公开(公告)号：KR1020090017746A

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：KR1020070082128

申请日：2007-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍종혁

IPC: G06F9/24 ,  G06F9/00

CPC classification number: G06F9/4401 ,  G06F12/0638 ,  G06F15/7807 ,  G06F2213/0038

Abstract: An apparatus for checking boot mode in booting system capable of reducing size of booting system and a method thereof are provided to minimize a system on chip. A master block(100) includes a system on chip control part(102) and a boot control part(104). The system on chip control part controls a whole operation of a booting system, and processes a booting method by searching a memory storing a boot code. The boot control part checks an outer device in which the boot code is prepared. A slave block(120) reads and writes data, and includes a plurality of IP groups. A system bus(110) connects the master block to the slave block. An inner memory connected to the system bus stores a boot code provided from an outer processor.

Abstract translation: 提供了一种用于检查引导系统中能够减小引导系统的大小的启动模式的装置及其方法，以使芯片上的系统最小化。 主块（100）包括片上控制部分（102）和引导控制部分（104）。 系统片上控制部分控制引导系统的整个操作，并且通过搜索存储引导代码的存储器来处理引导方法。 引导控制部分检查其中准备了引导代码的外部设备。 从块（120）读取和写入数据，并且包括多个IP组。 系统总线（110）将主块与从块相连。 连接到系统总线的内部存储器存储从外部处理器提供的引导代码。

公开(公告)号：KR1020010016659A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990031668

申请日：1999-08-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이곤섭 ,  박재근 ,  홍종혁

IPC: H01L21/60

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a perfect fully depletion(PFC) bonded wafer is provided to minimize a crystal originated particle(COP) and a large dislocation generated on a wafer while maintaining a uniform thickness of a surface silicon layer, by performing a rapid thermal process while forming a surface oxide layer. CONSTITUTION: A pure single crystal wafer having no vacancy and interstitial conglomeration is used as the first substrate(12), and an oxide layer(14) is grown on the first substrate by a thickness from 0.1 to 0.2 micrometer. The second substrate which is the same as the first substrate, is formed on the oxide layer. A heat treatment is performed in an N2 atmosphere at a temperature scope from 400 to 600 deg.C to carry out a wafer bonding. A surface silicon layer(16a) on the bonded wafer is ground to have a thickness of 10 micrometers. The surface silicon layer is polished to have a thickness of 1 micrometer or less. A thermal oxidation is performed regarding the polished wafer at a temperature of 1000 deg.C by a wet or dry oxidizing method so that a surface oxide layer(18) is formed on the surface silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造完全耗尽（PFC）接合晶片的方法，以通过执行快速热处理来保持晶面发生的颗粒（COP）和在晶片上产生的大的位错，同时保持表面硅层的均匀厚度 同时形成表面氧化物层。 构成：使用没有空位和间隙聚集的纯单晶晶片作为第一衬底（12），并且在第一衬底上生长厚度为0.1至0.2微米的氧化物层（14）。 与第一基板相同的第二基板形成在氧化物层上。 在N2气氛中在400〜600℃的温度范围内进行热处理，进行晶片接合。 接合的晶片上的表面硅层（16a）被研磨成具有10微米的厚度。 表面硅层被抛光以具有1微米或更小的厚度。 通过湿式或干式氧化法在1000℃的温度下对抛光的晶片进行热氧化，从而在表面硅层上形成表面氧化物层（18）。

公开(公告)号：KR1019980065917A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970001149

申请日：1997-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이곤섭 ,  박재근 ,  홍종혁 ,  조규철

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정이 진행된 웨이퍼 상에 발생된 디펙트를 용이하게 분석할 수 있는 반도체 웨이퍼 디펙트 분석방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체소자 제조공정이 진행되어 다층의 막질이 형성된 웨이퍼의 디펙트를 분석하는 반도체 웨이퍼 디펙트 분석방법에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 형성된 디펙트를 어드레스화하는 S2 단계, 상기 어드레스화된 디펙트 상에 형성된 보호막을 제거하는 S4 단계, 상기 어드레스화된 디펙트를 마킹하는 S6 단계, 상기 마킹된 상기 디펙트를 절단하여 시편을 제작하는 S8 단계 및 상기 시편을 투과전자현미경(TEM)으로 촬영하는 S10 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 분석공정에서의 디펙트의 분석결과의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980055058A

公开(公告)日：1998-09-25

申请号：KR1019960074264

申请日：1996-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이곤섭 ,  박재근 ,  홍종혁 ,  최수열

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 상에 형성된 디펙트의 갯수 및 형태를 분석할 수 있는 반도체 웨이퍼 상에 형성된 디펙트 분석방법에 관한 것이다.
본 발명은, 웨이퍼 상에 존재하는 파티클 및 크리스탈 디펙트의 갯수를 파티클카운터를 이용하여 카운트하는 단계, 상기 카운팅된 상기 파티클 및 크리스탈 디펙트의 위치를 좌표화하는 단계 및 상기 좌표를 기준으로 상기 웨이퍼를 원자현미경을 이용하여 스캐닝하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 파티클카운터 및 원자현미경을 이용하여 웨이퍼 상에 존재하는 리얼 파티클 및 크리스탈 디펙트의 형태를 용이하게 분석할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980055049A

公开(公告)日：1998-09-25

申请号：KR1019960074255

申请日：1996-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍종혁 ,  이곤섭 ,  최수열 ,  허태열

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 특정 반도체소자 제조공정이 진행된 웨이퍼 상에 형성된 파티클의 수를 용이하게 카운트할 수 있는 반도체 파티클 카운터를 이용한 파티클수 측정방법에 관한 것이다.
본 발명은, 파티클 카운터를 이용하여 웨이퍼 상에 형성된 파티클의 수를 카운트하는 반도체 파티클 카운터를 이용한 파티클수 측정방법에 있어서, 복수의 구간별로 나누어진 파티클의 크기 영역별로 파티클의 수를 측정하는 제 1 단계, 상기 파티클의 크기 영역과 상이한 또다른 복수의 구간별로 나누어진 파티클의 크기 영역별로 파티클의 수를 측정하는 제 2 단계, 상기 제 1 단계에서 측정된 파티클의 수에서 제 2 단계에서 측정된 파티클의 수를 감하는 제 3 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 개개의 COP 크기의 범위를 주어서 크기별 갯수 분포를 구할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020120040819A

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020100102270

申请日：2010-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박태홍 ,  윤지용 ,  이강민 ,  권윤주 ,  홍종혁

IPC: G06F1/32 ,  G06F1/08

CPC classification number: G06F1/324 ,  G06F1/3215 ,  G06F1/3228 ,  G06F1/3253 ,  Y02D10/126 ,  Y02D10/151 ,  G06F1/08

Abstract: PURPOSE: A dynamic clock control device in a digital system and a method thereof are provided to reduce the power consumption of system by changing the clock frequency. CONSTITUTION: An AFS(Adaptive Frequency Scaling) control unit(110) determines whether to change the clock frequency of CPU according to CPU operation information. The AFS control unit determines whether to change the clock frequency of bus operation information. A clock control unit(120) generates the clock frequency of the CPU and the bus according to determination of the AFS control unit. The AFS control unit requests the clock control unit to change the clock frequency of the CPU into equal to or greater than a first value.

Abstract translation: 目的：提供数字系统中的动态时钟控制装置及其方法，通过改变时钟频率来降低​​系统的功耗。 构成：AFS（自适应频率调整）控制单元（110）根据CPU操作信息确定是否改变CPU的时钟频率。 AFS控制单元确定是否改变总线操作信息的时钟频率。 时钟控制单元根据AFS控制单元的确定产生CPU和总线的时钟频率。 AFS控制单元请求时钟控制单元将CPU的时钟频率改变为等于或大于第一值。

公开(公告)号：KR1020090047608A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：KR1020070113528

申请日：2007-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤지용 ,  홍종혁

IPC: H03K17/22

CPC classification number: G06F1/24 ,  H03K17/22

Abstract: 본 발명은 시스템 온 칩에서 리셋 회로 장치 및 방법에 관한 것으로서, 외부의 리셋 핀을 통해 리셋 신호가 입력되는지 여부에 따라 제어 신호를 생성하는 슬립신호 생성부(sleep signal generator)와, 상기 슬립신호 생성부에서 생성된 제어 신호에 따라 온/오프(ON/OFF)되어 리셋 버퍼 체인부(reset buffer chain)로 전원을 공급 혹은 차단하는 슬립 트랜지스터(sleep transistor)와, 상기 슬립 트랜지스터에 의해 전원을 공급받아 상기 외부 리셋 핀을 통해 입력되는 리셋 신호를 리셋이 필요한 소자에 전달하는 복수의 버퍼들로 구성된 리셋 버퍼 체인부를 포함하여, 리셋 신호가 입력되지 않을 경우, 리셋 신호의 전달 경로에 연결된 수많은 버퍼에 전원이 공급되는 것을 차단함으로써, 기존의 리셋 동작을 그대로 사용하면서 상기 리셋 신호가 입력되지 않는 대부분의 시간 동안 상기 수많은 버퍼에서 발생되는 누설 전류로 인한 전력 소모를 제거할 수 있다.
리셋 회로, 전력소모, 파워 게이팅(power gating), 리셋 버퍼

公开(公告)号：KR1020070079718A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：KR1020060010574

申请日：2006-02-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍종혁

IPC: G06F13/28

Abstract: A method and a device for controlling a bus in a DMA controller are provided to efficiently use bus resources by enabling the DMA controller to support various bus occupation states. A control logic part(407) generates a control signal for permitting an external master to use the bus if DMA exclusively uses the bus. Each channel logic part(409,411) generates a signal for controlling occupation and non-occupation of the bus by receiving the control signal from the control logic part. An AHB(Advanced High-performance Bus) master(420) sets the occupation state of the bus based on the control signal received from the control logic part and the channel assigner. The AHB master comprises logic gates capable of determining the occupation state of the bus by receiving the control signals.

Abstract translation: 提供一种用于控制DMA控制器中的总线的方法和装置，以通过使得DMA控制器支持各种总线占用状态来有效地使用总线资源。 如果DMA专门使用总线，则控制逻辑部分（407）产生用于允许外部主机使用总线的控制信号。 每个通道逻辑部分（409,411）通过从控制逻辑部分接收控制信号来产生用于控制总线的占用和不占用的信号。 AHB（高级高性能总线）主机（420）根据从控制逻辑部分和信道分配器接收到的控制信号设置总线的占用状态。 AHB主机包括能够通过接收控制信号来确定总线的占用状态的逻辑门。

公开(公告)号：KR1020010016656A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990031665

申请日：1999-08-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조성훈 ,  홍종혁 ,  이곤섭 ,  박재근

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: An apparatus for analyzing a wafer defect is provided to reduce errors in analyzing a wafer defect, by measuring a bulk micro defect and electron life time in one equipment and without moving a wafer. CONSTITUTION: A wafer stage(10) has a fixing unit for fixing a wafer, and is capable of moving in x, y and z axes. A laser gun(22) for measuring a bulk micro defect irradiates a laser beam of 1.0 micrometer in wavelength toward the wafer set in the wafer stage, capable of moving forward and backward. A laser gun(24) for measuring life time irradiates a laser beam of 904 nanometer in wavelength toward the wafer set in the wafer stage. A camera(32) receives the laser beam for measuring the bulk micro defect reflected from a measuring point of the wafer and generates image data for the bulk micro defect analysis. A detector(34) receives the laser beam for measuring the life time permeating the measuring point of the wafer, and coverts the laser beam for the life time measurement to data of current value for measuring life time of electrons.

Abstract translation: 目的：提供用于分析晶片缺陷的装置，通过测量一个设备中的体微观缺陷和电子寿命并且不移动晶片来减少分析晶片缺陷的误差。 构成：晶片台（10）具有用于固定晶片的固定单元，并能够在x，y和z轴上移动。 用于测量体微小缺陷的激光枪（22）将朝向朝向和向后移动的晶片台上的晶片组的波长为1.0微米的激光束照射。 用于测量寿命的激光枪（24）将朝向晶片台上的晶片设置的波长为904纳米的激光束照射。 相机（32）接收用于测量从晶片的测量点反射的体微小缺陷的激光束，并生成用于大量微缺陷分析的图像数据。 检测器（34）接收用于测量渗透到晶片的测量点的寿命的激光束，并且将寿命测量中的激光束覆盖用于测量电子寿命的当前值的数据。

公开(公告)号：KR1020000065399A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990011632

申请日：1999-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재근 ,  이곤섭 ,  홍종혁 ,  조성훈

IPC: H01L21/208

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an ingot of a semiconductor device is provided to manufacture an ingot containing low density oxygen, by determining whether measurement values of an ingot grown at a changed crucible rotation speed corresponds to desired measurement values, and by suitably controlling the rotation speed according to the determination result. CONSTITUTION: Characteristic values of an ingot grown at an initial rotation speed of the crucible are measured. A temperature gradient of the ingot and a ratio of the crucible rotation speed to the temperature gradient are calculated. A crucible rotation speed is changed according to the temperature gradient of the ingot and the ratio of the crucible rotation speed to the temperature gradient. Characteristic values of the ingot grown at a changed crucible rotation speed are measured. Whether Characteristic values of the ingot grown at a changed crucible rotation speed and desired values correspond, is determined. When the characteristic values and the desired values correspond, the crucible rotation speed is established as the changed speed.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的锭的方法，通过确定在改变的坩埚转速下生长的锭的测量值是否对应于期望的测量值，并且通过适当地控制旋转来制造含有低密度氧的锭 速度根据测定结果。 组成：测量在坩埚的初始转速下生长的锭的特征值。 计算锭的温度梯度和坩埚转速与温度梯度的比率。 根据锭的温度梯度和坩埚转速与温度梯度的比例，改变坩埚转速。 测量在改变的坩埚转速下生长的锭的特征值。 确定在改变的坩埚旋转速度和期望值对应生长的锭的特征值是否对应。 当特征值和期望值对应时，坩埚转速被确定为改变的速度。