公开(公告)号：KR101561650B1

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：KR1020090019272

申请日：2009-03-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김덕기 ,  황수정 ,  이상민 ,  정일섭

IPC: H01L23/62 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 반도체장치의이-퓨즈구조체가제공된다. 이구조체는애노드및 캐소드를연결하는퓨즈부및 퓨즈부에접하는절연막을포함한다. 절연막은전자적-이동및 열적-이동에의한퓨즈부를구성하는원자들의이동효과에보강적으로작용하는스트레스를퓨즈부에인가하도록구성된다.

公开(公告)号：KR101459006B1

公开(公告)日：2014-11-10

申请号：KR1020070067483

申请日：2007-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 샨청 ,  우정수 ,  홍성권 ,  김도영 ,  임은택 ,  김덕기 ,  박용호 ,  이현우 ,  이근호

IPC: H04W16/14

Abstract: 본 발명은 무선인지(CR : Cognitive Radio) 기반의 무선통신 시스템에 관한 것으로, 기지국은, 대역 센싱(sensing)을 통해 사용할 다수의 가용채널을 선택하는 선택기와, 상기 다수의 가용채널들이 주파수축에 연속하지 않은 경우, 가용채널들 사이에 위치한 공백채널과 대응되는 부반송파를 제외한 나머지 부반송파에만 신호를 매핑(mapping)하는 매핑기와, 상기 가용채널들 및 공백채널을 포함하는 대역폭에 대응되는 크기의 IFFT(Inverse Fast Fourier Transform) 연산을 통해 상기 신호가 매핑된 부반송파들을 모두 포함하는 대역폭을 갖는 송신심벌을 생성하는 연산기와, 상기 송신심벌을 송신하는 송신기를 포함하여, 가용채널 개수에 따라 송신신호의 주파수 대역폭을 조절하고, 사용가능 채널 분포에 따라 자원 스케줄링을 제한함으로써, 무선인지 기술의 무선자원 사용 효율성을 높일 수 있다.
무선인지(CR : Cognitive Radio), IFFT(Inverse Fast Fouirer Transform), 대역 센싱(sensing)

公开(公告)号：KR101385251B1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：KR1020080030859

申请日：2008-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 성정헌 ,  최상무 ,  김덕기 ,  황수정

IPC: G11C29/04

CPC classification number: G11C11/5692 ,  G11C17/16 ,  G11C2216/26 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 병렬로 연결된 복수의 안티퓨즈와 이 병렬 연결 구조와 직렬로 연결된 적어도 하나의 안티퓨즈를 포함하여 적어도 3개 이상의 안티퓨즈를 구비하며, 병렬 연결 구조의 저항이 직렬로 연결된 안티퓨즈의 저항보다 작으며, 병렬로 연결된 복수의 안티퓨즈의 유전체층은 서로 다른 두께로 형성되어 절연 파괴 전압이 서로 다르도록 형성된 멀티 레벨 안티퓨즈 및 이를 적용하여 멀티 레벨 프로그램 오퍼레이션을 확보할 수 있는 동작 방법이 개시되어 있다.

公开(公告)号：KR1020120119807A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：KR1020110038007

申请日：2011-04-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 도은철 ,  김동균 ,  김윤기 ,  김덕기 ,  최영문

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/043 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/046 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925

Abstract: PURPOSE: A solar cell is provided to divide a current generated from an upper cell and a current generated from a lower cell and to increase the efficiency of generation. CONSTITUTION: A second unit cell(20) has band gap which is different from band gap of a first unit cell. An insulating layer(30) is arranged between the first unit cell and the second unit cell. The first unit cell is located in a lower side of the second unit cell. The first unit cell has a smaller band gap than the second unit cell.

Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池，用于分割从上电池产生的电流和从下电池产生的电流，并提高发电效率。 构成：第二单元电池（20）具有与第一单元电池的带隙不同的带隙。 绝缘层（30）布置在第一单元电池和第二单元电池之间。 第一单电池位于第二单电池的下侧。 第一单元电池具有比第二单电池小的带隙。

公开(公告)号：KR1020110104303A

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：KR1020100023371

申请日：2010-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김덕기 ,  김호정

IPC: G11C16/00 ,  G11C13/02

CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0071

Abstract: 본 발명에 따른 가변 저항 메모리 장치는, 가변 저항 소자와 상기 가변 저항 소자와 직렬 연결되는 선택 트랜지스터로 구성되는 메모리 셀, 상기 메모리 셀의 양단에 쓰기 전압을 공급하기 위한 쓰기 드라이버, 그리고 상기 가변 저항 소자의 저항 변화를 검출하고, 상기 검출 결과에 따라 상기 선택 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 피드백 회로를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110092832A

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：KR1020100012486

申请日：2010-02-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김덕기 ,  김호정

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2213/72 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34

Abstract: PURPOSE: A variable resistance memory device and a program method thereof are provided to increase the reliability of data by intercepting the unstable state of a cell resistor. CONSTITUTION: In a variable resistance memory device and a program method thereof, a switch(130) transfers a write voltage to the end of a variable resistance memory cell. A trigger circuit(120) senses the voltage variation of a variable resistance memory cell. A trigger circuit controls a switch to intercept the write voltage when the variable resistance memory cell is programmed. The trigger circuit comprises a comparator which compares the voltage at one end of the variable resistance memory cell with a reference voltage. The comparator generates a switch control signal.

Abstract translation: 目的：提供可变电阻存储器件及其编程方法，通过截取单元电阻器的不稳定状态来提高数据的可靠性。 构成：在可变电阻存储器件及其编程方法中，开关（130）将写入电压传送到可变电阻存储单元的末端。 触发电路（120）感测可变电阻存储单元的电压变化。 当编程可变电阻存储单元时，触发电路控制开关截取写入电压。 触发电路包括将可变电阻存储单元一端的电压与参考电压进行比较的比较器。 比较器产生开关控制信号。

公开(公告)号：KR1020110016284A

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：KR1020090073908

申请日：2009-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 설광수 ,  박윤동 ,  김덕기

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/00

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2445 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L27/2436

Abstract: PURPOSE: A variable resistance memory having improved reliability and operation and a memory system including the same are provided to prevent the deletion cells from being programmed due to the writing voltage by controlling the voltage of string selection line. CONSTITUTION: A variable resistance memory cell comprises a first type well(310) and a cell structure(CS) on the well. The cell structure comprises a first type structure(330) and a variable resistance film(340) on the structure. A selection device comprises a first type structure, a second type well(320), and a first type well.

Abstract translation: 目的：提供具有改进的可靠性和操作的可变电阻存储器和包括该可变电阻存储器的存储器系统，以通过控制串选择线的电压来防止由于写入电压而对删除单元进行编程。 构成：可变电阻存储单元包括井上的第一类型阱（310）和单元结构（CS）。 电池结构包括在该结构上的第一类型结构（330）和可变电阻膜（340）。 选择装置包括第一类型结构，第二类型井（320）和第一类型井。

公开(公告)号：KR1020100009323A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：KR1020080070163

申请日：2008-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 설광수 ,  박윤동 ,  김덕기 ,  김원주 ,  진영구 ,  이승훈 ,  김석필

IPC: H02S40/22

CPC classification number: H01L35/32 ,  H01L31/0547 ,  H02S10/10 ,  Y02E10/52

Abstract: PURPOSE: A bulb type condensing solar cell module is provided to increase power efficiency of unit cell by suppressing the recombination of the electronics. CONSTITUTION: A solar cell module(100) comprises a solar battery(110) which produces electric energy and a reflective mirror(120) which focuses the condensed light in the solar battery. The reflective mirror has a recessed shape. The solar battery is positioned the location focusing the light reflected from the reflective mirror. The first hole is formed at the center of the floor of the reflective mirror. A socket(130) is fixed to the reflective mirror. A power controller(140) is installed inside the socket. The transparent cover(150) is installed on the top of the reflective mirror.

Abstract translation: 目的：提供一种灯泡型聚光太阳能电池模块，以通过抑制电子元件的复合来提高单元电池的功率效率。 构成：太阳能电池模块（100）包括产生电能的太阳能电池（110）和将聚光的光聚焦在太阳能电池中的反射镜（120）。 反射镜具有凹陷形状。 太阳能电池位于聚焦反射镜反射的光的位置。 第一个孔形成在反射镜底板的中心。 插座（130）固定到反射镜。 电源控制器（140）安装在插座内。 透明盖（150）安装在反射镜的顶部。

公开(公告)号：KR1020090103613A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020080029330

申请日：2008-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김덕기 ,  황수정 ,  성정헌

IPC: H01L23/62 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L27/101 ,  H01L27/11206

Abstract: PURPOSE: An anti-fuse is provided to omit a separate programming transistor by including a transistor structure. CONSTITUTION: An anti-fuse includes a source(130a), a drain(130b), a channel, an anti-fuse unit, and a gate electrode(120). The anti-fuse unit is included on the channel. The gate electrode is included on the anti-fuse unit. The anti-fuse unit is destroyed by a given applied voltage. A part of the source and the drain is overlapped with the anti-fuse unit. The source and the drain have an LDD(Lightly Doped Drain) structure.

Abstract translation: 目的：提供反熔丝，以通过包括晶体管结构来省略单独的编程晶体管。 构成：反熔丝包括源极（130a），漏极（130b），沟道，反熔丝单元和栅电极（120）。 反熔丝单元包含在通道中。 栅电极被包括在反熔丝单元上。 反熔丝单元被给定的施加电压破坏。 源极和漏极的一部分与反熔丝单元重叠。 源极和漏极具有LDD（轻掺杂漏极）结构。

公开(公告)号：KR1020090097466A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：KR1020080022608

申请日：2008-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김덕기

IPC: H01L21/82

CPC classification number: G11C17/16

Abstract: A fuse device and an operating method thereof are provided to moves a high resistance area to the outside of a link area by blowing a part of the fuse link by a programming current. A fuse unit includes a cathode(100), an anode(200), and a fuse link(150). A transistor(T1) includes at least part of the fuse unit. The transistor includes a source and a drain on the substrate of both sides of the fuse link. The transistor uses the fuse link as a gate. The transistor uses the fuse unit as a source. The fuse link includes a conductive layer. The high resistance area is positioned in the local area of the conductive layer.

Abstract translation: 提供了一种保险丝装置及其操作方法，通过用编程电流吹送熔丝链的一部分来将高电阻区域移动到链路区域的外部。 保险丝单元包括阴极（100），阳极（200）和熔丝连接（150）。 晶体管（T1）包括熔丝单元的至少一部分。 晶体管包括在熔丝链的两侧的基板上的源极和漏极。 晶体管使用熔丝链作为栅极。 晶体管使用熔丝单元作为源。 熔丝链包括导电层。 高电阻区域位于导电层的局部区域中。