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公开(公告)号：KR1020010076007A
公开(公告)日：2001-08-11
申请号：KR1020000003251
申请日：2000-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to solve the problem of a step generated in process of manufacturing the semiconductor device. CONSTITUTION: The method forms a pattern throughout three or more plural layers and includes six steps. The first step is to decide the position of a function pattern of the first layer of continuing three layers. The second step is to decide the position of a function pattern of the second layer. The third step is to expect part for badness to be generated by the step of the upper surface of the first interlayer dielectric film(11) when the function pattern of the second layer is formed. The fourth step is to decide the part as the position of a dummy pattern of the first layer and form a pattern(13) of the first layer which includes the dummy pattern of the first layer and the function pattern of the first layer. The fifth step is to form the function pattern(17) of the second layer. The sixth step is to form a pattern(21) of the third layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，以解决半导体器件制造过程中产生的步骤的问题。 构成：该方法在三层或更多层中形成图案，包括六个步骤。 第一步是确定连续三层第一层功能图案的位置。 第二步是确定第二层的功能图案的位置。 第三步是当形成第二层的功能图案时，希望通过第一层间电介质膜（11）的上表面的台阶产生不良的部分。 第四步骤是将该部分确定为第一层的虚拟图案的位置，并形成包括第一层的虚拟图案和第一层的功能图案的第一层的图案（13）。 第五步是形成第二层的功能图案（17）。 第六步是形成第三层的图案（21）。
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公开(公告)号：KR2019990035513U
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR2019980001076
申请日：1998-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈
IPC: F25D25/00
Abstract: 본 고안은 냉장고의 특선실에 관한 것으로서, 본 고안의 목적은 특선실 선반을 넣고 꺼냄에 따라 발생되는 소음을 방지하게 한 냉장고의 특선실을 제공하는 데 있다. 상기 목적을 실현하기 위한 본 고안은 전면을 제외한 양측 및 뒤측의 둘레에 걸쳐 상향 연장된 지지단을 갖는 선반, 상기 지지단 양측의 외부면에 각각 돌출된 가드턱, 상기 가드턱의 하부면과 상부면에 각각 돌출되도록 회동 가능하게 결합된 한 쌍의 캐스터, 상기 한 쌍의 캐스터를 각각 가이드하도록 냉장고의 내벽에 돌출된 가이드레일, 냉장고 본체 내벽의 힌지구멍에 삽입된 커플링, 상기 선반의 개구부를 커버하도록 상기 커플링에 힌지핀으로 결합된 커버를 포함하는 구조로 이루어진다. 또한, 상기 커플링은 커버의 힌지핀을 회동 가능하게 고정하는 몸체부와, 상기 냉장고 본체 내벽의 힌지구멍에 삽입되도록 몸체부의 일단에 연장된 패스너형 돌기를 포함하는 구조로 이루어진다. 또, 상기 판스프링의 양측 선단에는 걸림턱이 형성되고, 상기 몸체부에는 슬롯이 형성되어 서로 결합된 것을 특징으로 한다. 상기와 같이 구성된 본 고안에 따르면 선반에 캐스터를 설치하여 가이드레일을 따라 이동되게 함으로써 선반을 넣고 꺼내는 작업이 용이하게 이루어지며, 종래 선반과 가이드레일 간의 마찰 소음이 제거된다는 효과가 있다.
또한, 두 개의 캐스터를 설치하여 가이드레일의 상면과 하면에 지지되게 함으로써 선반이 상하로 유동되는 것을 방지한다는 효과도 있다.-
公开(公告)号：KR1019990026244A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970048298
申请日：1997-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 콘텍트 홀을 형성하는 반도체 제조 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로는, 소오스/드레인 콘텍트 홀 영역과 게이트 콘텍트 홀 영역 내의 층간 절연층 및 질화층의 두께가 다른 경우, 에칭 선택비를 최적화시킨다 하더라도, 상대적으로 질화층의 두께가 얇은 소오스/드레인 콘텍트 홀 영역의 하부에 있는 소오스/드레인이 식각되는 것을 감수해야 했던 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 소오스/드레인 콘텍트 홀 영역에 대한 식각과 게이트 콘텍트 홀 영역에 대한 식각을 개별적으로 이원화시켜 수행한다. 그리하여 소오스/드레인 콘텍트 홀 영역 하부의 소오스/드레인까지 식각되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 소오스/드레인이 손상되어 PN 정션에 의한 누설 전류가 발생되는 것을 막을 수 있다.
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公开(公告)号：KR2019980059151U
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR2019970003777
申请日：1997-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F25D23/00
Abstract: 본 고안은 냉장고용 도어의 일측 단부에 결합되는 냉장고용 핸들조립체에 관한 것으로서, 소정의 접촉선을 따라 막대기 접촉하여 연속된 외표면을 형성하는 제 1 및 제 2핸들부재와; 상기 양 핸들부재의 내표면에서 상기 양 핸들부재를 상호 요철맞물림하는 수단을 포함한다. 이에 의해 내부핸들부재 및 외부핸들부재의 상호 단차없는 조립이 가능하며, 또한, 결합된 상태에서 소정의 외부 가압이나 충격 등에 의해 쉽게 물림선의 가로로 상대변위되지 아니하게 된다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101661306B1
公开(公告)日：2016-09-30
申请号：KR1020100016267
申请日：2010-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L27/1021 , H01L27/24
Abstract: 반도체소자의제조방법은반도체기판내에웰 불순물영역, 하부불순물영역및 상부불순물영역을형성하는것을포함한다. 하부불순물영역은웰 불순물영역과다른도전형을갖고, 상부불순물영역은하부불순물영역과다른도전형을갖고웰 불순물영역보다높은불순물농도를갖는다. 반도체기판을식각하여하부반도체패턴들및 상부반도체패턴들을형성한다. 하부반도체패턴들사이의공간은하부불순물영역보다낮은레벨에위치하는바닥면을갖는다. 하부반도체패턴들의상부면은상부불순물영역보다낮은레벨에위치하면서하부불순물영역의하부면보다높은레벨에위치한다. 하부반도체패턴들사이및 상부반도체패턴들사이를채우는소자분리막을형성한다. 하부및 상부반도체패턴들은, 불순물영역들을갖는반도체기판상에형성된하드마스크로반도체기판을식각하여예비트렌치들을형성하고, 예비트렌치들을채우는희생막및 희생마스크를형성하고, 희생마스크를마스크로하드마스크를식각하여하드마스크패턴들을형성하고, 희생마스크및 희생막을제거하고, 하드마스크패턴들을마스크로반도체기판을식각하여형성한다.
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公开(公告)号：KR101528817B1
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020090001838
申请日：2009-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L29/7841
Abstract: 반도체메모리소자및 그제조방법에서, 상기반도체메모리소자는기판상부면전체를덮는매립절연막이구비된다. 상기매립절연막상에, 2개의돌출부를포함하고, 상기돌출부들사이에는요부가생성되고, 데이터가저장되기위한플로팅바디로제공되는액티브패턴이구비된다. 상기액티브패턴의돌출부상부면에불순물이도핑된제1 및제2 불순물영역이구비된다. 상기액티브패턴의외측벽표면에게이트절연막이구비된다. 상기게이트절연막상에는상기액티브패턴의외측벽을둘러싸면서상기요부내부를부분적으로채우는형상을갖고, 상기액티브패턴의제1 및제2 불순물영역의저면보다낮은상부면을갖는게이트전극을포함한다. 상기반도체메모리소자는게이트전극의조절능력이우수하고, 데이터보유특성이양호하다.
Abstract translation: 在半导体存储器件及其制造方法中，半导体存储器件设置有覆盖衬底的整个上表面的埋入绝缘膜。 在埋入绝缘膜上提供有源图案，该有源图案包括两个突起，在突起之间形成凹槽，并且提供用于存储数据的浮体。 掺杂有杂质的第一和第二杂质区域设置在有源图案的突出部分的上表面上。 栅极绝缘膜设置在有源图案的外壁表面上。 栅极绝缘膜上的栅电极，栅电极围绕有源图案的外壁并且具有部分地填充凹陷内部的形状以及低于有源图案的第一和第二杂质区域的底部的顶面。 该半导体存储器件可以改善栅电极的可控性并改善数据保持特性。
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公开(公告)号：KR1020110106751A
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：KR1020100025989
申请日：2010-03-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1253 , H01L45/147
Abstract: 반도체소자 및 전자 시스템을 제공한다. 이 반도체 소자는 하부 도전성 패턴 및 상기 하부 도전성 패턴 상의 중간 도전성 패턴을 포함한다. 상기 중간 도전성 패턴 상에 상기 중간 도전성 패턴과 전기적으로 연결된 상부 도전성 패턴이 제공된다. 상기 중간 도전성 패턴은 제1 부분 및 상기 제1 부분의 일부로부터 연장되어 상기 제1 부분보다 높은 레벨에 위치하는 제2 부분을 포함한다. 상기 상부 도전성 패턴은 상기 중간 도전성 패턴의 상기 제1 부분 상에 형성되며 상기 제2 부분보다 높은 레벨에 위치하는 상부면을 갖는다.
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公开(公告)号：KR100459707B1
公开(公告)日：2004-12-04
申请号：KR1020020015385
申请日：2002-03-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10814 , H01L27/10852
Abstract: An integrated circuit device includes a semiconductor substrate that has a cell region and a peripheral region that surrounds the cell region. A plurality of capacitors that include a plurality of lower electrodes, respectively, are disposed in the cell region. Supporters connect adjacent ones of the plurality of lower electrodes to provide structural support and stability to the lower electrodes.
Abstract translation: 集成电路器件包括具有单元区域和围绕单元区域的外围区域的半导体衬底。 包括多个下电极的多个电容器分别设置在单元区域中。 支撑件连接多个下电极中相邻的下电极以向下电极提供结构支撑和稳定性。
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