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公开(公告)号：KR100673013B1
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050087794
申请日：2005-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F13/28
Abstract: A memory controller and a data processing system including the same are provided to realize optimal performance of a one-NAND flash memory by making a data transfer time shadow a time needed for transferring data to a buffer memory from a speed-up buffer and the time needed for transferring the data to a DRAM from the buffer memory. The one-NAND flash memory(160) has the buffer memory(162) for temporarily storing page data. The first memory controller(140) controls a read operation of the one-NAND flash memory and has the speed-up buffer(141). The page data stored in the buffer memory is sequentially output to the outside through the speed-up buffer by a specific unit. The second memory controller(130) controls the DRAM(150). A DMA(Direct Memory Access)(120) has a buffer(121) and the data output from the speed-up buffer is stored to the DMA buffer. The data stored in the DMA buffer is stored to the DRAM through the second memory controller. Data transfer to the DMA buffer from the speed-up buffer and the data transfer to the DRAM from the DMA buffer are performed during the data transfer to the speed-up buffer from the buffer memory.
Abstract translation: 提供了一种存储器控制器和包括该存储器控制器和数据处理系统，以通过使数据传输时间成为从加速缓冲器将数据传送到缓冲存储器所需的时间，并实现时间 将数据从缓冲存储器传送到DRAM所需的。 一NAND闪存（160）具有用于临时存储页面数据的缓冲存储器（162）。 第一存储器控制器（140）控制单NAND闪存的读取操作并具有加速缓冲器（141）。 存储在缓冲存储器中的页面数据通过特定单元通过加速缓冲器顺序输出到外部。 第二存储器控制器（130）控制DRAM（150）。 DMA（直接存储器访问）（120）具有缓冲器（121），并且从加速缓冲器输出的数据被存储到DMA缓冲器。 存储在DMA缓冲器中的数据通过第二存储器控制器存储到DRAM。 在从缓冲存储器传送到加速缓冲器的数据传输期间，从加速缓冲器向DMA缓冲器传送数据到DMA缓冲器的数据传送到DRAM。
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公开(公告)号：KR1020060039771A
公开(公告)日：2006-05-09
申请号：KR1020040088988
申请日：2004-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/00
CPC classification number: G11C29/4401 , G06F11/1048 , G11C29/42 , G11C29/76 , G11C2029/0411 , G06F11/1068
Abstract: The data processing method involves determining whether there is a data error in data read from a selected memory block and handling the error differently depending on whether the selected memory block belongs to a code data region or a user data region.
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公开(公告)号：KR1020060027175A
公开(公告)日：2006-03-27
申请号：KR1020040076031
申请日：2004-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 더 자세하게는 불휘발성의 플래쉬 메모리에서 고전압 발생장치에 사용되는 발진회로에 관한 것이다.
본 발명의 발진회로는 서로 반대위상을 가지는 제1 및 제2 궤환신호와 일정한 전압레벨을 가지는 기준전압을 입력으로 하고, 제1 및 제2 궤환신호에 제어되어 각기 변동되는 제1 및 제2 검출신호를 출력하는 검출부와 기준전압과 제1 검출신호의 전압레벨을 비교하여 제1 비교신호를 출력하고, 기준전압과 제2 검출신호의 전압레벨을 비교하여 제2 비교신호를 출력하는 비교부 그리고, 제1 비교신호와 제2 비교신호를 입력으로 하여 발진신호를 생성하는 래치부 및 발진신호를 이용하여 제1 궤환신호 및 제2 궤환신호를 생성하는 재기동부를 구비한다.
발진회로, POWER DIPPING, OSCILLATION, FLASH MEMORY-
公开(公告)号：KR100464424B1
公开(公告)日：2005-01-03
申请号：KR1020020038885
申请日：2002-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28202 , H01L21/28185 , H01L21/3115 , H01L21/3144 , H01L29/518
Abstract: A gate insulating layer in an integrated circuit device is formed by forming a gate insulating layer on a substrate. The gate insulating layer is nitrified with plasma and then annealed using oxygen radicals. The oxygen radicals may cure defects in the gate insulating layer caused by the nitridation process. As a result, leakage current may be reduced.
Abstract translation: 通过在衬底上形成栅极绝缘层来形成集成电路器件中的栅极绝缘层。 栅绝缘层用等离子体硝化，然后用氧自由基退火。 氧自由基可以固化由氮化过程引起的栅极绝缘层中的缺陷。 结果，泄漏电流可能会降低。
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公开(公告)号：KR1020040004836A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：KR1020020038885
申请日：2002-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28202 , H01L21/28185 , H01L21/3115 , H01L21/3144 , H01L29/518
Abstract: PURPOSE: A method for forming a gate isolating layer is provided to be capable of reducing leakage current by using oxygen radical. CONSTITUTION: A gate isolating layer(20b) is formed at the upper portion of a substrate(10). A plasma nitridation is carried out at the gate isolating layer. An annealing process is then carried out at the gate isolating layer by using oxygen radical. Preferably, the oxygen radical is generated from N2O, O3, NO2, or mixed gas. Preferably, the annealing process is carried out at the pressure of 50 Torr, or less. Preferably, the oxygen radical is generated by carrying out a thermal dissociation at the N2O, O3, NO2, or mixed gas. Preferably, the oxygen radical is generated by an ISSG(In-Situ Steam Generation).
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成栅极隔离层的方法，以便能够通过使用氧自由基来减少漏电流。 构成：在衬底（10）的上部形成栅绝缘层（20b）。 在栅极隔离层处进行等离子体氮化。 然后通过使用氧自由基在栅极隔离层处进行退火处理。 优选地，氧自由基由N 2 O，O 3，NO 2或混合气体产生。 优选地，退火处理在50托或更低的压力下进行。 优选地，通过在N 2 O，O 3，NO 2或混合气体下进行热离解来产生氧自由基。 优选地，氧自由基通过ISSG（原位蒸汽发生）产生。
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公开(公告)号：KR1019940003190A
公开(公告)日：1994-02-21
申请号：KR1019920013762
申请日：1992-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03L7/00
Abstract: 이 발명은 MAC 시스템의 프레임 싱크 검출에 관한 것으로서, 제1프레임 싱크 검출부로 입력되는 MAC 신호의 라인 싱크를 검출하여 프레임 싱크를 검출하고, 제2프레임 싱크 검출부로 입력되는 MAC 신호의 프레임 싱크를 이용하여 프레임 싱크를 검출하며, 프레임 싱크 판별부에서 상기 제1프레임 싱크 검출부 또는 제2프레임 싱크 검출부 둘중 어느 하나에서 프레임 싱크 검출시 입력되는 MAC 신호를 프레임 싱크로 판별함으로써 프레임 싱크워드를 읽지 못하더라도 라인 싱크 워드를 읽음으로써 프레임 싱크 워드를 검출할 수 있도록 되므로 보다 효율적으로 프레임 싱크를 검출할 수 있게 된다.
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