公开(公告)号：KR1020170022762A

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：KR1020150118174

申请日：2015-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유재성 ,  박상욱 ,  백호선 ,  우광복 ,  이준범

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 제1 및제2 리드들및 상기제1 및제2 리드들상의몰딩층을가진리드프레임, 상기몰딩층은상기제1 및제2 리드들의일부들을노출하는제1 홀을갖고, 상기제1 홀내에노출된상기리드들상에배치된세라믹기판, 상기세라믹기판은하면상에상기제1 및제2 리드들과각각전기적으로연결되는제1 및제2 하부전극배선들및 상면상에상기제1 및제2 하부전극배선들과전기적으로연결되는제1 및제2 상부전극배선들을갖고, 상기세라믹기판상에상기제1 및제2 상부전극배선들과전기적으로연결되도록플립칩 본딩방법으로배치된 LED 칩, 및상기 LED 칩상의형광층을포함하는 LED 패키지가설명된다.

公开(公告)号：KR101234783B1

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020060065861

申请日：2006-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 사공탄 ,  손중곤 ,  백호선 ,  이성남

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 광출력 성능이 향상될 수 있도록 그 구조가 개선된 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자는, 기판 위에 순차로 적층된 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하고, 상기 활성층은, 상기 n형 반도체층 상에 In
x Ga
(1-x) N(0.01≤x≤0.05)으로 형성된 제1 장벽층, 상기 제1 장벽층 상에 N원소 및 Si원소 중 적어도 하나를 포함하는 결함억제제가 도핑된 In
y Ga
(1-y) N(0≤y z Ga
(1-z) N(0.25≤z≤0.35)으로 형성된 양자우물층, 상기 양자우물층 상에 N원소 및 Si원소 중 적어도 하나를 포함하는 결함억제제가 도핑된 In
y Ga
(1-y) N(0≤y x Ga
(1-x) N(0.01≤x≤0.05)으로 형성된 제2 장벽층을 포함한다.

公开(公告)号：KR101203692B1

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020060015154

申请日：2006-02-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백호선 ,  장태훈 ,  성연준 ,  사공탄 ,  양민호

IPC: H01L21/20 ,  H01S3/0941

CPC classification number: C30B7/005 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265

Abstract: 본 발명은 펜데오 에피탁시 성장용 기판 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 기판, 상기 기판 상에 제 1방향으로 형성된 다수의 펜데오 에피탁시 성장을 위한 패턴 영역; 및 상기 다수의 패턴 영역들과 접촉하며 상기 기판 상에 제 2방향으로 형성된 장벽층;을 포함하는 펜데오 에피탁시 성장용 기판을 제공한다. 따라서, 펜데오 에피탁시 공정에서 에어 갭의 존재에 의해 발생할 수 있는 오염 및 소자의 불량 현장을 방지하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020110130847A

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：KR1020100050374

申请日：2010-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김학환 ,  백호선 ,  오승경 ,  김형근

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing lens for an LED package is provided to obtain a plurality of LED packages at the same time by manufacturing lens and cutting it into a unit. CONSTITUTION: In a method of manufacturing lens for an LED package, a wafer(10) for the LED package having a plurality of LED element areas is provided. The wafer for the LED package comprises a semiconductor wafer(12) and a bonding substrate(11). A mold(16) has a concave part(16a) corresponding to the shape of a lens to be formed in each LED element area. A release film(14) having unevenness pattern is arranged in the concave part of the mold. An unevenness pattern(14a) is formed in the surface of the molded lens.

Abstract translation: 目的：提供一种制造用于LED封装的透镜的方法，以通过制造透镜并将其切割成一个单元同时获得多个LED封装。 构成：在制造用于LED封装的透镜的方法中，提供了具有多个LED元件区域的用于LED封装的晶片（10）。 用于LED封装的晶片包括半导体晶片（12）和接合衬底（11）。 模具（16）具有与要形成在每个LED元件区域中的透镜的形状相对应的凹部（16a）。 具有凹凸图案的剥离膜（14）设置在模具的凹部中。 在模制透镜的表面中形成凹凸图案（14a）。

公开(公告)号：KR1020110101940A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：KR1020100021329

申请日：2010-03-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김학환 ,  백호선 ,  김형근

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012

Abstract: 분리된 두 개의 금속판을 전기적으로 절연시키면서 두 개의 금속판이 분리되지 않을 수 있는 발광다이오드 패키지가 개시된다.
상기한 발광다이오드 패키지는 제1 금속판과, 제2 금속판과, 상기 제1,2 금속판 중 적어도 어느 하나에 실장되며 상기 제1,2 금속판에 전기적으로 연결되는 발광다이오드, 및 상기 제1,2 금속판을 전기적으로 절연시키면서 상기 제1,2 금속판과 소결공정 또는 메탈라이징에 의해 결합되는 세라믹 재질로 이루어진 절연결합체를 포함한다.
이러한 발광다이오드 패키지에 의하면, 소결공정 또는 메탈라이징에 의해 제1,2 금속판과 겹합되는 세라믹 재질로 이루어진 절연결합체를 통해 분리된 제1,2 금속판을 전기적으로 절연시키면서 제1,2 금속판이 분리되지 않도록 결합될 수 있다.

公开(公告)号：KR100837404B1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：KR1020060101579

申请日：2006-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손중곤 ,  유한열 ,  사공탄 ,  백호선 ,  이성남

IPC: H01L31/02

CPC classification number: H01L33/02 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/34333

Abstract: 고효율의 반도체 광전소자에 관해 개시된다.
개시된 반도체 광전소자는: 양자우물과 장벽 층으로 이루어진 활성 층과; 상기 활성 층 상하에 형성된 상부 및 하부 웨이브가이드 층; 상기 상부 및 하부 웨이브가이드 층 위 아래에 각각 형성된 상부 및 하부크래드 층; 및 상기 적 층을 지지하는 기판을 구비하고, 상기 활성 층 및 상하부 웨이브가이드 층 사이에 마련되는 것으로 상부 웨이브가이드 층에 비해 에너지 갭이 작고 상기 장벽 층에 비해서는 같거나 큰 에너지 갭을 가지는 상부 광제한 층(optical confinement layer, OCL); 및 하부 웨이브가이드 층에 비해 에너지 갭이 작고 상기 장벽 층에 비해서는 같거나 작은 에너지 갭을 가지는 하부 광제한 층이 마련되어 있는 구조를 가진다. 이러한 본 발명에 따르면, 내부손실이 감소하고 광제한 인자가 증가하여 문턱 이득 값을 크게 감소시킬 수 있다. 또한 파장변화(Blue shift)가 적은 양질의 장파장 LD를 얻을 수 있다.
광제한 층, 광제한팩터, 반도체, 광전소자

公开(公告)号：KR100773559B1

公开(公告)日：2007-11-05

申请号：KR1020060102046

申请日：2006-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백호선 ,  사공탄 ,  손중곤 ,  이성남

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/02

Abstract: 표면형상(surface morphology) 특성이 개선되도록 그 구조가 개선된 반도체 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 반도체 소자는, r-면 사파이어 기판 상에 질소(N
2 )를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 에피텍셜 성장된 Al
x Ga
(1-x) N(0≤x

公开(公告)号：KR1020070080984A

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：KR1020060012602

申请日：2006-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손중곤 ,  장태훈 ,  성연준 ,  사공탄 ,  백호선 ,  이성남

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: A laser diode having a ridge unit is provided to reduce an injection resistance by injecting a current into both side surfaces of the ridge unit and to discharge heat by forming an upper electrode made of metal on both side surfaces of the ridge unit. A laser diode having a ridge unit(165) includes an upper multi semiconductor layer(160). The upper multi semiconductor layer(160) is sectioned to first, second, and third regions(R1,R2,R3). The first region(R1) is a stripe type middle region of the upper multi semiconductor layer(160) and forms the ridge unit(165) through the protrusion. The upper multi semiconductor layer(160) includes an upper waveguide layer(170) and an upper clad layer(180). Some of the upper waveguide layer(170) and the upper clad layer(180) are formed on the ridge unit(165). An electron blocking layer(171) is intervened on the upper waveguide layer(170) for preventing overflow of electrons. An upper contact layer(190) and an upper electrode(200) cover some of a side part(165b) of the ridge unit(165) for injecting current through the side part of the ridge unit(165).

Abstract translation: 提供具有脊单元的激光二极管，以通过在脊单元的两个侧表面注入电流来降低注入电阻，并且通过在脊单元的两个侧表面上形成由金属制成的上电极来放电。 具有脊单元（165）的激光二极管包括上多层半导体层（160）。 上多层半导体层（160）被分割成第一，第二和第三区域（R1，R2，R3）。 第一区域（R1）是上多层半导体层（160）的条状中间区域，并且通过突起形成脊单元（165）。 上多层半导体层（160）包括上波导层（170）和上覆层（180）。 一部分上波导层（170）和上覆层（180）形成在脊单元（165）上。 电子阻挡层（171）介于上波导层（170）上，用于防止电子溢出。 上接触层（190）和上电极（200）覆盖脊单元（165）的一些侧部（165b），用于通过脊单​​元（165）的侧部分注入电流。

公开(公告)号：KR1020070053103A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020060102046

申请日：2006-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백호선 ,  사공탄 ,  손중곤 ,  이성남

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/02

Abstract: 표면형상(surface morphology) 특성이 개선되도록 그 구조가 개선된 반도체 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 반도체 소자는, r-면 사파이어 기판 상에 질소(N
2 )를 포함하는 가스분위기 및 900℃ 내지 1100℃의 온도범위에서 100Å 내지 20000Å 범위의 두께로 에피텍셜 성장된 Al
x Ga
(1-x) N(0≤x

公开(公告)号：KR100707187B1

公开(公告)日：2007-04-13

申请号：KR1020050033197

申请日：2005-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성남 ,  백호선 ,  손중곤 ,  사공탄

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/045 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333

Abstract: 기판 위에 성장되는 박막의 표면특성이 향상되도록 구조가 개선된 질화갈륨계 화합물 반도체 소자가 개시된다. 본 발명에 따른 질화갈륨계 화합물 반도체 소자는 (0001)면에 대하여 소정방향으로 그 표면이 0°보다 크고 1°보다 작은 경사각(off angle) 만큼 기울어진 Al
x In
y Ga
1-xy N 기판(0≤x≤1, 0≤y≤1, 그리고 0≤x+y≤1) 및 상기 기판의 표면 상에 성장된 질화갈륨계 화합물 반도체층을 포함한다.