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公开(公告)号：KR1019990033811A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970055245
申请日：1997-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04R17/02
Abstract: 본 발명은 초소형 정밀가공기술을 이용하여 각 음파방사판 픽셀들을 격자형태로 원하는 갯수만큼 실리콘웨이퍼상에 한꺼번에 형성한 초소형의 판형 초음파 트랜스듀서에 관한 것으로, 전기적으로 그라운드가 되어 있고, 상면부에 차단층이 형성된 실리콘웨이퍼; 상기 실리콘웨이퍼상에 형성된 차단층위에 구성되어 음의 바이어스전압이 인가되는 음전극들; 상기 음전극들에 각각 수직입설형성되어 있으며, 상단부에 파지편이 구비되어 있는 지지봉들; 상기 지지봉들의 상단에 상기 실리콘웨이퍼와 평행하게 소정간격 이격되어 지지되어 있는 음파방사판; 상기 파지편과 음파방사판 사이에 연결되어 상기 음파방사판이 진동할 수 있도록 상기 음파방사판의 모서리를 파지고정하고 있는 탄성체들; 및 상기 음파방사판과 대향하는 상기 실리콘웨이퍼의 차단층상에 형성돼 재생시키고자 하는 초음파신호가 인가되면, 음의 바이어스전압이 걸린 음파방사판과의 정전력에 의해 상기 음파방사판을 진동시키는 양전극층을 포함하며, 이상과 같은 구조를 갖는 본 발명의 초음파 트랜스듀서는 반도체공정에서 이미 보편화돼 널리 사용되고 있는 초소형 정밀가공기술을 이용하여 각 음파방사판 픽셀들을 격자형태로 원하는 갯수만큼 실리콘웨이퍼상에 한꺼번에 형성하므로 판형구조로 초소형화할 수 있어 스피커의 박형소형화를 이룩할 수 있게 하는 첨단의 기술이다.
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公开(公告)号：KR1019980067405A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970003416
申请日：1997-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 신형재
IPC: H04N5/72
Abstract: 본 발명은 투사방식의 영상재생장치에 구성되어 광원으로부터 투사되는 광의 경로를 변환하기 위한 미소거울 구동장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 미소거울 구동장치는 전극과 좌우 비대칭인 미소거울을 구비하여, 정전기력과 중력에 의한 복원모멘트를 이용함으로써 미소거울을 소정각도로 이동시켜 입사되는 광을 원하는 각도로 절곡하여 변환할 수 있게 구성한다. 따라서, 힌지 스프링이 결합된 종래의 미소거울장치에 비해 그 구조가 간단하고, 계속 사용하여도 열화로 인한 파괴 및 기능저하의 문제점이 없을 뿐만아니라, 그 제조방법에 있어서도 간편해지는 장점이 있다. 게다가, 미소거울 또한 비교적 간단한 구조로 제작됨에도 불구하고 종전과 거의 동일한 높은 광효율을 갖는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR101630759B1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：KR1020100127871
申请日：2010-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: A61B8/44 , A61B8/14 , A61B8/4477 , A61B8/4483 , B06B1/02 , B06B1/0292 , B06B3/00 , G01S15/8906 , H01L41/00
Abstract: 개시된초음파변환기의셀은기판과지지부와각각이격되어마련된박막과지지부와박막을연결하는연결부를포함할수 있으며, 연결부는탄성변형되는변형부를포함할수 있다. 그리고, 개시된초음파변환기의채널은복수개의초음파변환기의셀이어레이형태로배열된것이다. 또한, 개시된초음파변환기는복수개의초음파변환기의채널이어레이형태로마련된것이다.
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公开(公告)号：KR1020150058714A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020130141593
申请日：2013-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: A61B5/0095 , A61B5/0091 , A61B5/708 , A61B8/0825 , A61B8/406 , A61B8/42
Abstract: 광음향초음파를이용한유방스캐닝장치가개시된다. 개시된광음향초음파를이용한유방스캐닝장치는수평으로제1방향으로길게형성되며서로평행한제1홀및 제2홀이형성된몸체와, 상기제1홀및 상기제2홀을가로지르도록배치되며적어도하나는상기몸체에대해수직으로이동가능하게설치된제1 압축플레이트및 제2 압축플레이트와, 상기제1 압축플레이트및 상기제2 압축플레이트에서서로마주보는면에서제1방향으로이동가능하게설치된제1 슬라이딩플레이트및 제2 슬라이딩플레이트와, 상기제1 압축플레이트내에서상기제1 슬라이딩플레이트와마주보게배치된제1 초음파변환기어레이와, 상기제1 방향과직교하는제2 방향으로이동가능하게설치된제1 레이저헤드를포함한다.
Abstract translation: 公开了使用光声超声波的乳房扫描装置。 所公开的使用光声超声波的乳房扫描装置包括沿第一方向水平形成并具有平行的第一孔和第二孔的主体，第一压缩板和第二压缩板， 第一孔和第二孔，其中，至少一个压缩板被安装成垂直移动;第一滑动板和第二滑动板，其安装成在第一压缩板和第二压缩板的相对表面上移动， 第一反应，面对第一压缩板上的第一滑动板的第一超声换能器阵列和安装成沿与第一方向正交的第二方向移动的第一激光头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101411416B1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020070131489
申请日：2007-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04R31/00
CPC classification number: H04R19/005 , H01L2224/11 , H04R31/006 , H04R2201/003
Abstract: 본 발명에 의한 마이크로 스피커 제조방법은 패키지 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼를 일괄 공정으로 형성하는 단계; 상기 패키지 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼를 웨이퍼 본드로 접합하는 단계; 및 상기 디바이스 웨이퍼의 뒷면(back surface)을 이플루오르화크세논(XeF
2 )을 이용한 등방성 에칭(isotropy etching)으로, 다이어프램(diaphragm)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이상과 같은 본 발명에 의하면, MEMS 기술을 이용한 일괄 공정으로 넓은 주파수 응답 범위를 가지는 압전형 마이크로 스피커 구조를 구현할 수 있어, 구조 및 공정의 단순화를 이룰 수 있고, 이로 인한 제작 비용이 크게 절감된다.
MEMS, 마이크로스피커, 웨이퍼, 다이어프램, 디바이스, 패키지-
公开(公告)号：KR1020090063950A
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：KR1020070131489
申请日：2007-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04R31/00
CPC classification number: H04R19/005 , H01L2224/11 , H04R31/006 , H04R2201/003
Abstract: A method for manufacturing a micro speaker and the micro speaker made by the same are provided to simplify a structure and a process by implementing a piezoelectric micro speaker with a wide frequency response range with a batch process. A first electrode(11) is formed on a PCB substrate(10) and mounts a micro speaker(100). A first electrode and a second electrode(160) are connected with a flip-chip bonding like a solder ball(20). A package wafer(170) and a device wafer are formed with the batch process. A wafer bond couples the package wafer and the device wafer. A diaphragm is formed in a back surface of the device wafer by isotropy etching using XeF2.
Abstract translation: 提供一种用于制造微型扬声器及其制造的微型扬声器的方法，以通过实施具有宽频率响应范围的压电微型扬声器来进行分批处理来简化结构和工艺。 第一电极（11）形成在PCB基板（10）上并安装微型扬声器（100）。 第一电极和第二电极（160）与诸如焊球（20）的倒装芯片接合连接。 通过间歇工艺形成封装晶片（170）和器件晶片。 晶片接合将封装晶片和器件晶片连接起来。 通过使用XeF2的各向同性蚀刻，在器件晶片的背面形成隔膜。
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公开(公告)号：KR100708086B1
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：KR1020000030582
申请日：2000-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B26/10
Abstract: 기판과; 기판의 상면에 형성된 복수의 어드레스전극과; 이 어드레스전극 주변에 마련된 바이어스전극과; 바이어스 전극에 인가된 전압에 의해 소정 전압이 인가되는 마이크로미러와; 마이크로미러를 회동가능하게 지지하는 지지수단;을 포함하여, 어드레스전극과 마이크로미러에 인가되는 전위차에 의해 발생되는 정전인력에 의해 마이크로미러가 회동되도록 된 마이크로미러 디바이스가 개시되어 있다.
이 개시된 마이크로미러 디바이스는, 마이크로미러가 어드레스전극과의 정전인력에 의하여 기판 쪽으로 기울어질 때 접촉되도록 어드레스전극 주변에 마련되며, 마이크로미러에 인가되는 전압과 동일 전압이 인가되는 랜딩전극을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 정전인력에 의한 마이크로미러의 구동시, 점착 및 브레이크다운 현상을 방지할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100661349B1
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：KR1020040107857
申请日：2004-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B81B7/02
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H2059/0054
Abstract: 개시된 마이크로스위치는 기판과, 기판상에 형성되며 스위칭접점부를 갖는 복수의 신호라인과, 기판상에 형성되되 신호라인들의 사이에 형성된 복수의 고정전극과, 기판상에 소정의 높이로 돌출되게 마련된 복수의 앵커와, 앵커에 지지되어 상하 유동가능하게 설치되되 동일 평면상에 설치되는 적어도 두개의 작동빔과, 작동빔들을 연결하는 연결유닛과, 연결유닛을 지지하도록 기판에 마련된 지지유닛 및 작동빔의 저면에 설치되어 스위칭접점부와 접촉하는 접촉부재를 포함한다. 이러한 구성을 통해 스틱션 페일이 발생되는 것을 효과적으로 해소함과 아울러서 저전압 구동이 가능하다.
마이크로 스위치, MEMS, 스틱션, RF, 전극, 신호라인-
公开(公告)号：KR100659298B1
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050000314
申请日：2005-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01H59/0009
Abstract: 개시된 MEMS 스위치는 기판; 기판의 상측에 형성되며 신호접촉부를 갖는 적어도 두개의 신호라인; 기판의 상측에 형성됨과 아울러서 신호라인의 사이에 소정의 간격을 두고 형성된 적어도 두개의 주전극; 주전극의 상부에 소정의 간격을 두고 시소 운동 가능하도록 설치되어 신호접촉부와 접촉하는 가동빔; 가동빔을 시소 운동하도록 지지하는 지지수단; 및 가동빔의 상부에 소정의 간격을 두고 설치됨과 아울러서 주전극과 대향되게 각각 설치되는 적어도 두개의 보조전극;을 포함한다. 가동빔은 제1절연층, 금속층, 제 2절연층이 차례로 적층된 3층 구조를 이룬다. 이러한 구성을 통해 저전압 구동이 가능하며, 구조물(가동빔)의 열적 신뢰성 및 전극간의 쇼트 현상을 방지할 수 있다.
MEMS, 스위치, 가동빔, 전극, 신호라인, 저전압
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