公开(公告)号：KR1020070120348A

公开(公告)日：2007-12-24

申请号：KR1020060054995

申请日：2006-06-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 동진쎄미켐

Inventor： 김은정 ,  안승현 ,  김정은 ,  나영임 ,  최백순 ,  이동준 ,  김성배 ,  김병욱 ,  윤석일 ,  신성건

IPC: G03F7/32

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C03C17/30 ,  C03C23/008 ,  C03C2218/328 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133

Abstract: A composition for removing a silicon polymer and a photoresist is provided to effectively remove both a silicon polymer-containing hard mask layer and a photoresist pattern without forming etching residues. A composition for removing a silicon polymer and a photoresist comprises 0.1-2wt% of quaternary ammonium hydroxide, 5-30wt% of a sulfoxide compound, 50-84.9wt% of dialkyleneglycolalkylether, and 5-30wt% of water. A method for removing layers includes the steps of: preparing the composition; and applying the composition onto a silicon polymer layer(130) and a photoresist layer(140), and removing the silicon polymer layer and the photoresist layer in situ at 20-60 °C.

Abstract translation: 提供用于除去硅聚合物和光致抗蚀剂的组合物，以有效地除去含硅聚合物的硬掩模层和光致抗蚀剂图案，而不形成蚀刻残留物。 用于除去硅聚合物和光致抗蚀剂的组合物包含0.1-2重量％的季铵氢氧化物，5-30重量％的亚砜化合物，50-84.9重量％的二烷基乙二醇烷基醚和5-30重量％的水。 一种去除层的方法包括以下步骤：制备组合物; 以及将所述组合物施加到硅聚合物层（130）和光致抗蚀剂层（140）上，并在20-60℃原位移除硅聚合物层和光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：KR100606187B1

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：KR1020040054828

申请日：2004-07-14

Applicant: 솔브레인 주식회사 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 이경진 ,  안승현 ,  최백순 ,  백귀종 ,  한웅

IPC: C11D7/08 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D11/00 ,  C11D3/39 ,  H01L21/02 ,  C23G1/10 ,  C23G1/12

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/106 ,  C23G1/125

Abstract: 금속층 및 산화막의 손상을 최소화하면서 반도체 기판 상에 잔류하는 불순물의 제거 효과가 우수한 반도체 기판 세정용 조성물, 이를 이용한 세정 방법 및 반도체 장치 제조 방법에서, 상기 반도체 기판 세정용 조성물은 산성수용액에 제1 킬레이트제 및 제2 킬레이트제를 첨가하여 제조한다. 반도체 기판 상부에 금속 패턴 형성 후, 반도체 기판 표면 세정에 상기 반도체 기판 세정용 조성물을 사용하면 금속층 및 산화막의 손상을 최소화하고 기판 상에 잔류하는 불순물의 제거를 용이하게 할 수 있다. 이에 따라 반도체 장치의 불량을 방지함과 동시에 반도체 기판의 세정 시간을 단축할 수 있다.

Abstract translation: 金属层以及使用半导体器件制造方法，在含水酸性溶液为在第一螯合物清洗半导体基板上的组合物该清洗最小化损坏，以除去残留的氧化物膜的半导体衬底上的杂质的清洁优异的半导体衬底的效果，在方式的组合物 还有第二种螯合剂。 用于清洗形成金属图案的半导体衬底之后的半导体基板的组合物，在半导体基板表面洗涤以最小化对金属层和氧化膜的损伤，并且可以促进去除残留在基板上的杂质。 结果，可以防止半导体器件的缺陷，并且可以缩短半导体衬底的清洁时间。

公开(公告)号：KR1020050080603A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：KR1020040008678

申请日：2004-02-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  배은미 ,  최백순 ,  전상문 ,  김대중 ,  윤광섭 ,  박상규 ,  김재호 ,  이시용 ,  김경미 ,  윤여영

IPC: G03F7/42

CPC classification number: C11D7/266 ,  C11D11/0047

Abstract: ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트 및 하부 반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 포토레지스트 등의 용해능 및 EBR 특성을 가지는 신너 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 등의 제거방법이 개시되어 있다. 신너 조성물은 프로필렌 글리콜 에터 아세테이트와 에틸 락테이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 또는 이들의 혼합물인 에스터 화합물, 그리고 메틸 2-하이드록시-2-메틸 프로피오네이트를 가진다. 이러한 신너 조성물을 기판 상에 형성된 포토레지스트막 또는 패턴에 적용하여 포토레지스트를 제거한다. 본 발명에 따른 신너 조성물은 다양한 포토레지스트막 및 하부 반사방지막에 대하여 우수한 용해도를 가지며, EBR 특성 및 리워크(rework) 특성이 모두 우수하여 포토레지스트의 잔류 문제를 해결할 수 있다.

公开(公告)号：KR100508753B1

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：KR1020040117881

申请日：2004-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  전상문 ,  정회식 ,  전미숙 ,  배은미 ,  최백순 ,  장옥석

IPC: G03F7/42

Abstract: 신너 조성물을 사용하여 기판 상에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트리핑하는 방법이 개시되어 있다. 상기 신너 조성물은 노말 부틸 아세테이트 8 내지 95중량%, 감마-부티로 락톤 0.1 내지 13중량% 및 비아세트산 에스테르 화합물 3 내지 80중량%로 이루어진다. 또한, 상기 신너 조성물은 노말 부틸 아세테이트 42 내지 90중량%, 감마-부티로 락톤 1 내지 13중량% 및 다가 알코올 유도체 5 내지 45중량%로 이루어질 수도 있다. 그리고, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 에지와 이면 부위에 도포되어 있는 포토레지스트를 선택적으로 스트립핑할 수 있다. 또한, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 전면에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트립핑할 수도 있다. 저렴한 비용의 신너 조성물을 사용하여 다양한 종류의 포토레지스트를 스트립핑할 수 있다.

公开(公告)号：KR100483846B1

公开(公告)日：2005-04-19

申请号：KR1020020062652

申请日：2002-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  전상문 ,  정회식 ,  최백순 ,  임영철 ,  배은미 ,  장옥석

IPC: H01L21/027

Abstract: 신규한 신너 조성물 및 이 신너 조성물을 사용하여 기판 상에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트리핑하는 방법이 개시되어 있다. 상기 신너 조성물은 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트 및 감마-부티로 락톤(gamma-butyro lactone)으로 이루어진다. 또한, 상기 신너 조성물은 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르로 이루어질 수도 있다. 그리고, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 에지와 이면 부위에 도포되어 있는 포토레지스트를 선택적으로 스트립핑 할 수 있다. 또한, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 전면에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트립핑할 수도 있다. 저렴한 비용의 신너 조성물을 사용하여 다양한 종류의 포토레지스트를 스트립핑할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050017610A

公开(公告)日：2005-02-22

申请号：KR1020040117880

申请日：2004-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  전상문 ,  정회식 ,  전미숙 ,  배은미 ,  최백순 ,  장옥석

IPC: G03F7/42

Abstract: PURPOSE: Provided are thinner composition and method for stripping photoresist on substrate, for selectively stripping photoresist on edge and rear side of substrate, and for stripping photoresist over entire portion of substrate using the same with economical expense. CONSTITUTION: The thinner composition comprises 42-90 wt.% of acetic ester compound, 1-13 wt.% of gamma-butyrolactone and 5-45 wt.% of polyhydric alcohol derivative. The stripping method comprises steps of preparing the thinner composition(S10); injecting and contacting(S14) the thinner composition on substrate and/or edge or rear side of the substrate coated with photoresist(S12) to strip the photoresist; and drying the contacted thinner composition(S16).

Abstract translation: 目的：提供用于剥离基底上的光致抗蚀剂的较薄的组合物和方法，用于选择性地剥离基底的边缘和背面上的光致抗蚀剂，并且以经济的费用以相同方式剥离光致抗蚀剂的整个部分。 构成：较薄的组合物包含42-90重量％的乙酸酯化合物，1-13重量％的γ-丁内酯和5-45重量％的多元醇衍生物。 剥离方法包括制备较薄组合物的步骤（S10）; 在涂覆有光致抗蚀剂的基板（S12）的基板和/或边缘或后侧上注入和接触（S14）更薄的组合物以剥离光致抗蚀剂; 并干燥所接触的稀释剂组合物（S16）。

公开(公告)号：KR1020030056423A

公开(公告)日：2003-07-04

申请号：KR1020010086632

申请日：2001-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A method for coating photoresist and an apparatus for carrying out the same are provided to be capable of reduce thickness of a photoresist layer. CONSTITUTION: A photoresist coating apparatus is provided with a chamber(10), a chuck(14) installed at the lower portion of the chamber for loading a wafer, the first supply line(24) installed outside the chamber for supplying carrier gas into the chamber, the second supply line(20) for supplying photoresist into the chamber, the third supply line(22) for supplying solvent into the chamber, the fourth supply line(26) connected with the first, second, and third supply line and prolonged to the top portion of the chamber for supplying photoresist mixed with solvent and carrier gas, and a gas jetting plate(28) having a plurality of holes(28a) connected with the fourth supply line for jetting the photoresist mixed with solvent and carrier gas on the upper portion of a wafer.

Abstract translation: 目的：提供一种涂覆光致抗蚀剂的方法和用于进行光致抗蚀剂的设备以能够减小光致抗蚀剂层的厚度。 构成：光致抗蚀剂涂敷装置设置有室（10），安装在室的下部的用于装载晶片的卡盘（14），第一供应管线（24）安装在室外，用于将载气供应到 用于将光致抗蚀剂供应到所述腔室中的第二供应管线（20），用于向腔室供应溶剂的第三供应管线（22），与第一，第二和第三供应管线连接的第四供应管线（26） 到用于供应与溶剂和载体气体混合的光致抗蚀剂的腔室的顶部，以及气体喷射板（28），其具有与第四供应管线连接的多个孔（28a），用于将与溶剂和载气混合的光致抗蚀剂喷射到 晶片的上部。

公开(公告)号：KR1019980066309A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970001733

申请日：1997-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명에 의한 반도체층 내의 금속성 불순물 분석방법은, 절연기판 상에 에피층이 성장된 구조의 시료를 준비하는 단계와, 상기 시료의 에피층을 폴리-식각액을 이용하여 용해하는 단계 및 상기 에피층이 용해된 용액을 고온 탄소로 원자 흡수 분광기를 이용하여 분석하는 단계로 이루어져, 반도체층인 에피층 내부의 중금속 관련 오염물질을 마이크로(micro) 레벨까지 분석할 수 있을 뿐 아니라 이로 인해 오염에 의해 발생되는 공정불량 요인을 평가 및 예방할 수 있게 되어 단위공정 진행시 야기되는 디바이스의 수율저하 현상을 방지할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019970061303A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960004458

申请日：1996-02-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  김은영

IPC: B01D3/00

Abstract: 본 발명에 의한 서브 보일링 스틸은 증류한 DI Water나 시약(reagent)이 배출되는 드레인과 샘플링 바틀을 특수 제작된 밸브로 연결, 즉 종래의 오픈(OPEN) 형이 아닌 밀폐형으로 제작함으로써 이은 불순물에 의한 역오염(Cross Contamination)을 방지할 수 있다.