公开(公告)号：KR1020170043723A

公开(公告)日：2017-04-24

申请号：KR1020150143020

申请日：2015-10-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재희 ,  하순목 ,  김종혁 ,  박준수

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/90

Abstract: 본발명은캐패시터를포함하는반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 보다상세하게는제1 칩영역및 제2 칩영역을포함하는기판상에, 선택소자들을포함하는제1 하부구조체및 제2 하부구조체를각각형성하는것; 상기제1 및제2 하부구조체들상에제1 몰드막및 제2 몰드막을각각형성하는것; 상기제1 및제2 몰드막들상에제1 지지막및 제2 지지막을각각형성하는것; 상기제1 지지막및 상기제1 몰드막을패터닝하여, 상기제1 하부구조체를노출시키는복수의제1 홀들을형성하는것; 상기제1 홀들내에제1 하부전극들을형성하는것; 상기제2 지지막은남겨두고상기제1 지지막을선택적으로패터닝하여, 적어도하나의오프닝을포함하는지지패턴을형성하는것; 및상기오프닝을통해상기제1 몰드막을제거하는것을포함한다. 상기지지패턴의상면의높이는상기제2 지지막의상면의높이와실질적으로동일하다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件和电容器的制造方法，更具体地，第一下部结构，其包括选择装置上，其包括第一芯片区域和第二芯片区域和第二下部基板 分别形成结构; 在第一子结构和第二子结构上分别形成第一模制膜和第二模制膜; 在第一和第二模塑膜上分别形成第一支撑膜和第二支撑膜; 图案化第一支撑膜和第一模制膜以形成暴露第一子结构的多个第一孔; 在第一孔中形成第一下电极; 选择性地图案化所述第一支撑膜，留下所述第二支撑膜以形成包括至少一个开口的支撑图案; 并通过开口去除第一个模具膜。 支撑图案的上表面的高度基本上等于第二支撑膜的上表面的高度。

公开(公告)号：KR1020160124348A

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：KR1020150054295

申请日：2015-04-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재희 ,  강대용 ,  하순목 ,  박준수

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11582

Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체소자의미세패턴형성방법은, 피식각층상의하드마스크막을패터닝하여, 상기피식각층을노출시키는제 1 개구들및 상기제 1 개구들사이의희생필라들을형성하는것, 상기제 1 개구들사이의상기피식각층위로블록공중합체층을형성하는것, 상기블록공중합체층을상분리하여, 상기희생필라들과이격되어배열되고제 1 블록패턴들및 제 2 블록패턴을형성하는것, 상기제 1 블록패턴들을제거하여상기피식각층에제 1 홀들을형성하는것, 그리고상기희생필라들을제거하여노출된상기피식각층에상기제 1 홀들과상이한제 2 홀들을형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 用于形成精细图案的方法包括图案化蚀刻目标层上的硬掩模层以形成牺牲柱，以及设置在牺牲柱之间并暴露蚀刻目标层的第一开口，在蚀刻目标层上形成嵌段共聚物层， 第一开口，相分离嵌段共聚物层以形成与牺牲柱间隔开的第一嵌段图案和第二嵌段图案，通过蚀刻通过除去第一嵌段图案而暴露的蚀刻目标层，形成第一孔，以及在第 通过去除牺牲柱而暴露的蚀刻目标层，第二孔不同于第一孔。

公开(公告)号：KR1020150122516A

公开(公告)日：2015-11-02

申请号：KR1020140048876

申请日：2014-04-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황성욱 ,  하순목 ,  박준수

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2022 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0274

Abstract: 본발명의패턴형성방법은지지층상에이중톤감광층(dual tone photoresist layer)을형성하는단계와, 그레이피쳐(gray feature)를포함하는마스크를이용하여상기이중톤감광층을노광함으로써상기이중톤감광층의제1 영역에낮은노광영역, 중간노광영역및 높은노광영역을형성하고, 상기이중톤감광층의제2 영역에낮은노광영역및 중간노광영역을형성하는단계와, 상기제1 영역의상기높은노광영역의상기이중톤감광층을포지티브현상공정을통해제거함으로써상기제1 영역에복수개의예비패턴들을형성하는단계와, 상기제1 영역의낮은노광영역의이중톤노광층과상기제2 영역의상기낮은노광영역의상기이중톤감광층을네거티브현상공정을통해제거함으로써상기제1 영역에서로떨어져위치하는복수개의제1 패턴들과상기제2 영역에서로떨어져위치하는복수개의제2 패턴들을형성하는단계을포함한다.

Abstract translation: 图案形成方法包括以下步骤：在支撑层上形成双色光致抗蚀剂层; 通过使用包含灰色特征的掩模曝光双色光致抗蚀剂层，以在双色光致抗蚀剂层的第一区域中形成低曝光区域，中间曝光区域和高曝光区域，并形成低曝光区域，以及 在双色光致抗蚀剂层的第二区域中的中间曝光区域; 通过正显影处理去除第一区域的高曝光区域的双色光致抗蚀剂层，以在第一区域中形成多个初步图案; 以及通过负显影处理去除第二区域的低曝光区域的低曝光区域的双曝光区域和第二区域的低曝光区域的双色调光致抗蚀剂层，以形成分别位于第一区域和多个第二区域中的多个第一图案 图案分开地定位在第二区域中。

公开(公告)号：KR1020150042378A

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：KR1020130120903

申请日：2013-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준수 ,  하순목 ,  한은수 ,  문성호 ,  황성욱

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/306

Abstract: 반도체소자의패턴형성방법이제공된다. 패턴형성방법은기판에포함된하부막상에제1 개구부들을가지는마스크막을형성하는것; 상기제1 개구부들을채우며상기마스크막상으로돌출된필라들을형성하는것; 상기필라들을포함하는상기기판상에블록공중합체막을형성하는것; 상기블록공중합체막을열처리하여, 제1 블록부및 제2 블록부를형성하는것; 상기제2 블록부를제거하여, 상기마스크막을노출시키는가이드개구부들을형성하는것; 및상기가이드개구부들에의해노출된상기마스크막을식각하여, 제2 개구부를형성하는것을포함할수 있다.

Abstract translation: 提供了形成半导体器件的图案的方法。 形成图案的方法包括以下步骤：在衬底上包括的下层上形成具有第一开口部分的掩模层; 形成柱，其填充所述第一开口部并突出在所述掩模层上; 在包括所述柱的所述基材上形成嵌段共聚物; 通过热处理所述嵌段共聚物形成第一嵌段部分和第二嵌段部分; 形成引导开口部分，以通过去除所述第二块部分而露出所述掩模层; 以及通过蚀刻由所述引导开口部暴露的掩模层来形成所述第二开口部。

公开(公告)号：KR1020160144146A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：KR1020150080549

申请日：2015-06-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전병준 ,  강대용 ,  김재희 ,  김희정 ,  도신해 ,  박준수 ,  조석원 ,  하순목

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0276 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0337

Abstract: 반도체장치의패턴형성방법이제공된다. 상기반도체장치의패턴형성방법은, 피식각막, 감광성물질을포함하는반사방지막, 및포토레지스트막이순차적으로적층된기판을제공하고, 상기포토레지스트막과상기반사방지막을식각하여제1 패턴을형성하고, 상기제1 패턴상에스페이서막을컨포말하게형성하고, 상기스페이서막의일부를제거하여상기제1 패턴의상면을노출시키고, 노출된상기제1 패턴을제거하고, 남겨진상기스페이서막을마스크로하여상기피식각막을패터닝하여제2 패턴을형성하는것을포함하되, 상기반사방지막은상기피식각막과상기포토레지스트막사이에, 상기피식각막과상기포토레지스트막에직접접촉하도록배치된다.

Abstract translation: 方法包括在蚀刻层上直接形成含有感光材料的抗反射层，直接在抗反射层上形成光致抗蚀剂层，以及除去光致抗蚀剂层和抗反射层的部分以形成图案。 间隔件形成在图案的侧壁上，并且去除图案以留下间隔物。 使用间隔物作为掩模对蚀刻层进行图案化。 形成抗反射层可以包括在蚀刻层上直接形成无机抗反射层，并在无机抗反射层上直接形成有机抗反射层。

公开(公告)号：KR1020160106401A

公开(公告)日：2016-09-12

申请号：KR1020150029265

申请日：2015-03-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강대용 ,  김은성 ,  전병준 ,  박준수 ,  하순목

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/10847 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76229 ,  H01L2224/83051

Abstract: 셀영역및 상기셀 영역을둘러싸는에지영역을가진타겟층 상에스토퍼층을형성하고, 상기스토퍼층 상에제1 상부오프닝들및 댐트렌치를가진하드마스크를형성하고, 상기제1 상부오프닝들의내벽들상에오프닝스페이서들및 상기댐 트렌치를채우는댐 패턴을형성하고, 상기제1 상부오프닝들내에노출된상기스토퍼층을제거하여상기타겟층을노출하는제1 하부오프닝들을형성하고, 상기제1 하부오프닝들및 상기제1 상부오프닝들을채우는필라패턴들및 상기댐 패턴상에처마패턴을형성하고, 상기셀 영역내의상기하드마스크를제거하고, 상기필라패턴들사이에제1 폴리머블록들및 제2 폴리머블록들을형성하고, 상기제2 폴리머블록들을제거하여상기스토퍼층의표면을노출하는제2 상부오프닝들을형성하고, 상기제2 상부오프닝들내에노출된상기스토퍼층을에칭하여제2 하부오프닝들을형성하고, 및상기제1 폴리머블록들, 상기필라패턴들, 상기댐 패턴, 및상기처마패턴을제거하는것을포함하는컨택홀 형성방법이설명된다.

Abstract translation: 描述了形成接触孔的方法，包括以下步骤：在具有单元区域和围绕单元区域的边缘区域的目标层上形成阻挡层; 在阻挡层上形成具有第一上开口和坝沟的硬掩模; 形成开口间隔件和用于填充第一上部开口的内壁上的坝沟槽的坝形图案; 形成用于通过去除暴露在第一上开口内的止挡层而露出目标层的第一下开口; 在柱状图案上形成檐形图案，其填充第一下开口和第一上开口以及坝图案; 去除细胞区域内的硬掩模; 在柱状图案之间形成第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段; 形成用于通过去除所述第二聚合物块而暴露所述阻挡层的表面的第二上部开口; 通过蚀刻暴露在第二上部开口内的止动层形成第二下部开口; 并且去除第一聚合物块，柱图案，坝图案和檐图案。 根据本发明的各种实施例，可以在单元区域内形成接触孔，同时在边缘区域和/或周边区域内不形成接触孔。

公开(公告)号：KR1020170023252A

公开(公告)日：2017-03-03

申请号：KR1020150116746

申请日：2015-08-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김희정 ,  조석원 ,  박준수 ,  하순목

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00

Abstract: 반도체소자의제조방법을제공한다. 방법은, 반전 DPT 공정으로다수의홀들을포함하는마스크패턴을형성하는것과, 반전 DPT 공정을수행하는동안주변영역을블로킹하는것을포함한다. 주변영역을블로킹한후, 셀영역에반전 DPT 공정을수행하여공정을보다효율적으로진행할수 있다. 반전 DPT 공정을수행하여액티브영역들을한정하는트렌치를형성함으로써다수의노광단계를생략할수 있다.

Abstract translation: 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成第一单元图形，相对于第一单元图案形成第一层，并在第一层上形成第二单元图案和周边图案。 第二单元图案包括单元区域中的第一孔，并且外围图案位于周边区域中。 该方法还包括填充第一孔，去除第二细胞图案以暴露柱，以及形成第二孔。 每个第二孔对应于柱的相邻电池间隔件。 该方法还包括移除柱以形成对应于各个单元间隔物的第三孔，并且使用电池间隔件，第一电池图案和外围图案作为蚀刻掩模蚀刻衬底以形成沟槽。

公开(公告)号：KR1020160019979A

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：KR1020140103780

申请日：2014-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하순목 ,  황성욱 ,  박준수 ,  강대용 ,  전병준

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/76

CPC classification number: H01L21/0271 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/0274

Abstract: 반도체소자의미세패턴형성방법이제공된다. 반도체소자의미세패턴형성방법은제 1 영역및 상기제 1 영역둘레의제 2 영역을포함하는하드마스크막상에버퍼마스크막을형성하되, 상기버퍼마스크막은상기제 1 영역에서제 1 홀들을갖는것, 상기제 1 홀들을채우며상기제 1 영역의상기버퍼마스크막상에배치되는제 1 필라들과, 상기제 2 영역의상기버퍼마스크막상에배치되는제 2 필라들을형성하는것, 상기버퍼마스크막상에서상기제 1 및제 2 필라들을덮는블록공중합체층을형성하는것, 상기블록공중합체층을상분리하여, 상기제 1 및제 2 필라들과이격되어배열되는제 1 블록패턴들과, 상기제 1 및제 2 필라들과상기제 1 블록패턴들을감싸는제 2 블록패턴을형성하는것, 및상기제 1 블록패턴들을제거하고, 상기제 1 블록패턴들아래의상기버퍼마스크막에제 2 홀들을형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供一种用于形成半导体器件的精细图案的方法。 用于形成半导体器件的精细图案的方法包括：在包括第一区域和第二区域的硬掩模膜上形成缓冲掩模膜，其中缓冲掩模膜在第一区域中具有第一孔; 形成填充第一孔并设置在第一区域中的缓冲掩模膜上的第一柱，以及设置在第二区域中的缓冲掩模膜上的第二柱; 形成覆盖缓冲掩模膜上的第一和第二柱的嵌段共聚物层; 形成通过相分离所述嵌段共聚物层而被布置成与所述第一和第二柱和围绕所述第一和第二柱和所述第一嵌段图案的第二嵌段图案分离的第一嵌段图案; 并且去除第一块图案，并且在第一块图案下在缓冲掩模膜上形成第二孔。

公开(公告)号：KR1020150131450A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：KR1020140057862

申请日：2014-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동복 ,  임기빈 ,  임영수 ,  하순목 ,  황성욱 ,  강만석 ,  황인석

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L27/10891 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10876 ,  H01L21/0274

Abstract: 반도체소자및 그제조방법이제공된다. 반도체소자는, 제1 방향을따라배열된제1 활성패턴및 제2 활성패턴을정의하는소자분리막을포함하는기판; 상기제1 방향에교차하는제2 방향으로연장되는워드라인; 및상기워드라인상에배치되고, 상기제1 방향및 상기제2 방향에모두교차하는제3 방향을따라연장되어상기워드라인과교차하는비트라인을포함한다. 상기워드라인은, 상기제1 활성패턴과상기제2 활성패턴사이에서국부적으로상기소자분리막내에매립되는격리게이트라인을포함한다. 상기제1 활성패턴은상기제1 방향으로연장되고서로대향하는제1 활성측벽들; 및상기격리게이트라인에인접하고, 상기제2 방향으로연장되는제2 활성측벽을포함한다. 상기제2 활성측벽은상기제1 활성측벽들과접하는제1 에지부및 제2 에지부를포함하고, 평면적관점에서, 상기제1 및제2 에지부들은상기격리게이트라인으로부터실질적으로동일한간격으로이격된다.

Abstract translation: 提供半导体器件和制造方法。 半导体器件包括：衬底，其包括限定第一有源图案的器件隔离膜和沿第一方向布置的第二有源图案; 在与第一方向相交的第二方向上延伸的字线; 以及在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸并与字线相交的位线。 字线包括在第一活动图案和第二活动图案之间局部地嵌入设备隔离膜中的隔离栅极线。 第一有源图案包括在第一方向上延伸并彼此相对的第一有源侧壁和与隔离栅极线相邻并沿第二方向延伸的第二有源侧壁。 第二有源侧壁包括与第一有源侧壁接触的第一边缘部分和第二边缘部分，并且第一和第二边缘部分在平面方面基本上以与隔离栅极线相同的间隔分开。