公开(公告)号：KR1020070076360A

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：KR1020060051782

申请日：2006-06-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임영수 ,  황재성 ,  김현철 ,  배준수

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

Abstract: A method for forming a phase changeable structure is provided to make a phase change layer pattern have a lateral surface with almost no defects by including a phase change structure with a switch function such that the phase change structure is composed of a lower electrode, an upper electrode and a phase change layer pattern between the lower and the upper electrodes and includes chalcogenide. An insulation layer(100) is formed which has an opening filled with a lower electrode(200). A phase change layer(300) is formed on the insulation layer, electrically coming in contact with the lower electrode and including chalcogenide. The chalcogenide can include germanium, antimony and tellurium. A metal-including conductive layer is formed on the phase change layer. The conductive layer is etched by using a first material including a first component with fluorine to form an upper electrode(410). The phase change layer is etched by using a second material without chlorine to form a phase change layer pattern between the upper electrode and the lower electrode.

Abstract translation: 提供一种用于形成相变结构的方法，通过包括具有开关功能的相变结构使得相变结构由下电极，上层 电极和下电极和上电极之间的相变层图案，并且包括硫族化物。 形成绝缘层（100），其具有填充有下电极（200）的开口。 在绝缘层上形成相变层（300），与下电极电接触并包括硫族化物。 硫族化物可以包括锗，锑和碲。 在相变层上形成含有金属的导电层。 通过使用包括具有氟的第一组分的第一材料来蚀刻导电层以形成上电极（410）。 通过使用没有氯的第二材料来蚀刻相变层，以在上电极和下电极之间形成相变层图案。

公开(公告)号：KR100785443B1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：KR1020060076025

申请日：2006-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백계현 ,  강종훈 ,  김용진 ,  임영수

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: B08B7/0035 ,  H01J37/32862

Abstract: An apparatus of cleaning a chamber for fabricating a semiconductor device and a method of cleaning the same are provided to reduce an error rate in a manufacturing process by removing residual by-products in an inside of a chamber. A first plasma supply unit supplies first plasma to an inside of a chamber(102) in order to remove a first product(20) attached on an inner wall of the chamber. A second plasma supply unit supplies second plasma to the inside of the chamber in order to remove a second product(30). An upper electrode(110) and a lower electrode(120) are installed in the inside of the chamber. The first plasma and the second plasma are generated in the inside of the chamber by using the upper electrode and the lower electrode. An analysis unit(150) analyzes components of the first and second plasma. A control unit(160) is connected to the first and second plasma supply units in order to control the first and second plasma supply units according to an analyzed result of the analysis unit.

Abstract translation: 提供一种用于清洁用于制造半导体器件的室的装置及其清洁方法，以通过去除室内的残留副产物来减少制造过程中的错误率。 第一等离子体供应单元将第一等离子体供应到室（102）的内部，以便去除附接在室的内壁上的第一产品（20）。 第二等离子体供应单元将第二等离子体供应到腔室的内部，以便去除第二产品（30）。 上部电极（110）和下部电极（120）安装在腔室的内部。 通过使用上部电极和下部电极，在室内部产生第一等离子体和第二等离子体。 分析单元（150）分析第一和第二等离子体的分量。 控制单元（160）连接到第一和第二等离子体供应单元，以便根据分析单元的分析结果控制第一和第二等离子体供应单元。

公开(公告)号：KR101647312B1

公开(公告)日：2016-08-12

申请号：KR1020140136839

申请日：2014-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임영수 ,  황순원 ,  박기진

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/141

Abstract: 본발명은가변저항메모리소자의제조방법에관한것이다. 본발명에따른가변저항메모리소자의제조방법은, X방향의패터닝을수행한후 패턴들사이에빈 공간들을형성할수 있다. 이어서 Y방향의패터닝을수행함으로써, 선택소자들간의스트링거들이형성되지않을수 있다. 따라서, 상기선택소자들간의전기적단락을방지하면서소자의신뢰성을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020150131450A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：KR1020140057862

申请日：2014-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동복 ,  임기빈 ,  임영수 ,  하순목 ,  황성욱 ,  강만석 ,  황인석

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L27/10891 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10876 ,  H01L21/0274

Abstract: 반도체소자및 그제조방법이제공된다. 반도체소자는, 제1 방향을따라배열된제1 활성패턴및 제2 활성패턴을정의하는소자분리막을포함하는기판; 상기제1 방향에교차하는제2 방향으로연장되는워드라인; 및상기워드라인상에배치되고, 상기제1 방향및 상기제2 방향에모두교차하는제3 방향을따라연장되어상기워드라인과교차하는비트라인을포함한다. 상기워드라인은, 상기제1 활성패턴과상기제2 활성패턴사이에서국부적으로상기소자분리막내에매립되는격리게이트라인을포함한다. 상기제1 활성패턴은상기제1 방향으로연장되고서로대향하는제1 활성측벽들; 및상기격리게이트라인에인접하고, 상기제2 방향으로연장되는제2 활성측벽을포함한다. 상기제2 활성측벽은상기제1 활성측벽들과접하는제1 에지부및 제2 에지부를포함하고, 평면적관점에서, 상기제1 및제2 에지부들은상기격리게이트라인으로부터실질적으로동일한간격으로이격된다.

Abstract translation: 提供半导体器件和制造方法。 半导体器件包括：衬底，其包括限定第一有源图案的器件隔离膜和沿第一方向布置的第二有源图案; 在与第一方向相交的第二方向上延伸的字线; 以及在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸并与字线相交的位线。 字线包括在第一活动图案和第二活动图案之间局部地嵌入设备隔离膜中的隔离栅极线。 第一有源图案包括在第一方向上延伸并彼此相对的第一有源侧壁和与隔离栅极线相邻并沿第二方向延伸的第二有源侧壁。 第二有源侧壁包括与第一有源侧壁接触的第一边缘部分和第二边缘部分，并且第一和第二边缘部分在平面方面基本上以与隔离栅极线相同的间隔分开。

公开(公告)号：KR1020100027478A

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：KR1020080086415

申请日：2008-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상수 ,  오재희 ,  임영수

IPC: H01L29/00

Abstract: PURPOSE: A method for forming a semiconductor device is provided to minimize by-products during an etching process by etching a capping layer and a variable resistance layer with a front-side dry-etching method. CONSTITUTION: An insulation layer(132) including a plurality of openings is formed on a substrate(110). A variable resistance layer(136) which fills the openings is formed on the upper side of the substrate. A capping layer(138) is formed on the variable resistance layer. The capping layer and the variable resistance layer are etched using a front-side dry-etching method. The front dry etching method is performed until the upper side of the insulation layer is exposed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的方法，以通过用前侧干蚀刻方法蚀刻封盖层和可变电阻层来最小化蚀刻工艺期间的副产物。 构成：在基板（110）上形成包括多个开口的绝缘层（132）。 填充开口的可变电阻层（136）形成在基板的上侧。 在可变电阻层上形成覆盖层（138）。 使用前侧干蚀刻方法蚀刻覆盖层和可变电阻层。 进行前干式蚀刻方法直到绝缘层的上侧露出。

公开(公告)号：KR100889970B1

公开(公告)日：2009-03-24

申请号：KR1020070005007

申请日：2007-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임영수 ,  배준수

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 본 발명은 상변화 구조물 형성 방법과 관련된다. 상변화 구조물 형성 방법에서, 상변화막 상에 상부 전극을 형성한 후, 상변화막 및 상부 전극에 불소를 포함하는 물질을 제공한다. 상변화막을 식각하여 상변화막 패턴으로 형성한 후 상부 전극 및 상변화막 패턴을 형성한 후 산소 플라즈마 또는 수증기 플라즈마를 상부 전극 및 상변화막 패턴에 제공한다. 상변화막 패턴의 측면 및 상부 전극과 상변화막 패턴 사이의 계면에 결함들이 발생하지 않는다.

公开(公告)号：KR1020090010427A

公开(公告)日：2009-01-30

申请号：KR1020070073521

申请日：2007-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안형근 ,  안동호 ,  임영수 ,  하용호 ,  장준영 ,  임동원

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/1233

Abstract: A phase change memory device is provided to reduce current applied in reset action and overcome patterning limit and implement phase change memory device which is good for high integration. A substrate in which bottom patterns are equipped is formed. Bottom electrodes of a linear type or a L type are contacted to bottom patterns on the substrate mounting the bottom patterns and are equipped with an upper side having x-axis and y-axis. Phase change patterns are contacted to the upper side of the bottom electrodes and have the respective wider width than the x-axis and y-axis. Upper electrodes are arranged on the phase change patterns.

Abstract translation: 提供相变存储器件以减少复位动作中施加的电流并克服图案化限制并实现有利于高集成度的相变存储器件。 形成有底部图案的基板。 直线型或L型的底部电极与安装底部图案的基板上的底部图案接触，并配备有具有x轴和y轴的上侧。 相变图案与底部电极的上侧接触并且具有相对于x轴和y轴宽度宽的宽度。 上电极配置在相变图案上。

公开(公告)号：KR1020160043208A

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：KR1020140136839

申请日：2014-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임영수 ,  황순원 ,  박기진

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/141 ,  H01L27/2454 ,  H01L21/0335

Abstract: 본발명은가변저항메모리소자의제조방법에관한것이다. 본발명에따른가변저항메모리소자의제조방법은, X방향의패터닝을수행한후 패턴들사이에빈 공간들을형성할수 있다. 이어서 Y방향의패터닝을수행함으로써, 선택소자들간의스트링거들이형성되지않을수 있다. 따라서, 상기선택소자들간의전기적단락을방지하면서소자의신뢰성을향상시킬수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及可变电阻存储器件的制造方法。 根据本发明的用于制造可变电阻存储器件的方法可以在执行X方向图案化之后在图案之间形成空白空间。 随后，进行Y方向图案化，因此在选择装置之间不形成桁条。 因此，可以防止选择装置之间的电短路，并且可以提高装置的可靠性。

公开(公告)号：KR101186653B1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：KR1020070073521

申请日：2007-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안형근 ,  안동호 ,  임영수 ,  하용호 ,  장준영 ,  임동원

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

Abstract: 하부전극을 갖는 상변화 기억 소자들 및 그 제조방법들을 제공한다. 상기 상변화 기억 소자들은 기판 상에 하부패턴이 구비된다. 상기 하부패턴들을 갖는 기판 상에 상기 하부패턴들과 각각 접촉하고, x축 및 y축을 갖는 상부면을 구비하는 일자형 또는 L형 하부전극들이 배치된다. 상기 하부전극들 상부면의 상기 x축은 사진공정의 한계해상도보다 좁은 폭을 갖는다. 상기 일자형 또는 L형은 상기 하부전극들의 상기 x축 방향 단면 모양을 나타낸다. 상기 하부전극들의 상기 상부면과 접촉하되, 상기 하부전극들 상부면의 상기 x축 및 상기 y축보다 각각 넓은 폭을 갖는 상변화 패턴들이 배치된다. 상기 상변화 패턴들 상에 상부전극들이 배치된다. 하부전극을 갖는 상변화 기억 소자들의 제조방법들 또한 제공된다.
일자형 하부전극, L형 하부전극, 한계해상도, 상변화 패턴

公开(公告)号：KR1020070077078A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：KR1020070005007

申请日：2007-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임영수 ,  배준수

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/143

Abstract: A method for forming a phase change structure is provided to prevent generation of defects on a lateral side of a phase change layer pattern and on an interface between an upper electrode and the phase change layer pattern by removing a compound having chlorine causing the defects before etching a phase change layer after etching a conductive layer. A phase change layer(300) is formed on a lower electrode(200). A conductive layer(400) including metal is formed on the phase change layer. Parts of the phase change layer and the conductive layer are etched by using a first material including a compound having chlorine and a compound having fluorine to form parts of an upper electrode and a phase change layer pattern. The upper electrode and the phase change layer pattern are exposed to a second material including a compound having oxygen. The first material is removed before the exposure process. The compound having oxygen includes one selected from a group consisting of oxygen plasma, water vapor plasma, and a mixture thereof.

Abstract translation: 提供了一种形成相变结构的方法，以通过去除在蚀刻之前产生缺陷的具有氯的化合物来防止在相变层图案的侧面和上电极和相变层图案之间的界面上产生缺陷 在蚀刻导电层之后的相变层。 在下电极（200）上形成相变层（300）。 在相变层上形成包含金属的导电层（400）。 通过使用包含具有氯的化合物的第一材料和具有氟的化合物来形成部分相变层和导电层，以形成上部电极和相变层图案的部分。 上电极和相变层图案暴露于包括具有氧的化合物的第二材料。 第一种材料在曝光过程之前被去除。 具有氧的化合物包括选自氧等离子体，水蒸汽等离子体及其混合物中的一种。