트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
    31.
    发明授权
    트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 有权
    晶体管制造方法及包括晶体管的电子器件

    公开(公告)号:KR101713994B1

    公开(公告)日:2017-03-09

    申请号:KR1020100138042

    申请日:2010-12-29

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L29/78693

    Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는채널층의백 채널영역(back channel region)에불소함유영역을구비할수 있다. 상기불소함유영역은불소를포함하는플라즈마로처리된영역일수 있다. 상기트랜지스터의소오스/드레인과채널층사이의계면영역은불소미함유영역일수 있다. 상기채널층은산화물반도체층일수 있다.

    Abstract translation: 晶体管包括设置在栅极上方并包括氧化物半导体的沟道层。 源电极接触沟道层的第一端部,漏电极与沟道层的第二端部接触。 沟道层还包括形成在源极和漏极之间的沟道层的上部的含氟区。

    박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
    33.
    发明公开
    박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 审中-实审
    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150079274A

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:KR1020130169391

    申请日:2013-12-31

    CPC classification number: H01L29/78696 H01L29/36

    Abstract: 박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는채널층이게이트전극과상대적으로가까운제 1영역과상대적으로거리가먼 제 2영역을포함할수 있으며, 채널층을구성하는물질중 적어도하나는제 1영역보다제 2영역에서의농도가더 클수 있다. 채널층은아연(Zn) 및불소(F)를포함할수 있으며, 제 2영역에서의불소의농도가제 1영역에서의불소의농도보다클 수있다.

    Abstract translation: 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。 所公开的薄膜晶体管包括其中沟道区域相对靠近栅电极的第一区域和沟道层相对于栅电极相对较远的第二区域。 形成沟道层的至少一种材料能够在第二区域中具有比在第一区域中更大的浓度。 通道层能够含有锌(Zn)和氟(F)。 第二区域的氟浓度能够比第一区域的氟浓度大。

    이중 채널층을 가진 박막 트랜지스터
    34.
    发明公开
    이중 채널층을 가진 박막 트랜지스터 审中-实审
    具有双通道层的薄膜晶体管

    公开(公告)号:KR1020150059681A

    公开(公告)日:2015-06-02

    申请号:KR1020130143061

    申请日:2013-11-22

    CPC classification number: H01L29/78696 H01L29/7869

    Abstract: 이중채널층을가진박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는게이트전극상의게이트절연층과, 상기게이트절연층상에순차적으로형성된제1 채널층및 제2 채널층을포함하는복수의채널층과, 상기복수의채널층각각의양단과접촉하게형성된소스전극및 드레인전극을포함한다. 상기제1 채널층은메탈옥사이드층이며, 상기제2 채널층은메탈옥시나이트라이드층이다.

    Abstract translation: 公开了一种包括双通道层的薄膜晶体管。 所公开的薄膜晶体管包括形成在栅电极上的栅极绝缘层,包括依次形成在栅绝缘层上的第一沟道层和第二沟道层的多个沟道层,以及源极和 漏电极,其与每个沟道层的两端接触。 第一沟道层是金属氧化物层。 第二沟道层是金属氮氧化物层。

    트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
    35.
    发明公开
    트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 审中-实审
    晶体管,其制造方法和包括晶体管的电子器件

    公开(公告)号:KR1020150025621A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:KR1020130103428

    申请日:2013-08-29

    Abstract: 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 다층 구조를 갖는 채널층을 포함할 수 있다. 상기 채널층은 제1 및 제2층을 포함할 수 있고, 상기 제1층이 제2층보다 게이트에 가까이 배치될 수 있다. 상기 제2층은 상기 제1층보다 높은 전기 저항을 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2층 중 적어도 하나는 아연(zinc), 산소(oxygen) 및 질소(nitrogen)를 포함하는 반도체 물질을 구비할 수 있다. 또는, 상기 제1 및 제2층 중 적어도 하나는 아연 플루오르나이트라이드(zinc fluoronitride)를 포함하는 반도체 물질을 구비할 수 있다. 상기 제2층의 산소 함유량은 상기 제1층의 산소 함유량보다 높을 수 있다. 상기 제2층의 불소 함유량은 상기 제1층의 불소 함유량보다 높을 수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种晶体管及其制造方法,以及包括晶体管的电子器件。 晶体管可以包括具有多层结构的沟道层。 沟道层可以包括第一层和第二层。 第一层可以比第二层更靠近栅极。 与第一层相比,第二层可具有更高的电阻。 第一层和第二层中的至少一层可以包括含有锌,氧和氮的半导体材料。 此外,第一层和第二层中的至少一个可以包括含有氟化氮锌的半导体材料。 第二层的氧含量可以高于第一层的氧含量。 第二层的氟含量可以高于第一层的氟含量。

    박막 트랜지스터 및 그 제조방법
    36.
    发明公开
    박막 트랜지스터 및 그 제조방법 审中-实审
    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150016789A

    公开(公告)日:2015-02-13

    申请号:KR1020130092667

    申请日:2013-08-05

    Abstract: 개시된 박막 트랜지스터는, 아연(zinc), 질소(nitrogen) 및 산소(oxygen)를 포함하는 채널층; 상기 채널층 상에 마련되며, 불소(fluorine)를 포함하는 식각 정지층; 상기 채널층의 양 측에 각각 접촉된 소스 및 드레인 전극; 상기 채널층에 대응하도록 구비된 게이트 전극; 및 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 구비된 게이트 절연층;을 포함한다.

    Abstract translation: 所公开的薄膜晶体管包括包含锌,氮和氧的沟道层,蚀刻停止层,其形成在沟道层上并且分别包括与沟道层的两侧接触的氟,源极和漏极 形成为对应于沟道层的栅极电极和形成在沟道层和栅电极之间的栅极绝缘层。

    징크 옥시나이트라이드 계의 다중 채널층을 가진 박막 트랜지스터
    37.
    发明公开
    징크 옥시나이트라이드 계의 다중 채널층을 가진 박막 트랜지스터 审中-实审
    具有多层氮氧化锌的薄膜晶体管

    公开(公告)号:KR1020150016034A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:KR1020130092247

    申请日:2013-08-02

    Abstract: 징크 옥시나이트라이드 계의 다중 채널층을 가진 박막 트랜지스터가 개시된다. 개시된 박막 트랜지스터는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상의 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 상에 순차적으로 형성된 하부 채널층 및 상부 채널층을 포함하는 징크 옥시나이트라계 채널층과, 상기 복수의 채널층 각각의 양단과 접촉하게 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
    상기 상부 채널층은 상기 하부 채널층 보다 전기적 저항성이 높으며,
    상기 상부 채널층은 상기 소스 전극과 접촉하는 제1영역과 상기 드레인 전극과 접촉하는 제2영역과 상기 제1영역 및 상기 제2영역 사이의 중간 영역을 포함하며, 상기 제1영역 및 상기 제2영역은 상기 중간 영역 보다 높은 캐리어 농도를 가진 영역이다.

    Abstract translation: 公开了具有氮氧化锌多通道层的薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括栅电极,栅电极上的栅极绝缘层,在栅极绝缘层上依次形成具有上沟道层和下沟道层的氧氮化锌沟道层,源电极和 分别接触通道层的两端的漏电极。 上通道层与下通道层相比具有较高的电阻。 上沟道层包括接触源极的第一区域,接触漏电极的第二区域和第一区域与第二区域之间的中间区域。 与中部地区相比,第一区域和第二区域的载流子浓度较高。

    원격으로 제어가능한 전자 장치 및 이를 포함한 시스템
    38.
    发明公开
    원격으로 제어가능한 전자 장치 및 이를 포함한 시스템 审中-实审
    远程可控电子设备,以及包括其的系统

    公开(公告)号:KR1020150011754A

    公开(公告)日:2015-02-02

    申请号:KR1020140061784

    申请日:2014-05-22

    CPC classification number: Y02D50/20 Y02D70/20 G06F1/3203 H04L67/36 H04Q9/00

    Abstract: 전자 장치가 개시된다. 본 전자 장치는, 전자 장치를 절전 상태로 전환하는 제어부, 및, 전자 장치가 절전 상태로 전환되면, 외부 컴퓨팅 장치와 네트워크 세션을 확립하는 통신 인터페이스부를 포함하고, 통신 인터페이스부는, 전자 장치가 절전 상태인 상태에서 외부 컴퓨팅 장치와 네트워크 세션을 유지하고, 유지된 네트워크 세션을 통하여 절전 상태를 벗어나도록 요청하는 신호를 수신하면, 전자 장치를 비절전 상태로 전환하도록 구성된다.

    Abstract translation: 公开了一种电子设备。 电子设备包括将电子设备切换到省电状态的控制单元和当电子设备切换到省电状态时与外部计算设备建立网络会话的通信接口单元,其中通信接口单元维护 当电子设备处于省电状态时与外部计算设备的网络会话,并且当通过维护的网络会话接收到请求退出节电状态的信号时,将电子设备切换到非节电状态。

    전자 장치, 원격 제어 장치, 구동 제어 방법 및 컴퓨터 판독가능 기록매체
    39.
    发明公开
    전자 장치, 원격 제어 장치, 구동 제어 방법 및 컴퓨터 판독가능 기록매체 无效
    电子装置,远程控制装置,其驱动方法和计算机可读记录介质

    公开(公告)号:KR1020150011737A

    公开(公告)日:2015-02-02

    申请号:KR1020130130970

    申请日:2013-10-31

    Abstract: 전자 장치가 개시된다. 본 전자 장치는, 전자 장치의 동작 모드를 절전 모드로 전환하는 제어부, 및, 전자 장치의 동작 모드가 절전 모드로 전환되면, 원격 제어 장치와 네트워크 세션을 확립하는 통신 인터페이스부를 포함하고, 원격 제어 장치와 네트워크 세션을 확립하는 통신 인터페이스부, 및, 네트워크 세션이 확립되면, 전자 장치의 동작 모드를 절전 모드로 전환하는 제어부를 포함하고, 통신 인터페이스부는, 전자 장치의 동작 모드가 절전 모드인 상태에서 원격 제어 장치와 네트워크 세션을 유지하고, 유지된 네트워크 세션을 통하여 웨이크-업 명령을 수신하면, 전자 장치의 동작 모드를 노멀 모드로 전환한다.

    Abstract translation: 公开了一种电子设备。 电子设备包括:控制单元,其将电子设备的操作模式切换到省电模式; 以及当电子设备的操作模式切换到省电模式时,与远程控制设备建立网络会话的通信接口单元。 当电子设备的操作模式是省电模式时,通信接口单元维护与远程控制设备的网络会话,并且当接收到唤醒命令时,将电子设备的操作模式切换到正常模式 从维护的网络会话。 根据本发明,即使在电子设备和遥控设备之间存在共享者,路由器,防火墙等时,遥控设备也可以容易地唤醒电子设备。

    통신 시스템에서의 전력 분배기/합성기
    40.
    发明授权
    통신 시스템에서의 전력 분배기/합성기 失效
    通信系统中的分频器/组合器

    公开(公告)号:KR100754635B1

    公开(公告)日:2007-09-05

    申请号:KR1020040061395

    申请日:2004-08-04

    CPC classification number: H01P5/16

    Abstract: 본 발명은 고주파 전력 분배기에 관한 것으로 하나의 입력단과 두개의 출력단들을 가지는 제1윌킨스 분배기와, 하나의 입력단과 두개의 출력단들을 가지며, 상기 출력단들 중 하나의 출력단에 상기 제1윌킨스 분배기의 두개의 출력단들 중 하나의 출력단이 연결되는 제2윌킨슨 분배기와, 하나의 입력단과 두개의 출력단들을 가지며, 상기 출력단들 중 하나의 출력단이 상기 제1윌킨슨 분배기에 구비된 나머지 하나의 출력단이 연결되고, 상기 출력단들 중 나머지 하나의 출력단이 상기 제2윌킨슨 분배기에 구비된 나머지 하나의 출력단에 연결되는 제3윌킨슨 분배기로 구성하여 다방향 2웨이 고주파 전력 분배기를 구현한다.

    윌킨슨 분배기, 다방향 N-way 전력 분배기, 무선랜, CSMA/CA

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