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公开(公告)号：KR100682922B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050005813
申请日：2005-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00
Abstract: 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법이 개시된다.
개시되는 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 기판을 스캔하는 단계; 및 상기 스캔된 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다. 그리고, 또 다른 실시예에 따른 상기 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 기판을 패터닝하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 패터닝된 기판을 스캔하는 단계; 및 상기 스캔된 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법에 의하면, 나노 수준에서 기판의 미세 부위에 선택적으로 탄소나노튜브를 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 패턴을 용이하게 구현할 수 있는 장점이 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060056460A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020040095548
申请日：2004-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , Y10S977/842
Abstract: 상온 및 상압에서의 단일벽 탄소나노튜브 합성 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 탄소나노튜브 합성에 촉매로써 작용하는 촉매입자가 함유된 유기 금속 화합물과 탄소 공급원을 포함하는 혼합액을 형성하는 제1 단계와, 표면상에서 상기 탄소나노튜브가 합성되는 지지체를 상기 혼합액에 첨가하는 제2 단계와, 상기 지지체가 첨가된 상기 혼합액에 초음파를 조사하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 합성 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100657913B1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020040095548
申请日：2004-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , Y10S977/842
Abstract: 상온 및 상압에서의 단일벽 탄소나노튜브 합성 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 탄소나노튜브 합성에 촉매로써 작용하는 촉매입자가 함유된 유기 금속 화합물과 탄소 공급원을 포함하는 혼합액을 형성하는 제1 단계와, 표면상에서 상기 탄소나노튜브가 합성되는 지지체를 상기 혼합액에 첨가하는 제2 단계와, 상기 지지체가 첨가된 상기 혼합액에 초음파를 조사하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 합성 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100695124B1
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020040012537
申请日：2004-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C30B29/602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C26/00 , C30B25/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 카본나노튜브의 수평성장방법이 개시된다. 개시된 카본나노튜브의 수평성장방법은, 기판 상에 알루미늄층을 증착하는 단계와, 상기 기판 상에 상기 알루미늄층을 덮는 절연층을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에서 상기 절연층 및 상기 알루미늄층을 패터닝하여 상기 기판 상에 상기 알루미늄층의 측면을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 알루미늄층의 측면으로부터 소정 깊이로 다수의 홀을 형성하는 단계와, 상기 홀의 바닥에 촉매금속층을 증착하는 단계와, 상기 촉매금속층으로부터 수평으로 카본나노튜브를 성장시키는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020060085300A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1020050005813
申请日：2005-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00
Abstract: 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법이 개시된다.
개시되는 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 기판을 스캔하는 단계; 및 상기 스캔된 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다. 그리고, 또 다른 실시예에 따른 상기 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 기판을 패터닝하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 패터닝된 기판을 스캔하는 단계; 및 상기 스캔된 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법에 의하면, 나노 수준에서 기판의 미세 부위에 선택적으로 탄소나노튜브를 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 패턴을 용이하게 구현할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020050086161A
公开(公告)日：2005-08-30
申请号：KR1020040012537
申请日：2004-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C30B29/602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C26/00 , C30B25/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 카본나노튜브의 수평성장방법이 개시된다. 개시된 카본나노튜브의 수평성장방법은, 기판 상에 알루미늄층을 증착하는 단계와, 상기 기판 상에 상기 알루미늄층을 덮는 절연층을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에서 상기 절연층 및 상기 알루미늄층을 패터닝하여 상기 기판 상에 상기 알루미늄층의 측면을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 알루미늄층의 측면으로부터 소정 깊이로 다수의 홀을 형성하는 단계와, 상기 홀의 바닥에 촉매금속층을 증착하는 단계와, 상기 촉매금속층으로부터 수평으로 카본나노튜브를 성장시키는 단계를 포함한다.
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