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公开(公告)号：KR1020040051933A
公开(公告)日：2004-06-19
申请号：KR1020020079631
申请日：2002-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device with a ferroelectric layer is provided to reduce contact resistance between a storage node contact plug and a lower electrode and avoid a storage node by interposing a tantalum oxide layer as an oxygen barrier layer between the lower electrode and an STO(SrTiO3) dielectric layer. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is prepared. A contact plug(120) is formed in a predetermined portion of the semiconductor substrate. A lower electrode(130) comes in contact with the contact plug. A dielectric layer(150) is formed on the lower electrode. An upper electrode(160) is formed on the dielectric layer. An oxygen barrier layer(140) is formed between the lower electrode and the dielectric layer.
Abstract translation: 目的：提供具有铁电层的半导体存储器件，以减少存储节点接触插头和下电极之间的接触电阻，并通过在下电极和STO之间插入氧化钽层作为氧阻隔层来避开存储节点（ SrTiO3）电介质层。 构成：制备半导体衬底。 接触插塞（120）形成在半导体衬底的预定部分中。 下电极（130）与接触插塞接触。 在下部电极上形成介电层（150）。 在电介质层上形成上电极（160）。 在下电极和电介质层之间形成氧阻挡层（140）。
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公开(公告)号：KR1020040050406A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：KR1020020078230
申请日：2002-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device having a capacitor dielectric layer and a manufacturing method thereof are provided to prevent leakage current from flowing through grain boundaries and restrain an oxide layer from being formed on a lower electrode due to the diffusion of oxygen atoms under a post heat treatment by using a metal oxynitride layer. CONSTITUTION: A semiconductor device is provided with a semiconductor substrate(50), a transistor formed on the semiconductor substrate, and a lower electrode(56) electrically connected with a source region of the transistor. The semiconductor device further includes a capacitor dielectric layer for enclosing the lower electrode and an upper electrode formed on the capacitor dielectric layer. At this time, the capacitor dielectric layer is made of a metal nitride layer(58) and a metal oxynitride layer(60).
Abstract translation: 目的：提供一种具有电容器电介质层的半导体器件及其制造方法，以防止漏电流流过晶界并且由于在后热处理时氧原子的扩散而抑制在下电极上形成氧化物层 通过使用金属氮氧化物层。 构成：半导体器件设置有半导体衬底（50），形成在半导体衬底上的晶体管和与晶体管的源极区域电连接的下部电极（56）。 半导体器件还包括用于封装下电极的电容器电介质层和形成在电容器介电层上的上电极。 此时，电容器介电层由金属氮化物层（58）和金属氮氧化物层（60）构成。
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公开(公告)号：KR102085523B1
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：KR1020130117842
申请日：2013-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
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公开(公告)号：KR1020170008925A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020150099875
申请日：2015-07-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10855 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10888
Abstract: 반도체소자를제공한다. 반도체소자는트랜지스터와커패시터를연결하는콘택플러그및 콘택패드를포함한다. 콘택패드가에치백공정을통해형성됨으로써, 콘택플러그와자기정렬되며추가포토공정을생략할수 있다. 커패시터의하부전극은저면이폐쇄된실린더형상의하부와, 하부의중심으로부터일 측으로벗어난중심을가지며하부로부터연장된실린더형상의상부를포함한다.
Abstract translation: 制造半导体器件的方法可以包括在衬底上沿第一方向和第一绝缘图案之间形成彼此间隔开的接触焊盘; 在所述第一绝缘图案之间形成第一孔并且具有邻近所述接触垫的顶表面的底端; 在第二绝缘图案之间形成第二孔，并在垂直于第一方向的第二方向上与第一孔的部分部分重叠; 以及形成包括第一部分的底部电极层，以覆盖第一孔的底端和第二孔的侧壁。 在形成第一和第二孔时，第一和第二孔同时形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150131450A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：KR1020140057862
申请日：2014-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: H01L27/10891 , H01L27/088 , H01L27/1052 , H01L27/10814 , H01L27/10876 , H01L21/0274
Abstract: 반도체소자및 그제조방법이제공된다. 반도체소자는, 제1 방향을따라배열된제1 활성패턴및 제2 활성패턴을정의하는소자분리막을포함하는기판; 상기제1 방향에교차하는제2 방향으로연장되는워드라인; 및상기워드라인상에배치되고, 상기제1 방향및 상기제2 방향에모두교차하는제3 방향을따라연장되어상기워드라인과교차하는비트라인을포함한다. 상기워드라인은, 상기제1 활성패턴과상기제2 활성패턴사이에서국부적으로상기소자분리막내에매립되는격리게이트라인을포함한다. 상기제1 활성패턴은상기제1 방향으로연장되고서로대향하는제1 활성측벽들; 및상기격리게이트라인에인접하고, 상기제2 방향으로연장되는제2 활성측벽을포함한다. 상기제2 활성측벽은상기제1 활성측벽들과접하는제1 에지부및 제2 에지부를포함하고, 평면적관점에서, 상기제1 및제2 에지부들은상기격리게이트라인으로부터실질적으로동일한간격으로이격된다.
Abstract translation: 提供半导体器件和制造方法。 半导体器件包括：衬底，其包括限定第一有源图案的器件隔离膜和沿第一方向布置的第二有源图案; 在与第一方向相交的第二方向上延伸的字线; 以及在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸并与字线相交的位线。 字线包括在第一活动图案和第二活动图案之间局部地嵌入设备隔离膜中的隔离栅极线。 第一有源图案包括在第一方向上延伸并彼此相对的第一有源侧壁和与隔离栅极线相邻并沿第二方向延伸的第二有源侧壁。 第二有源侧壁包括与第一有源侧壁接触的第一边缘部分和第二边缘部分，并且第一和第二边缘部分在平面方面基本上以与隔离栅极线相同的间隔分开。
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公开(公告)号：KR101552937B1
公开(公告)日：2015-09-15
申请号：KR1020090006985
申请日：2009-01-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/314 , H01L21/02041 , H01L21/67034
Abstract: 본발명은반도체기판상에흡착되거나결합된수분(HO)를제거하는반도체기판의수분제거방법및 이를이용한원자층증착방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는상기반도체기판의표면을화학용매와접촉시키는단계; 및상기반도체기판의표면으로부터상기화학용매를제거하는단계를포함하는수분제거방법및 이를이용한원자층증착방법에관한것이다. 본발명의수분제거방법을이용하면, 반도체기판으로부터수분을충분히제거할수 있기때문에우수한성능의반도체소자를제조할수 있게된다.
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公开(公告)号：KR1020100087921A
公开(公告)日：2010-08-06
申请号：KR1020090006985
申请日：2009-01-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/314 , H01L21/02041 , H01L21/67034
Abstract: PURPOSE: A water eliminating method of a semiconductor substrate and an atomic layer deposition method thereof are provided to improve the performance of a semiconductor device by sufficiently removing the moisture from a semiconductor substrate. CONSTITUTION: A test tube is purged with argon gas for 5 seconds(S202). A 1-butanol liquid is removed through a trap part after passing through 1-butanol liquid into the inside the test tube(S204). The inside of the test tube is purged with the argon gas for 30 seconds(S205). A first vacuum is formed with a second rotary pump(S206). After a designated time passes, a second vacuum, which has higher vacuum degree than the first vacuum, is formed with a TMP pump(S207).
Abstract translation: 目的：提供半导体衬底的除水方法及其原子层沉积方法，以通过从半导体衬底充分去除水分来改善半导体器件的性能。 构成：用氩气吹扫试管5秒钟（S202）。 在将1-丁醇液体通入试管内之后，将1-丁醇液通过捕集部分除去（S204）。 用氩气吹扫试管内部30秒钟（S205）。 用第二旋转泵形成第一真空（S206）。 在指定时间过去之后，用TMP泵形成具有比第一真空度更高的真空度的第二真空（S207）。
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公开(公告)号：KR1020090032971A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：KR1020080083516
申请日：2008-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/10805 , H01L27/1085 , H01L28/40
Abstract: A semiconductor device having an insulating layer of cubic system or tetragonal system is provided to improve the maintenance ability of data which is stored by effectively reducing the electron trapping. A semiconductor device(1) is formed on a semiconductor substrate(100). The semiconductor device comprises an insulating layer(500) of the cubic used for the dielectric layer furnace of capacitor or tetragonal. The semiconductor substrate comprises the well and the impurity implantation region. An element isolation film(102) is arranged in the semiconductor substrate. The element isolation film comprises the silicon oxide. An isolated active region(104) is formed in the semiconductor substrate by the element isolation film. A source and drain region required for the transistor formation are formed in the active region. A gate isolation layer, a gate line, and a bit line are formed in the semiconductor substrate including an active region. A contact plug(300) connected with the transistor through the active region is formed in an interlayer dielectric layer(200). A bottom electrode(400) is connected to the contact plug. A capacitor dielectric layer is formed in the bottom electrode. An upper electrode(600) is formed in the capacitor dielectric layer.
Abstract translation: 提供具有立方体系或四边形系统的绝缘层的半导体器件，以通过有效地减少电子俘获来提高存储的数据的维护能力。 半导体器件（1）形成在半导体衬底（100）上。 半导体器件包括用于电容器或四边形的电介质层炉的立方体的绝缘层（500）。 半导体衬底包括阱和杂质注入区。 元件隔离膜（102）布置在半导体衬底中。 元件隔离膜包括氧化硅。 通过元件隔离膜在半导体衬底中形成隔离的有源区（104）。 在有源区中形成晶体管形成所需的源区和漏区。 在包括有源区的半导体衬底中形成栅极隔离层，栅极线和位线。 通过有源区与晶体管连接的接触插塞（300）形成在层间介质层（200）中。 底部电极（400）连接到接触插塞。 在底部电极中形成电容器电介质层。 在电容器电介质层中形成上电极（600）。
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公开(公告)号：KR100849854B1
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：KR1020070018409
申请日：2007-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/40 , H01L27/10852
Abstract: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to form a hafnium oxide layer having a tetragonal crystal structure by using a zirconium oxide layer having a tetragonal crystal structure. A multilayer dielectric(140) including a first dielectric layer(120) and a second dielectric layer(130) is positioned on a semiconductor substrate(100). The first dielectric layer has a tetragonal crystal structure. The second dielectric is composed of a material different from the material of the first dielectric. A dielectric constant of the second dielectric layer is larger than a dielectric constant of the first dielectric layer. The second dielectric layer has a tetragonal crystal structure. A part of a crystalline structure of the second dielectric layer is continued from a part of a crystalline structure of the first dielectric layer.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法，通过使用具有四方晶体结构的氧化锆层，形成具有四方晶系结构的氧化铪层。 包括第一介电层（120）和第二介电层（130）的多层电介质（140）位于半导体衬底（100）上。 第一介电层具有四方晶体结构。 第二电介质由与第一电介质的材料不同的材料构成。 第二电介质层的介电常数大于第一电介质层的介电常数。 第二介电层具有四方晶体结构。 第二电介质层的结晶结构的一部分从第一介电层的晶体结构的一部分继续。
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