公开(公告)号：KR1020020067148A

公开(公告)日：2002-08-22

申请号：KR1020010007548

申请日：2001-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  전진호

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: An apparatus for supplying chemicals for fabricating a semiconductor is provided to precisely detect the quantity of the residual chemicals even if the dielectric constant of the chemicals change. CONSTITUTION: A store tank(201) stores the chemicals(211). A buoyancy pendulum(213) is disposed inside the store tank. The average density of the buoyancy pendulum is the same as or smaller than that of the chemicals. A load cell(217) outputs an electrical signal according to the weight of the buoyancy pendulum. The upper portion of the buoyancy pendulum is suspended from the load cell by a connection string(215). A signal processing apparatus(221) processes the output signal of the load cell and calculates the flow rate of the chemicals.

Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体的化学品的装置，以便即使化学品的介电常数发生变化，也能精确地检测残留化学物质的量。 规定：储存罐（201）存储化学物质（211）。 浮子摆（213）设置在储罐内。 浮力摆的平均密度与化学品的平均密度相同或更小。 称重传感器（217）根据浮力摆锤的重量输出电信号。 浮力摆的上部通过连接柱（215）悬挂在测力传感器上。 信号处理装置（221）处理测力传感器的输出信号并计算化学品的流量。

公开(公告)号：KR1020010104903A

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：KR1020000026124

申请日：2000-05-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  윤장영

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 벨트형 화학 기상 증착 장비의 시스템 제어 프로그램을 기록한 기록매체에 관한 것이다. 화학 기상 증착 장비의 공정 조건 및 시스템 작동을 제어하기 위한 시스템 제어 프로그램을 기록한 기록매체에 있어서, 시스템 제어 프로그램은 모니터 상에 표시되는 초기 화면으로 설정된 스크린 메뉴에 공정 기체의 공급 상태를 조절하는 항목, 공정 챔버의 압력을 표시하는 항목, 벨트의 속도를 조절하는 항목 및 증착 회수를 조절하는 항목을 동시에 나타낸다. 따라서, 작업자가 증착 회수를 용이하게 확인하고 변경할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR101126414B1

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：KR1020040069159

申请日：2004-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬

IPC: H04B1/40

Abstract: 본 발명은 이동통신 단말기의 호 착신 알람 방식을 자동으로 변경하는 장치 및 방법을 제공한다. 이를 위해 본 발명은 각 동작 상태마다 설정된 착신 모드들이 저장되는 착신 모드 저장부와, 이동통신 단말기의 동작 상태에 따른 착신 모드의 호 착신 알람 방식으로 호 착신 알람 방식을 자동으로 변경하는 제어부를 구비한다. 그러므로 본 발명에서는 호 착신이 감지되면, 사용자에게 이를 알리는 호 착신 알람을, 현재의 이동통신 단말기의 동작 상태에 대응되는 호 착신 알람 방식으로 자동 변경한다. 이에 따라 사용자는 이동통신 단말기의 동작 상태에 따라 사용자가 호 착신 알람을 인지하지 못하게 되는 경우를 방지할 수 있으며, 현재 이동통신 단말기에서 수행되는 동작을 호 착신 알람으로 인해 방해받는 경우를 방지할 수 있다.

호 착신, 호 착신 알람 방식

公开(公告)号：KR1020080088748A

公开(公告)日：2008-10-06

申请号：KR1020070031424

申请日：2007-03-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  이승태 ,  이종규

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/513 ,  C23C16/45565 ,  H01B1/04

Abstract: PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) equipment is provided to form an amorphous carbon layer having refractivity of 1.1 and absorptivity of 0.4 by including a reaction gas supply part for supplying isoprene gas and nitrogen gas and by having a plasma electrode for mixing the isoprene gas and the nitrogen gas in a predetermined mixture ratio. A space sealed from the outside is prepared by a reaction chamber(110). A vacuum pump(120) pumps the air in the reaction chamber to a predetermined vacuum pressure. A heater block(130) heats a wafer to a predetermined temperature, supporting the wafer in the lower portion of the reaction chamber. A shower head(140) is installed in the upper portion of the reaction chamber corresponding to the heater block. A reaction gas supply part(150) mixes and supplies isoprene gas and nitrogen gas of a predetermined flow rate to the inside of the reaction chamber through the shower head. A plasma electrode(160) excites the isoprene gas and the nitrogen gas supplied from the reaction gas supply part to a plasma state, installed on the shower head in a manner that high frequency power and low frequency power are simultaneously applied to mix the isoprene gas and the nitrogen gas in a predetermined mixture ratio or higher. The plasma electrode includes a first plasma electrode to which the high frequency power is applied and a second plasma electrode to which the low frequency power relatively lower in frequency than the high frequency power is applied.

Abstract translation: 提供PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备，通过包括用于供应异戊二烯气体和氮气的反应气体供应部分和通过具有用于混合异戊二烯气体的等离子体电极来形成折射率为1.1，吸收率为0.4的无定形碳层 和氮气以预定的混合比例。 通过反应室（110）制备从外部密封的空间。 真空泵（120）将反应室中的空气泵送到预定的真空压力。 加热器块（130）将晶片加热到预定温度，将晶片支撑在反应室的下部。 淋浴头（140）安装在对应于加热器块的反应室的上部。 反应气体供给部（150）通过喷淋头将反应室内的异戊二烯气体和预定流量的氮气混合并供给到反应室内部。 等离子体电极（160）以同时施加高频功率和低频功率的方式，激发从反应气体供给部供给的异戊二烯气体和氮气至等离子体状态，将异戊二烯气体 和氮气以预定的混合比例或更高。 等离子体电极包括施加高频功率的第一等离子体电极和施加频率相对低于高频功率的低频功率的第二等离子体电极。

公开(公告)号：KR1020070065704A

公开(公告)日：2007-06-25

申请号：KR1020050126416

申请日：2005-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  유희준 ,  안수환

IPC: H04B1/40

Abstract: An apparatus and a method for correcting the output of a speaker in a mobile communication terminal are provided to allow a user to listen to a sound with a predetermined level by correcting a speaker output when the mobile terminal performs a function based on the movement thereof. An apparatus for correcting a speaker in a mobile communication terminal includes a sensor(230), a speaker(214), and a controller(200). The sensor(230) detects an acceleration value according to the movement of the mobile terminal. The speaker(214) outputs a sound. The controller(200) converts an acceleration value detected from the sensor(230) into a speed value and adjusts the output level of the speaker(214). The sensor detects an acceleration value for three-axes of X, Y, and Z axes.

Abstract translation: 提供了一种用于校正移动通信终端中的扬声器的输出的装置和方法，以便当移动终端基于其移动来执行功能时，通过校正扬声器输出来允许用户收听具有预定水平的声音。 一种用于校正移动通信终端中的扬声器的装置，包括传感器（230），扬声器（214）和控制器（200）。 传感器（230）根据移动终端的移动来检测加速度值。 扬声器（214）输出声音。 控制器（200）将从传感器（230）检测的加速度值转换为速度值，并调节扬声器（214）的输出电平。 传感器检测X，Y和Z轴三轴的加速度值。

公开(公告)号：KR100631920B1

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：KR1020000073192

申请日：2000-12-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  이승무 ,  전진호 ,  최병덕 ,  임전식 ,  이종승

IPC: H01L21/31

Abstract: 커패시터와 메탈라인 사이에 BPSG 재질의 절연막 증착시, 다이버트 시간을 MFC가 안정될 때까지 충분히 늘리고, 플레이트 전극과 상기 절연막 사이에 B,P 소스의 아웃-디퓨전을 방지할 수 있는 장벽층을 더 추가하므로써, 플레이트 전극의 RS 증가를 막을 수 있도록 한 반도체 소자의 절연막 형성방법이 개시된다.
이를 위하여 본 발명에서는, "스토리지 전극-유전막-플레이트 전극" 구조의 커패시터가 갖는 절연기판을 준비하는 단계; 상기 결과물 상에 유동성을 갖지 않는 절연 재질의 장벽층을 형성하는 단계; 및 B-소스 가스와 P-소스 가스를 10 ~ 15초 동안 다이버트하여 개스 플로우를 안정화시킨 후, SACVD 프로세스를 적용하여 상기 장벽층 상에 BPSG 재질의 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 절연막 형성방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020060041101A

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：KR1020040090582

申请日：2004-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이철환 ,  정우찬

IPC: G01C21/34 ,  G08G1/0969

CPC classification number: G01C21/3415 ,  G08G1/0969

Abstract: A navigation device is provided. The device includes a driving state tracker for tracking a mobile driving state using a current mobile position and RGI (Route Guidance Information) data including driving information on multi-routes from the current mobile position to a destination, and outputting deviation information and the current mobile position when a mobile object is deviated from a route; and a re-routing unit for searching partial routes from a mobile deviation position to each of the multi-routes using the deviation information, the current mobile position and the driving information on the multi-routes, and re-routing a route to the destination using each of the partial routes.

公开(公告)号：KR100438772B1

公开(公告)日：2004-07-05

申请号：KR1020010047456

申请日：2001-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/823425

Abstract: A semiconductor device and a method for manufacturing the same, wherein a gate electrode structure is formed on a surface of a semiconductor substrate. Next, a gate poly oxide (GPOX) layer is deposited on a surface of the gate electrode structure and on the semiconductor substrate. Then, the surface of the semiconductor substrate is cleaned to remove any residue and the GPOX layer remaining on the semiconductor substrate. Next, an etch stopper is formed on the surface of the gate electrode structure and on the semiconductor substrate. Last, a high-density plasma (HDP) oxide layer is deposited on the etch stopper. The semiconductor device and method for manufacturing the same are capable of preventing bubble defects.

Abstract translation: 一种半导体器件及其制造方法，其中栅电极结构形成在半导体衬底的表面上。 接下来，在栅电极结构的表面上和半导体衬底上沉积栅多晶硅氧化物（GPOX）层。 然后，清洗半导体衬底的表面以除去任何残留物和保留在半导体衬底上的GPOX层。 接下来，在栅电极结构的表面和半导体衬底上形成蚀刻阻挡层。 最后，在蚀刻阻挡层上沉积高密度等离子体（HDP）氧化物层。 该半导体器件及其制造方法能够防止气泡缺陷。

公开(公告)号：KR1020030071709A

公开(公告)日：2003-09-06

申请号：KR1020030056426

申请日：2003-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  이종구

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to be capable of improving gap-filling between gates and reliability by using a sputter etching when forming an interlayer dielectric. CONSTITUTION: After forming an isolation layer(101) on a semiconductor substrate(100), a plurality of gates(120) are formed. The first interlayer dielectric is partially filled into gaps between the gates. The first interlayer dielectric is firstly etched by using sputtering and secondly etched by using isotropic etching. Then, the second interlayer dielectric(130) is entirely filled into the gaps. A silicon oxide layer having good step coverage and deposition speed is used as the first interlayer dielectric and deposited using HDP(High Density Plasma) CVD.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，以能够通过在形成层间电介质时使用溅射蚀刻来改善栅极之间的间隙填充和可靠性。 构成：在半导体衬底（100）上形成隔离层（101）之后，形成多个栅极（120）。 第一层间电介质部分地填充到栅极之间的间隙中。 首先通过溅射蚀刻第一层间电介质，并通过各向同性蚀刻进行第二次蚀刻。 然后，将第二层间电介质（130）完全填充到间隙中。 使用具有良好阶梯覆盖度和沉积速度的氧化硅层作为第一层间电介质并使用HDP（高密度等离子体）CVD沉积。

公开(公告)号：KR1020030010324A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：KR1020010045224

申请日：2001-07-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  정영교 ,  박종왕

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device including an oxygen plasma pretreatment is provided to form a pattern having a correct critical value by forming a photoresist pattern of a desired vertical profile. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(300) including a patterning target layer(310) is loaded into a semiconductor fabrication apparatus using high density plasma. An oxygen gas as a reaction gas is implanted into the semiconductor fabrication apparatus. Oxygen plasma is formed by applying only source power instead of bias power. An oxygen plasma process for the patterning target layer(310) of the semiconductor substrate(300) is performed. A photoresist pattern is formed on the semiconductor substrate(300). The patterning target layer(310) is patterned by using the photoresist pattern. The photoresist pattern is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造包括氧等离子体预处理的半导体器件的方法，以通过形成所需垂直剖面的光致抗蚀剂图案来形成具有正确临界值的图案。 构成：使用高密度等离子体将包括图形化目标层（310）的半导体衬底（300）加载到半导体制造装置中。 将作为反应气体的氧气注入到半导体制造装置中。 通过仅施加源电力而不是偏置功率来形成氧等离子体。 执行用于半导体衬底（300）的图案化目标层（310）的氧等离子体处理。 在半导体衬底（300）上形成光刻胶图案。 通过使用光致抗蚀剂图案来图案化目标层（310）被图案化。 去除光致抗蚀剂图案。