-
31.发明授权
公开(公告)号：KR100744119B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020050129130
申请日：2005-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/3745 , G11C27/00 , H04N5/3597 , H04N5/374 , H04N5/37452
Abstract: 본 발명은 부스팅 커패시터와 증가형 MOSFET인 리셋 트랜지스터를 구비하는 픽셀 회로에 관한 것이다. 본 발명에 따른 픽셀 회로는 포토 다이오드, 전송 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 신호 출력부 및 부스팅 커패시터를 구비한다. 상기 포토 다이오드는 입사되는 빛에 상응하여 광 전하를 생성한다. 상기 전송 트랜지스터는 전송 제어 신호에 응답하여 상기 광 전하를 플로팅 디퓨젼(Floating diffusion) 노드로 전송한다. 상기 리셋 트랜지스터는 리셋 제어 신호에 응답하여 전원 전압을 상기 플로팅 디퓨젼 노드로 전달한다. 상기 신호 출력부는 선택 제어 신호에 응답하여 상기 플로팅 디퓨젼 노드의 전압에 상응하는 전압 신호를 출력한다. 상기 부스팅 커패시터는 상기 전송 트랜지스터의 게이트 단자와 상기 플로팅 디퓨젼 노드 사이에 삽입된다. 본 발명에 있어서 상기 리셋 트랜지스터는 증가형 MOSFET(Enhancement type MOSFET)이다.
이미지 센서, 픽셀 회로, 부스팅 커패시터, 전송률-
32.发明授权
公开(公告)号：KR100723516B1
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020050122551
申请日：2005-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 본 발명에서는 굴절률이 다른 무기질막들을 포토 다이오드(Photo Diode) 상에 얇게 교대로 적층함으로써 형성되는 컬러 필터층, 이를 구비하는 영상 감지 소자 및 컬러 필터층의 형성 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 컬러 필터층은 소정의 굴절률을 가지는 제 1 무기질막과 상기 제 1 무기질막보다 높은 굴절률을 가지는 제 2 무기질막을 구비하되, 상기 제 1 무기질막과 상기 제 2 무기질막은 상기 영상 감지 소자에 구비되는 광 센서 영역 상에 적층되어 다중층을 형성하며, 상기 다중층은 층의 두께가 고정된 고정 두께층과 통과시키고자 하는 빛의 파장 대역에 상응하도록 층의 두께가 결정되는 색 결정층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이미지 센서, 포토 다이오드, 컬러 필터, 다중층, 굴절률Abstract translation: 滤色器层，图像感测装置的成形方法和彩色滤光层，只要它是由薄叠合交替上，在本发明（光电二极管）光电二极管和其它的无机层的折射率公开形成。 滤色器层包括第一无机层和所述第一，但是具有具有比无机膜，其中根据本发明第一无机膜的图像感测和具有折射率的预定指标的第二无机膜元件更高的折射率的第二无机膜 多层结构包括具有固定厚度的固定厚度层和具有被确定为对应于要穿过多层结构的光的波长带的厚度的着色层。 它其特征在于它包括。
-
33.发明公开
公开(公告)号：KR1020060006650A
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：KR1020040055760
申请日：2004-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 적어도 메인 화소 어레이 영역의 전면을 노출시키는 패시베이션막을 갖는 이미지 센서들 및 그 제조방법들이 제공된다. 상기 이미지 센서들은 화소 어레이 영역 및 상기 화소 어레이 영역을 둘러싸는 주변회로 영역을 갖는 집적회로 기판을 구비한다. 상기 화소 어레이 영역 내의 상기 집적회로 기판에 복수개의 화소들이 제공된다. 상기 복수개의 화소들을 갖는 기판 상에 평평한 상부면을 갖는 층간절연막이 제공된다. 상기 층간절연막 상에 상부 패시베이션막 패턴이 배치된다. 상기 상부 패시베이션막 패턴은 상기 주변회로 영역 내의 상기 층간절연막을 덮고 상기 화소 어레이 영역 내의 상기 층간절연막을 완전히 노출시킨다.
이미지 센서, 패시베이션, 액티브 픽셀 센서-
公开(公告)号：KR1020020096336A
公开(公告)日：2002-12-31
申请号：KR1020010034737
申请日：2001-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14654 , H01L31/03529
Abstract: PURPOSE: A complementary metal oxide semiconductor(CMOS) image device is provided to normally perform a reset function even when exposure alignment for forming an ion implantation mask goes wrong, by eliminating the possibility that a low density doping region between a high density doping region and a channel region of a reset transistor functions as a barrier in exhausting optical charges when the reset transistor is open. CONSTITUTION: The CMOS image device has at least one pixel in a region where an image is detected. A semiconductor substrate layer is doped with impurities of the first conductivity type. A photodiode region is formed in the surface of the semiconductor substrate layer in a partial region of the pixel, doped with relatively low density impurities of the second conductivity type. The photodiode region includes a fixing region with a potential pinning layer(120) doped with the first conductivity type and an open region except the fixing region. A MOS-type reset transistor has a relatively high density source region doped with the second conductivity type so that a part of the source region overlaps the photodiode region in the open region.
Abstract translation: 目的：提供互补金属氧化物半导体（CMOS）图像器件，以便即使当用于形成离子注入掩模的曝光对准错误时也能正常执行复位功能，通过消除高密度掺杂区域和 当复位晶体管断开时，复位晶体管的沟道区域用作排出光电荷的势垒。 构成：CMOS图像设备在检测到图像的区域中具有至少一个像素。 半导体衬底层掺杂有第一导电类型的杂质。 在像素的部分区域的半导体衬底层的表面中形成光电二极管区域，掺杂有相对低密度的第二导电类型的杂质。 光电二极管区域包括具有掺杂有第一导电类型的潜在钉扎层（120）和除了固定区域之外的开放区域的固定区域。 MOS型复位晶体管具有掺杂有第二导电类型的相对较高的密度源极区域，使得源区域的一部分与开放区域中的光电二极管区域重叠。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101997539B1
公开(公告)日：2019-07-08
申请号：KR1020120076621
申请日：2012-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
-
公开(公告)号：KR101931658B1
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：KR1020120019437
申请日：2012-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 안정착
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 이미지 센서의 단위 픽셀은 광전 변환부, 소자 분리부 및 전송 게이트를 포함한다. 광전 변환부는 입사광에 상응하는 광전하를 발생하도록 반도체 기판의 단위 화소 영역에 형성된다. 소자 분리부는 입사광의 누설 및 광전 변환부로부터의 확산 캐리어를 차단하기 위하여, 단위 화소 영역을 둘러싸고 반도체 기판의 제1 면으로부터 광전 변환부보다 깊게 수직으로 형성된다. 전송 게이트는 반도체 기판의 단위 화소 영역에서 광전 변환부보다 상부 영역에 형성된 플로팅 확산 영역에 광전하를 전달하기 위하여, 반도체 기판의 제1 면으로부터 광전 변환부와 인접하도록 수직으로 형성된다.
-
公开(公告)号：KR101930757B1
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：KR1020120048845
申请日：2012-05-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/374
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서는 각 픽셀의 포토 다이오드의 양 측면에 플로팅 센싱 노드들이 대칭으로 배치됨으로써, 픽셀 어레이 내의 위치에 따른 픽셀의 CRA 특성 차이로 인한 레드 칼라와 같은 장파장 빛에 대한 픽셀 별 감도 차이를 줄일 수 있다. 또한, 각 픽셀에 포토 게이트를 배치하고, 광 전하 전송 시 상기 포토 게이트에 음의 전압을 인가함으로써 상기 포토 다이오드로부터 플로팅 센싱 노드들 각각으로의 광 전송 효율을 높일 수 있다.
-
公开(公告)号：KR101788124B1
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：KR1020100065467
申请日：2010-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14625 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 후면조사형이미지센서및 그제조방법이개시된다. 본발명의일실시예에따른이미지센서의제조방법은전면및 후면을갖는제 1 반도체층내에서미리정해진깊이를갖고각 화소영역을구획하는제 1 분리막을형성하는단계, 상기제 1 반도체층의전면에제 2 반도체층을형성하는단계, 상기제 2 반도체층내에서수광소자영역및 회로소자영역을구획하는제 2 분리막을형성하는단계, 상기제 1 반도체층을향하지않는상기제 2 반도체층의일면에불순물을주입하여수광소자들및 회로소자들을형성하는단계, 상기제 1 반도체층을향하지않는상기제 2 반도체층의일면에배선층을형성하는단계및 상기제 1 반도체층의후면에광 필터층을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了背面照射型图像传感器及其制造方法。 制造根据本发明的一个实施例的图像传感器的方法包括以下步骤：具有具有第一膜的正面和背面形成用于将所述像素区域，所述半导体层的第一前表面与所述第一半导体层内的预定深度 例如，在步骤中，第二内层在半导体受光元件的区域和形成第二分离膜分开的电路元件区，即面对半导体层形成第二半导体层的第二半导体层的第一表面 形成的光接收元件和通过注入杂质，其中，所述第一半导体层上，其朝向所述半导体层朝向所述第二半导体层的一个表面上形成第一布线层，并且的后表面上形成光学滤光层的第一步骤中的电路元件 该方法包括以下步骤：
-
公开(公告)号：KR1020170094693A
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：KR1020160015779
申请日：2016-02-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14643
Abstract: 이미지센서가제공된다. 상기이미지센서는, 제1 픽셀영역과상기제1 픽셀영역에인접한제2 픽셀영역이정의된기판, 상기제1 픽셀영역과상기제2 픽셀영역사이에형성되어, 상기제1 픽셀영역과상기제2 픽셀영역을분리시키는소자분리막, 상기제1 픽셀영역내에배치된제1 트랜지스터, 상기제2 픽셀영역내에배치된제2 트랜지스터, 및상기제1 트랜지스터와상기제2 트랜지스터를전기적으로연결하는배선구조체를포함하고, 상기소자분리막은상기기판의상면으로부터하면까지연장된 DTI(Deep Trench Isolation) 구조를포함한다.
Abstract translation: 提供图像传感器。 其中图像传感器包括：基板，其限定第一像素区域和与第一像素区域相邻的第二像素区域;第二像素区域，其形成在第一像素区域和第二像素区域之间， 布置在第一像素区域中的第一晶体管，布置在第二像素区域中的第二晶体管以及用于电连接第一晶体管和第二晶体管的布线结构， 并且器件隔离层包括从衬底的上表面延伸到下表面的深沟槽隔离（DTI）结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
197
records
(took 0.024 seconds)
