公开(公告)号：KR100219405B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019960009292

申请日：1996-03-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주 ,  김오수

IPC: H01L21/302

Abstract: 공정챔버 내부로 반응가스를 공급하는 플렉시블 가스라인을 용이하게 교체할 수 있는 갭 무빙 방식 플라즈마 설비의 가스라인에 관한 것이다.
본 발명은, 양극과 음극 사이의 이격거리가 조절됨에 의해서 굽힘 및 펴짐이 반복적으로 수행되고, 가스박스의 가스를 공정챔버 내부에 공급할 수 있도록 상기 공정챔버의 가스유입단부와 상기 가스박스의 가스공급단부에 접속점을 형성하며 연결되어 있는 플렉시블(Flexible) 가스라인을 구비하는 갭 무빙 방식 플라즈마 설비의 가스라인에 있어서, 상기 공정챔버의 가스유입부와 상기 가스박스의 가스공급단부에 각각 개폐용 밸브가 설치된 것을 특징으로 한다.
따라서, 플렉시블 가스라인의 교체시 대기 상태의 공기가 공정챔버 및 가스박스 방향으로 이동하는 것을 차단함으로서 공정챔버와 가스박스의 밸브 이전까지의 가스라인이 오염되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020170055261A

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：KR1020150158213

申请日：2015-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  도쿄 오카 고교 가부시키가이샤

Inventor： 박정주 ,  권승철 ,  김은성 ,  이경미 ,  이시용 ,  구로사와츠요시 ,  오모리카츠미 ,  마츠미야타수쿠

IPC: H01L21/027 ,  C08F212/08 ,  H01L21/02 ,  H01L51/00 ,  H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

CPC classification number: G03F7/165 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F20/28 ,  C08L53/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10844 ,  H01L28/00

Abstract: 패턴형성방법에있어서, 기판상에대상막을형성한다. 대상막상에가이드패턴들을형성한다. 소수성반복단위및 적어도 2개의히드록실기가결합된친수성말단기를포함하는제1 브러시폴리머, 및소수성반복단위및 히드록실기가결합된친수성랜덤반복단위를포함하는제2 브러시폴리머중 적어도하나를포함하는브러시폴리머를사용하여상기가이드패턴들의표면들을커버하는브러시막을형성한다. 브러시막 상에블록공중합체를사용하여자기정렬막을형성하여가이드패턴들주변에정렬되는블록들을형성한다. 블록들중 적어도일부를대상막에전사한다.

Abstract translation: 在图案形成方法中，在基板上形成目标膜。 在目标胶片上形成引导图案。 包括包含疏水性重复单元和至少两个第一刷状聚合物和疏水性重复单元和羟基的亲水性的无规重复单元的基团键合到羟基的第二刷状聚合物中的至少一个包括接合亲水端基团 形成覆盖引导图案表面的刷子膜。 使用刷膜上的嵌段共聚物形成自对准膜以形成围绕引导图案对齐的块。 至少有一些块被转移到目标胶片上。

公开(公告)号：KR1020110130257A

公开(公告)日：2011-12-05

申请号：KR1020100049813

申请日：2010-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박미라 ,  김경미 ,  박정주 ,  이보희 ,  김재호 ,  김영호

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/2008 ,  H01L21/0337

Abstract: PURPOSE: A method of forming a semiconductor device using a photolithography is provided to improve throughput by forming a much finer pattern using the same mask without an additional mask and reducing a setting time. CONSTITUTION: In a method of forming a semiconductor device using a photolithography, a reflection barrier layer and a first photoresist film are formed in the top of a substrate(S10). The first photoresist film is exposed to outside(S20). The first pattern including the first opening is formed by developing the first photoresist film(S30). The first pattern is plasma-processed(S40). A second photoresist film is formed in the first pattern(S50). The second photoresist film is exposed to outside(S60). A second pattern including the second opening is formed by developing the second photoresist film(S70).

Abstract translation: 目的：提供使用光刻法形成半导体器件的方法，以通过使用相同的掩模在不附加掩模的情况下形成更精细的图案来提高生产率，并减少凝固时间。 构成：在使用光刻法形成半导体器件的方法中，在衬底的顶部形成反射阻挡层和第一光致抗蚀剂膜（S10）。 第一光致抗蚀剂膜暴露于外部（S20）。 通过显影第一光致抗蚀剂膜形成包括第一开口的第一图案（S30）。 第一图案是等离子体处理的（S40）。 以第一图案形成第二光致抗蚀剂膜（S50）。 第二光致抗蚀剂膜暴露于外部（S60）。 通过显影第二光致抗蚀剂膜（S70）形成包括第二开口的第二图案。

公开(公告)号：KR1020040025480A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：KR1020020057457

申请日：2002-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device with a cylindrical capacitor is provided to improve capacitance by forming two cylindrical storage nodes to a single transistor. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(200) includes the first and second transistor(T1,T2). An interlayer dielectric(202) is formed on the substrate. Conductive plugs(210,220) are formed to connect drain regions of the first and second transistor through the interlayer dielectric. At least two cylindrical storage node electrodes(210',220') are connected with the conductive plugs(210,220), respectively. A dielectric film and a plate electrode are sequentially formed on the cylindrical storage node electrodes(210',220').

Abstract translation: 目的：提供具有圆柱形电容器的半导体存储器件，以通过将单个晶体管形成两个圆柱形存储节点来改善电容。 构成：半导体衬底（200）包括第一和第二晶体管（T1，T2）。 在基板上形成层间电介质（202）。 导电插塞（210,220）形成为通过层间电介质连接第一和第二晶体管的漏极区域。 至少两个圆柱形存储节点电极（210'，220'）分别与导电插头（210,220）连接。 在圆筒形存储节点电极（210'，220'）上依次形成电介质膜和平板电极。

公开(公告)号：KR1019990002290A

公开(公告)日：1999-01-15

申请号：KR1019970025855

申请日：1997-06-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이선훈 ,  박정주 ,  이영우

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명에 의한 반도체 소자 제조방법은, 반도체 기판 상에 도전성막을 형성하는 공정과, 상기 도전성막 상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막 상의 소정 부분에 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 도전성 건식 식각 설비 내에서 상기 절연막을 건식 식각하는 공정 및, 상기 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 상기 도전성 건식 식각 설비 내에서 상기 도전성막을 건식 식각하는 공정으로 이루어져, 1) 반도체 소자 제조시 소요되는 공정 시간을 단축할 수 있게 되어 생산성 향상을 기할 수 있게 되고, 2) 절연막 식각 공정 진행시 식각 설비 내로 공급되는 O
2 로 인해 폴리머 발생을 최대한 억제할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR2019970025801U

公开(公告)日：1997-06-20

申请号：KR2019950035608

申请日：1995-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주

IPC: H01L21/302

Abstract: 반도체소자제조에사용되는건식식각기에설치되는클램프가개시되어있다. 본고안은반도체소자제조용건식식각기의클램프에있어서, 웨이퍼를고정시킬때 웨이퍼와닿은클램프의접촉부를웨이퍼와닿는면적이넓어지도록웨이퍼평면과평행하게형성시킨것을특징으로한다. 따라서, 클램프의수명이연장되고공정상웨이퍼에대한손상을방지하는효과를가진다.