公开(公告)号：KR100145849B1

公开(公告)日：1998-10-01

申请号：KR1019950009656

申请日：1995-04-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종진 ,  문성호 ,  진종만

IPC: H05K3/00

Abstract: 본 발명은 연배열 인쇄회로기판을 절단시 라우터 지그를 교체하는 번거로움을 제거하기 위해, 홈이 형성된 제2홈 부분을 포함하는 제1지그와; 복수개의 돌출부를 포함하는 제2지그를 포함하는 것을 특징으로 하는 라우터 지그를 제공하므로서, 한쪽면 또는 양쪽면 라우터 지그의 교체 따른 시간의 낭비 및 작업성 저하 등으로 인한 공정중의 불가피한 손실을 방지하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980013572A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960028300

申请日：1996-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 진종만 ,  문성호 ,  박종진 ,  한성찬

IPC: H05K7/12

公开(公告)号：KR1019960040094A

公开(公告)日：1996-11-25

申请号：KR1019950009656

申请日：1995-04-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종진 ,  문성호 ,  진종만

IPC: H05K3/00

公开(公告)号：KR101445112B1

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：KR1020080040975

申请日：2008-05-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이선우 ,  문성호 ,  김동우 ,  김중현 ,  윤홍식

IPC: H01L21/28 ,  B82Y40/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

Abstract: 탄소나노튜브를 포함하는 배선 형성방법이 개시되어 있다. 상기 배선을 형성하기 위해 기판의 하부 배선 상에 촉매층을 형성한다. 이어서, 상기 촉매층 표면을 노출시키는 개구를 갖는 층간절연막을 형성한 후 개구 내에 탄소나노튜브 배선을 형성한다. 이어서, 상기 층간절연막 상에 상기 탄소나노튜브 배선과 전기적으로 연결되는 상부 배선을 형성한 후 상기 탄소나노튜브 배선과 상부 배선 사이에서 열적 스트레스를 발생시켜 상기 탄소나노튜브 배선 형성시 그 표면에 존재하는 자연 산화막을 절연 파괴시킨다. 그 결과 탄소나노튜브 배선과 상부 배선 사이에서 전기적 저항이 감소된 반도체 소자의 배선이 형성될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130006740A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020110022883

申请日：2011-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양승훈 ,  문성호 ,  김상훈 ,  박주윤

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/50 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F1/70 ,  G03F1/84 ,  H01L21/0274 ,  G03F1/50 ,  H01L21/0337 ,  H01L22/12

Abstract: PURPOSE: A method for estimating pattern a CD(critical dimension) and a method for forming a photo mask are provided to supply optical proximity effect correction modeling by estimating a CD size of a photoresist pattern before the shrinkage of the photoresist pattern. CONSTITUTION: A photomask with a pattern is prepared(S1). A photoresist pattern is formed using the photo mask. A CD(Critical Dimension) of the photoresist pattern is measured using an SEM(Scanning Electron Microscope)(S2). The CD size before the shrinkage of the photoresist pattern is estimated using the CD measured with SEM(S3). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1) Preparing a photomask with a pattern; (S2) Forming a photoresist pattern and measuring the CD of the photoresist pattern using an SEM; (S3) Estimating a CD before shrinkage by the SEM

Abstract translation: 目的：提供一种用于估计图案CD（临界尺寸）和形成光掩模的方法的方法，以通过在光致抗蚀剂图案的收缩之前估计光致抗蚀剂图案的CD尺寸来提供光学邻近效应校正建模。 构成：准备具有图案的光掩模（S1）。 使用光掩模形成光致抗蚀剂图案。 使用SEM（扫描电子显微镜）（S2）测量光致抗蚀剂图案的CD（临界尺寸）。 使用用SEM测量的CD估计光致抗蚀剂图案收缩之前的CD尺寸（S3）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1）准备具有图案的光掩模; （S2）使用SEM形成光致抗蚀剂图案并测量光致抗蚀剂图案的CD; （S3）通过SEM估计收缩前的CD

公开(公告)号：KR1020110024587A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：KR1020090082645

申请日：2009-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형희 ,  강율 ,  문성호 ,  오석환 ,  한소라 ,  최성운

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529 ,  H01L21/0271

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a high integrated device without investment in equipment by easily forming a fine pattern with a simple photolithography process. CONSTITUTION: A first mask pattern(115) is formed on a semiconductor substrate(100) with a preset space. A capping layer is formed on the side and upper side of the first mask pattern. A combination capping layer(135) ion-combined with the first mask pattern is formed by applying combination energy. A second mask layer(140) made of materials with lower solubility than the solubility of the combination capping layer is formed between the combination capping layers on the first mask. The second mask pattern is formed by removing the upper side of the second mask layer and the combination capping layer with a solvent.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过简单的光刻工艺容易地形成精细图案来制造高集成器件而无需投资设备。 构成：第一掩模图案（115）以预设空间形成在半导体衬底（100）上。 在第一掩模图案的侧面和上侧形成覆盖层。 通过施加组合能形成与第一掩模图案离子组合的组合覆盖层（135）。 在第一掩模上的组合覆盖层之间形成由比组合封盖层的溶解度低的溶解度的材料制成的第二掩模层（140）。 通过用溶剂去除第二掩模层的上侧和组合覆盖层来形成第二掩模图案。

公开(公告)号：KR1020090115247A

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：KR1020080040975

申请日：2008-05-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이선우 ,  문성호 ,  김동우 ,  김중현 ,  윤홍식

IPC: H01L21/28 ,  B82Y40/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for forming a wiring including a carbon nano tube is provided to break the insulation of a natural oxide film formed on a surface by generating thermal stress between the carbon nano tube and the upper wiring. CONSTITUTION: A catalyst layer is formed on a lower wiring(120) of a substrate(110). An interlayer dielectric layer(130) has an opening to expose the surface of the catalyst layer. A carbon nano tube wiring(150) is formed in the opening. An upper wiring(160) is formed on the interlayer dielectric layer and is electrically connected to the carbon nano tube. The thermal stress is generated between the carbon nano tube wiring and the upper wiring. The insulation of a natural oxide film(152) is broken down when forming the carbon nano tube wiring.

Abstract translation: 目的：提供一种形成包括碳纳米管的布线的方法，以通过在碳纳米管和上布线之间产生热应力来破坏形成在表面上的自然氧化膜的绝缘。 构成：催化剂层形成在基板（110）的下布线（120）上。 层间绝缘层（130）具有露出催化剂层表面的开口。 在开口中形成碳纳米管布线（150）。 上层布线（160）形成在层间绝缘层上并与碳纳米管电连接。 在碳纳米管布线和上布线之间产生热应力。 当形成碳纳米管布线时，天然氧化膜（152）的绝缘被分解。

公开(公告)号：KR100753192B1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：KR1020070047692

申请日：2007-05-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 곽용준 ,  이현우 ,  김정곤 ,  최성호 ,  이주호 ,  박수원 ,  성단근 ,  윤지영 ,  정재훈 ,  권재균 ,  문성호 ,  신강수

IPC: H04B7/26 ,  H04B7/155 ,  H04B7/02 ,  H04L5/22

Abstract: 본 발명은 이동 통신 시스템에서 이동 통신 시스템에서 이동국의 위치 측정 방법에 관한 것으로서, 다수의 섹터들을 가지는 영역 분할된 셀로 구성된 이동통신시스템에서 이동국 위치 측정 방법은, 상기 이동국에 대한 위치 측정 요구를 수신하는 과정과, 상기 이동국에 대한 위치 측정 요구를 수신함에 따라 상기 영역 분할된 셀을 구성하는 상기 다수의 섹터들 각각에 대해 동일 시점에서 하향 링크 파일롯 채널 신호 전송을 소정 기간 동안 중지하도록 하는 과정을 포함한다.
하향 링크 공용 물리 채널, 이동국 위치 측정, 안테나 빔 패턴, 지향성, 무지향성

Abstract translation: 1。一种用于测量移动通信系统中的移动通信系统中的移动台的位置的方法，所述方法包括：在包括分割成多个扇区的小区的移动通信系统中接收针对所述移动台的位置测量请求， 并且根据在预定时间段内接收到针对移动台的位置测量请求，停止在构成区域划分的小区的多个扇区中的每一个的相同时间点处发送下行链路导频信道信号 。

公开(公告)号：KR100735345B1

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：KR1020010048674

申请日：2001-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 곽용준 ,  이현우 ,  김정곤 ,  최성호 ,  권재균 ,  이주호 ,  문성호 ,  박수원 ,  성단근 ,  신강수 ,  윤지영 ,  정재훈

IPC: H04B7/155

Abstract: 본 발명은 이동 통신 시스템에서 하향 링크 공용 물리 채널 상태에 따라 안테나 빔 패턴을 할당하는 방법에 관한 것으로, 영역 분할 셀에 대한 통신 서비스를 수행하는 기지국이 상기 영역 분할 셀영역에 존재하는 이동국에 대해 하향 링크 공용 물리 채널 신호를 전송할 때 상기 하향 링크 공용 물리 채널 신호의 특성을 판단하여 상기 섹터 기반의 정보가 아닐 경우에는 무지향성 안테나 빔 패턴을 적용하여 전송하고, 상기 섹터 기반의 정보일 경우에는 지향성 안테나 빔 패턴을 적용하여 전송한다.

하향 링크 공용 물리 채널, 이동국 위치 측정, 안테나 빔 패턴, 지향성, 무지향성

公开(公告)号：KR100205126B1

公开(公告)日：1999-07-01

申请号：KR1019950068178

申请日：1995-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용현 ,  문성호 ,  박종진 ,  진종만

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 연배열된 메모리 모듈 인쇄회로기판을 장착하여 단품의 메모리 모듈로 절단 분리하기 위하여 사용하는 단품지그에 관한 것이다. 본 발명은, 고정핀 하부에 지그 상면보다 높은 핀테이블을 형성하여 조립된 메모리 모듈 인쇄회로기판의 기판면이 핀테이블에 접촉하게 함으로써 미조립 기판이나 조립된 기판이나 모두 핀테이블에 일정한 레벨로 얹힐 수 있고, 핀테이블의 형상에서 모서리 부위를 없애 핀테이블과 접촉되는 인쇄회로기판의 표면을 보호할 수 있는 단품지그를 제공하는 것이다. 본 발명은 단품지그의 상부에 인쇄회로기판을 수용하기 위하여 인쇄회로기판의 홀에 삽입되는 다수의 고정핀과, 상기 고정핀의 하부에 설치되어 인쇄회로기판의 높이를 일정 높이로 유지하기 위한 핀테이블을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 핀테이블은 그 측면이 둥글게 형성된다.