판에 소오스 영역을 형성하고, 상기 스페이서 사이의 공간에 소오스 영역과 콘택되도록 소오스 라인을 형성한다. 그후, 상기 스페이서 및 소오스 라인을 포함하는 반도체 기판 상부에 게이트 산화막을 형성하고, 상기 게이트 산화막 상부에 셀렉트 게이트용 도전층을 형성한다. 상기 셀렉트 게이트용 도전층 상부에 반사 방지막을 형성하고, 상기 셀렉트 게이트용 도전층 상부에 실리콘 질화막을 증착한다. 그후, 상기 소오스 라인의 표면이 노출되도록 실리콘 질화막, 반사 방지막 및 셀렉트 게이트용 도전층을 화학적 기계적 연마하고, 상기 셀렉트 게이트용 도전층 양 측벽에 있는 반사 방지막을 선택적으로 제거한다. 이어서, 상기 반도체 기판 결과물을 열산화하여, 상기 셀렉트 게이트용 도전층의 측벽과 상부 표면 및 소오스 라인 표면에 산화막 패턴을 형성하고, 상기 산화막 패턴을 마스크로 하여, 상기 셀렉트 게이트용 도전층을 식각하여, 셀렉트 게이트 전극을 형성한다.
스플릿 게이트, 셀렉트 게이트, 반사 방지막-
公开(公告)号：KR100696374B1
公开(公告)日：2007-03-19
申请号：KR1020040080524
申请日：2004-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L29/7881 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42324
Abstract: 비휘발성 기억 소자 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 기판 상에 제1 절연막을 개재하여 배치된 제어 게이트 전극, 및 제어 게이트 전극 및 제1 절연막을 관통하여 기판을 노출시키는 홀 내에 배치된 플로팅 게이트를 포함한다. 플로팅 게이트와 기판 사이, 및 플로팅 게이트와 제어 게이트 전극 사이에 제2 절연막이 개재된다.
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公开(公告)号：KR100584411B1
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：KR1019990029833
申请日：1999-07-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/40
Abstract: 사용자의 선택에 따라 휴대폰에 장착된 렌즈 모듈의 렌즈 초점거리를 조절할 수 있는 휴대폰의 렌즈 모듈에 관한 것이다. 상기 휴대폰의 렌즈 모듈은 휴대폰의 기능과 카메라의 기능을 선택할 수 있는 휴대폰에 있어서, 상기 휴대폰 본체의 소정 위치에 일부 돌출되도록 장착되며 상기 휴대폰 본체에 장착된 상태에서 피사체의 상을 결상하는 렌즈를 포함하는 렌즈 모듈과, 상기 렌즈 모듈의 일단에 결합되어 상기 렌즈 모듈과 연동되며 상기 렌즈 모듈이 상기 휴대폰에 결합된 상태에서 상기 휴대폰 본체로부터 외부로 돌출되는 터치 패드와, 상기 터치 패드를 소정의 방향으로 회전시킴에 따라 상기 렌즈 모듈이 연동되어 렌즈의 초점거리가 가변된다.
휴대폰, 렌즈 모듈, 렌즈 높이 조절부,-
公开(公告)号：KR1020060036769A
公开(公告)日：2006-05-02
申请号：KR1020040085874
申请日：2004-10-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01Q1/243
Abstract: 제1 하우징과, 상기 제1 하우징 상에 슬라이딩 이동 가능하게 결합되는 제2 하우징을 포함하는 휴대용 단말기의 안테나 장치에 있어서, 상기 제2 하우징은 상기 제1 하우징을 감싸게 결합되고, 상기 안테나 장치는 상기 제2 하우징의 내주면에 설치되는 안테나 패턴; 및 상기 제1 하우징의 외주면 상에 설치되어 상기 안테나 패턴과 접속되는 적어도 하나 이상의 접속 단자를 포함하는 휴대용 단말기의 안테나 장치를 개시한다. 상기와 같이 구성된 휴대용 단말기의 안테나 장치는 안테나 장치의 구성이 단순하게 되어, 제품 제작이 용이하고 생산비용이 절감되는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 제1 하우징 상에 그라운드 단자를 더 설치함으로써, 제2 하우징의 슬라이딩 이동함에 따라 안테나의 동작 방식이 변경되어 양호한 송수신 감도를 확보할 수 있게 되었다.
안테나, 접속 단자, 역-에프 안테나, 모노폴 안테나, 루프 안테나Abstract translation: 1。一种用于便携式终端的天线装置，包括：第一壳体;以及第二壳体，所述第二壳体可滑动地联接到所述第一壳体，其中所述第二壳体被联接以包围所述第一壳体， 设置在第二壳体的内周表面上的天线图案; 并且至少一个连接端子设置在第一壳体的外周表面上并连接到天线图案。 如上配置的便携式终端的天线装置可以简化天线装置的结构，从而便于产品的生产并降低生产成本。 此外，安装通过将第一外壳上的接地端子，并且改变天线的行为，作为滑动移动的第二壳体能够获得令人满意的接收灵敏度。
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