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公开(公告)号：KR1020040077000A
公开(公告)日：2004-09-04
申请号：KR1020030012360
申请日：2003-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/732 , B82Y10/00
Abstract: PURPOSE: A carbon nano-tube transistor having a buried gate structure and a fabricating method thereof are provided to apply effectively the gating electric field to a carbon nano-tube by forming a gate having a buried structure around the carbon nano-tube. CONSTITUTION: A carbon nano-tube transistor includes a carbon nano-tube(110), a source electrode(130) and a drain electrode(120) connected electrically to both ends of the carbon nano-tube, and a gate electrode(142) having an extension part. The extension part of the gate electrode is formed at a predetermined position apart from the carbon nano-tube. The carbon nano-tube and the extension part of the gate electrode are buried into an insulating layer. The insulating layer is formed with an anodic aluminum oxide.
Abstract translation: 目的：提供一种具有掩埋栅极结构的碳纳米管晶体管及其制造方法，通过在碳纳米管周围形成具有掩埋结构的栅极，有效地将施加电场施加于碳纳米管。 构成：碳纳米管晶体管包括与碳纳米管的两端电连接的碳纳米管（110），源极（130）和漏电极（120），以及栅电极（142） 具有延伸部分。 栅电极的延伸部分形成在与碳纳米管分开的预定位置处。 碳纳米管和栅电极的延伸部分被埋入绝缘层中。 绝缘层由阳极氧化铝形成。
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公开(公告)号：KR1020030097125A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：KR1020020034293
申请日：2002-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01G55/00 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/13 , C01P2004/64 , C30B25/00 , C30B29/605 , Y10S977/893
Abstract: PURPOSE: Provided is a method for making an inorganic nano-tube, which is applied to various inorganic nano-tubes, is compatible with other micro-processing techniques and produces a regular array of inorganic nano-tubes. CONSTITUTION: The method for making an inorganic nano-tube comprises the steps of: (a) preparing a template on which a carbon nano-tube or a carbon nano-tube array is formed; (b) performing the vacuum deposition of an inorganic material on the template by means of atomic layer deposition to form an inorganic nano-tube on the outer surface of the carbon nano-tube; and (c) removing the carbon nano-tube to obtain the inorganic nano-tube or inorganic nano-tube array by the interconnected inorganic nano-tubes. More particularly, the inorganic material in the step (b) is preferably ruthenium.
Abstract translation: 目的：提供一种应用于各种无机纳米管的无机纳米管的制备方法，与其他微加工技术相容，并产生规则的无机纳米管阵列。 构成：制备无机纳米管的方法包括以下步骤：（a）制备其上形成有碳纳米管或碳纳米管阵列的模板; （b）通过原子层沉积在模板上进行无机材料的真空沉积，以在碳纳米管的外表面上形成无机纳米管; 和（c）除去碳纳米管，通过互连的无机纳米管获得无机纳米管或无机纳米管阵列。 更具体地，步骤（b）中的无机材料优选为钌。
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公开(公告)号：KR101015507B1
公开(公告)日：2011-02-22
申请号：KR1020100006502
申请日：2010-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 탄소나노튜브를 이용한 반도체 소자의 배선 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 소자가 개시된다. 개시된 반도체 소자의 배선 형성 방법은, 반도체 소자의 전극의 표면을 전처리하여 활성화시키는 단계와, 전극 위에 절연층을 형성한 뒤 절연층에 전극의 활성화된 표면의 일부를 노출시키는 컨택홀을 형성하는 단계와, 컨택홀을 통해 전극의 활성화된 표면에 탄소가 함유된 가스를 주입하여 전극의 활성화된 표면으로부터 탄소나노튜브를 성장시켜 배선을 형성하는 단계를 구비한다. 한편, 전극의 표면을 활성화시키는 단계는 전극의 표면에 촉매금속층을 형성하는 단계로 대체될 수 있다. 이와 같은 배선 형성 방법에 의하면, 높은 전류밀도를 가지는 탄소나노튜브를 사용하여 반도체 소자의 배선을 형성할 수 있게 되어, 초고집적의 반도체 소자를 제조할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR101008026B1
公开(公告)日：2011-01-14
申请号：KR1020100066998
申请日：2010-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/732 , H01L29/78 , B82Y10/00
Abstract: 개시된 탄소나노튜브 트랜지스터는, 탄소나노튜브와, 이 탄소나노튜브의 길이방향의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극과, 탄소나노튜브로부터 상기 길이방향과 교차되는 옆쪽으로 이격되게 위치되어 탄소나노튜브의 길이방향으로 연장된 연장부를 갖는 게이트 전극을 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면, 게이트 전극에 인가되는 전압이 소스와 드레인 사이의 채널에 효율적으로 전달되므로 균일한 트랜지스터 특성을 갖는 수직 탄소나노튜브 트랜지스터의 구현이 가능하다.
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公开(公告)号：KR100988080B1
公开(公告)日：2010-10-18
申请号：KR1020030012360
申请日：2003-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/732 , B82Y10/00
Abstract: 개시된 탄소나노튜브 트랜지스터는, 탄소나노튜브와, 이 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극과, 탄소나노튜브로부터 이격되게 위치되어 탄소나노튜브의 길이방향으로 연장된 연장부를 갖는 게이트 전극을 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면, 게이트 전극에 인가되는 전압이 소스와 드레인 사이의 채널에 효율적으로 전달되므로 균일한 트랜지스터 특성을 갖는 수직 탄소나노튜브 트랜지스터의 구현이 가능하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100012894A
公开(公告)日：2010-02-08
申请号：KR1020100006502
申请日：2010-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/76877 , B82Y40/00 , H01L21/02527 , H01L21/02606 , H01L21/76876
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to manufacture a high integration semiconductor by forming a contact wiring connecting two electrodes with carbon nanotube. CONSTITUTION: A catalyst metal layer is formed on the surface of an electrode(120) of a semiconductor device. An insulating layer(130) is formed on the catalyst metal layer. A contact hole(132) exposing a part of the catalyst metal layer is formed. The gas including the carbon is implanted on the catalyst metal layer through a contact hole. The carbon nanotube(140) is grow up from catalyst metal layer and a wiring is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件，通过形成将两个电极与碳纳米管连接的接触布线来制造高集成半导体。 构成：在半导体器件的电极（120）的表面上形成催化剂金属层。 在催化剂金属层上形成绝缘层（130）。 形成暴露一部分催化剂金属层的接触孔（132）。 包含碳的气体通过接触孔注入到催化剂金属层上。 碳纳米管（140）从催化剂金属层生长并形成布线。
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公开(公告)号：KR1020090068687A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136399
申请日：2007-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/7839
Abstract: A method for manufacturing a schottky barrier transistor is provided to improve a scaling-down effect due to an alignment error by performing a mask process twice in a perpendicular direction. A pair of cavities and a channel forming part are formed on a substrate(200). The cavities are used for forming a source forming part and a drain forming part. A channel forming part having a shape of fin is formed between the cavities. The cavities are filled with a metal. A channel(210), a source(221), and a drain are formed by patterning the channel forming part, the source forming part, and the drain forming part in a perpendicular direction to the longitudinal direction of the channel forming part. A gate oxide layer for covering the source, the drain, and the channel forming part and a gate metal layer are sequentially formed on the substrate. A gate electrode is formed on the channel layer by patterning the gate metal layer. A schottky barrier is formed by processing thermally the substrate.
Abstract translation: 提供一种用于制造肖特基势垒晶体管的方法，通过在垂直方向上进行两次掩模处理来提高由于取向误差引起的缩小效果。 一对空腔和通道形成部分形成在基板（200）上。 这些空腔用于形成源极形成部分和漏极形成部分。 在空腔之间形成具有翅片形状的通道形成部件。 空腔填充有金属。 通道（221），源极（221）和漏极通过使沟道形成部分，源极形成部分和漏极形成部分沿与沟道形成部分的纵向方向垂直的方向图案化而形成。 用于覆盖源极，漏极和沟道形成部分的栅极氧化物层和栅极金属层依次形成在衬底上。 通过图案化栅极金属层，在沟道层上形成栅电极。 通过热处理衬底形成肖特基势垒。
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公开(公告)号：KR1020070071177A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020050134405
申请日：2005-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , B01J19/12 , B82B3/0009
Abstract: A process of manufacturing SWNT on a glass substrate is provided to produce and to grow the SWNT with high purity on the glass substrate at low temperature and to employ the produced SWNT in production of semiconductor and to display panel by depositing catalytic metals on the glass substrate pre-deposited with a buffer layer and feeding source gas to the glass substrate to grow the SWNT. The process comprises the steps of: depositing a buffer layer(6b) on a glass substrate(6); depositing catalyst metals(6c) on the glass substrate having the buffer layer; generating H2O plasma in a vacuum chamber(2) after introducing the catalyst metal deposited glass substrate into the vacuum chamber; and feeding source gas to the vacuum chamber to grow carbon nano-tubes(6d) on the glass substrate. The buffer layer is made of transparent and amorphous materials having relatively great negative value of heat of formation. The catalyst metal is at least one selected from a group consisting of Fe, Ni, Co and alloy thereof.
Abstract translation: 提供了在玻璃基板上制造SWNT的方法，以在低温下在玻璃基板上生产和生长具有高纯度的SWNT，并且在半导体制造中使用生产的SWNT并且通过在玻璃基板上沉积催化金属来显示面板 预先沉积有缓冲层并将原料气体供给玻璃基底以生长SWNT。 该方法包括以下步骤：在玻璃基板（6）上沉积缓冲层（6b）; 在具有缓冲层的玻璃衬底上沉积催化剂金属（6c）; 在将催化剂金属沉积的玻璃基板引入真空室之后，在真空室（2）中产生H 2 O等离子体; 并将原料气体供给到真空室中，以在玻璃基板上生长碳纳米管（6d）。 缓冲层由具有相对较大的形成负值的透明和无定形材料制成。 催化剂金属为选自Fe，Ni，Co及其合金中的至少一种。
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公开(公告)号：KR100682922B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050005813
申请日：2005-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00
Abstract: 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법이 개시된다.
개시되는 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 기판을 스캔하는 단계; 및 상기 스캔된 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다. 그리고, 또 다른 실시예에 따른 상기 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 기판을 패터닝하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 패터닝된 기판을 스캔하는 단계; 및 상기 스캔된 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법에 의하면, 나노 수준에서 기판의 미세 부위에 선택적으로 탄소나노튜브를 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 패턴을 용이하게 구현할 수 있는 장점이 있다. -
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