Abstract:
PURPOSE: An apparatus for generating additional information of an image and a method thereof are provided to automatically establish location information using the location information of other image. CONSTITUTION: If a user selects a first image, a supplementary image information generator selects the first image(110). The supplementary image information generator offers an interface which displays a second image(120). The user selects the second image in the interface(130). The supplementary image information generator establishes the selected second image location information as the location information of the first image(140).
Abstract:
PURPOSE: A method and an apparatus for searching contents are provided to classify contents such as images or videos by certain levels according to regions and to display the contents with information related to the corresponding regions. CONSTITUTION: Contents are grouped based on a regional standard by a level setting part(113). The level setting part sets an expanded level with respect to at least one group based on the distribution of the contents. An interface part(114) selects one group from groups with expanded levels. According to the expanded level of the selected group, a controller(115) provides contents of the selected group by expanding a map image.
Abstract:
본 발명은 홀드-온(hold-on) 전환시 전자 기기의 부가 기능을 자동 수행하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명에 부가 기능을 자동으로 수행하는 장치는 전자 기기의 부가 기능 수행에 관한 조건을 포함하는 테이블을 저장하는 저장부; 및 상기 전자 기기의 홀드 키가 온 상태로 변경되었을 때 상기 조건이 충족되는 경우 부가 기능을 자동으로 수행하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 사용자가 전자 기기의 홀드 키를 온 상태로 변경하더라도 사용자의 의도를 파악함과 동시에 전자 기기의 현재 상태를 고려하여 전자 기기를 홀드-온 상태로 전환하기 전에 필요한 부가 기능을 자동으로 수행함으로써 전자 기기의 전력 낭비를 막고 사용자의 편의를 증대시킨다.
Abstract:
A method for manufacturing a nonvolatile memory device and a structure thereof are provided to reduce a contact area of a tunnel oxide layer and a semiconductor substrate by etching the semiconductor substrate on which a gate pattern is formed to fabricate a trench between adjacent gate patterns. A laminated material layer is formed on an upper portion of a semiconductor substrate(100). The laminated material is etched to form a gate pattern. An isotropic etching process is performed on the semiconductor substrate by using the gate pattern as a self-aligned etching mask. An anisotropic etching process is performed on the semiconductor substrate of which the isotropic etching process is completed by using the gate pattern as a self-aligned etching mask to form a trench between adjacent gate patterns. The laminated material layer is a layer on which a silicon oxide layer(102), a first polysilicon layer(104), an ONO(Oxide-Nitride-Oxide) layer(106) and on second polysilicon layer are sequentially laminated on an upper portion of the semiconductor substrate.
Abstract:
A broadcasting receiving apparatus for providing broadcasting channel information and a broadcasting channel information providing method are provided to dynamically generate a broadcasting search list to provide broadcasting channel search information. A broadcasting receiving apparatus includes a tuner(120), a broadcasting signal processor(130), a storage unit(160), and a controller(140). The tuner tunes one of a plurality of channels and outputs one of a plurality of digital broadcasting signals received through an antenna(110). The broadcasting signal processor analyzes service information included in the broadcasting signal output from the tuner. The storage unit stores the service information analyzed by the broadcasting signal processor. The controller dynamically generates a broadcasting search list by using the service information and generates a picture for displaying the broadcasting search list.
Abstract:
본 발명은 트랙 횡단 신호로부터 노이즈를 제거하는 방법, 이에 기초한 광 디스크 드라이브 제어 방법, 노이즈 제거 장치, 광 디스크 드라이브, 및 재생 장치에 관한 것이다. 트랙 횡단 신호로부터 노이즈를 제거하는 방법은 (a) 상기 트랙 횡단 신호를 트랙킹 액츄에이터를 위한 지령 속도를 기초로 설정된 히스테리시스 설정값을 참조하여 이치화함으로써 노이즈를 제거하는 단계; 및 (b) 이치화된 트랙 횡단 신호로부터 미리 설정된 시간값을 기초로 글리치 노이즈를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 고속 탐색 및 저속 탐색의 모든 경우에 노이즈를 보다 효과적으로 제거할 수 있다.
Abstract:
본 발명에서는 n형 FinFET과 p형 FinFET을 복층 구조로 만들어 셀의 면적을 줄인 반도체 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 그리고, 셀 영역에는 FinFET을, 주변회로 영역에는 MOSFET을 포함하는 반도체 소자의 제조방법도 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자는, 반도체 기판의 셀 영역의 제1 활성영역에 형성되고 제1 도전형 FinFET 게이트 산화막, 제1 도전형 FinFET 게이트 전극 및 제1 도전형 FinFET 소스/드레인 영역으로 이루어진 제1 도전형 FinFET을 포함한다. 제1 도전형 FinFET 상에는 층간절연막이 형성되어 있다. 그리고, 층간절연막을 관통하여 제1 도전형 FinFET 소스/드레인 영역과 연결되며 층간절연막 상에 형성된 셀 영역의 제2 활성영역에는 제2 도전형 FinFET 게이트 산화막, 제2 도전형 FinFET 게이트 전극 및 제2 도전형 FinFET 소스/드레인 영역으로 이루어진 제2 도전형 FinFET이 형성되어 있다.
Abstract:
다마신 공정을 이용한 핀 트랜지스터의 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 매몰 절연 패턴을 리세스하여 핀의 윗부분을 노출시키고, 몰드층을 형성한다. 몰드층을 패터닝하여 핀을 가로질러 핀의 윗부분의 일부를 노출시키는 그루브를 형성한다. 게이트 절연막을 개재하여 그루브를 채우는 게이트 전극을 형성하고, 몰드층을 제거한다. 게이트 전극 양측에 위치한 핀의 윗부분의 양측벽 및 상부면을 통하여 불순물 이온들을 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성한다.
Abstract:
씨모스형 반도체 소자의 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 제1 영역의 기판 상부에 제1 인시츄 도프트 폴리실리콘으로 이루어진 제1 게이트 전극을 형성하고, 제2 영역의 기판 상부에 제2 인시츄 도프트 폴리실리콘으로 이루어진 제2 게이트 전극을 형성한다. 이로써, 게이트 전극들내 불순물들의 농도를 균일하게 할 수 있으며, 게이트 절연막의 손상을 방지할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for removing a noise from a track cross signal, a method for controlling an optical disk drive based on the same, an apparatus for removing a noise, an optical disk drive, and a playback unit are provided to effectively remove a noise from a track seek signal, thereby accurately and effectively controlling a pickup. CONSTITUTION: A controller(3) generates an order speed for a tracking actuator(5) to provide the order speed to an adaptive comparator(1). The adaptive comparator binarizes a track cross signal by referring to two references, that is an upper level and a lower level according to a hysteresis value adaptively set to the order speed of a pickup. A noise remover(2) removes a glitch signal from the binarized track cross signal, that is a track zero cross signal by using a noise removing width. A drive(4) drives the tracking actuator based on the order speed from the controller. The tracking actuator moves the pickup for placing an optical spot on a wanted track.