公开(公告)号：KR1019980072886A

公开(公告)日：1998-11-05

申请号：KR1019970007892

申请日：1997-03-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정석

IPC: H01L27/108

Abstract: 반도체 소자의 커패시터 제조방법을 개시하고 있다. 이는, 반도체 기판 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층을 식각하여 상기 반도체 기판의 일부를 노출시키는 스토리지 콘택홀을 형성하는 단계; 스토리지 콘택홀이 형성된 상기 결과물 상에 도전물, 예컨대 불순물이 도우프된 실리콘을 증착하여 도전층을 형성하고 이를 패터닝하여 도전층 패턴을 형성하는 단계; 선택적 HSG 공정을 적용하여 상기 도전층 패턴 표면에 HSG 실리콘층을 형성하여 표면적이 증가된 스토리지 전극을 완성하는 단계; 및 상기 도전층 패턴 사이의 절연층 상에 형성된 HSG 층을 제거하기 위한 고온 세정공정을 실시하는 단계를 구비한다. 따라서, HSG 공정 적용후 결함 성분을 사전 제거하고 산화막 언더컷 공정 없이 후속 세정공정을 1회 진행함으로써, 공정 단순화 및 정전용량 감소를 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR101439538B1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：KR1020070081939

申请日：2007-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정석 ,  김도환 ,  구본원 ,  이상윤 ,  문현식

IPC: C08G65/323 ,  C09D171/00 ,  C08L71/00 ,  H01J11/40

CPC classification number: G03F7/092 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038

Abstract: 본 발명은 퍼플루오로폴리이써(Perfluoropolyether) 유도체와 감광성 고분자 또는 이들의 공중합체를 포함하는 보호막 형성용 조성물 및 이에 의한 보호막을 포함하는 유기박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 유기박막 트랜지스터는 산소 및 수분의 침입을 차단하여 외기에 의한 성능저하를 방지할 수 있고, 동시에 유기박막의 열화를 예방하고 패턴형성이 용이하므로 우수한 전자적 특성을 제공할 수 있다.
보호막, 퍼플루오로폴리이써, 감광성 고분자, 광경화제, 유기박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR101356238B1

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：KR1020070029179

申请日：2007-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  이영관 ,  한정석 ,  이상윤

IPC: C08J5/18 ,  C08J7/04 ,  C08F2/34

CPC classification number: H05K3/02 ,  C08J7/047 ,  C08J7/18 ,  C08J2367/02 ,  C08J2400/14 ,  H05K2201/0329 ,  H05K2203/0796 ,  H05K2203/1142 ,  Y10T428/31504

Abstract: 본 발명은 기상중합을 통하여 전도성 고분자를 합성하고 바인더로 UV 경화성 고분자 수지를 사용함으로써, 고전도성, 고투명성, 유연성을 유지하면서도 간단한 공정으로 패터닝할 수 있는 전도성 고분자 필름의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전도성 고분자 필름에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 의해 제조되는 전도성 고분자 필름은 LCD와 PDP를 비롯한 각종 디스플레이 장치, EL, TFT 등 전자 소재의 투명 전극 재료로 폭 넓게 이용될 수 있다.
전도성 고분자, UV-패터닝, UV 경화성 바인더, 산화제, 기상중합

公开(公告)号：KR101249097B1

公开(公告)日：2013-03-29

申请号：KR1020060040429

申请日：2006-05-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구본원 ,  이상윤 ,  한정석 ,  김주영

IPC: C08K5/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/052 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0545

Abstract: 본 발명은 자외선 경화제를 첨가한 수용성 고분자에 수용성 불소 화합물을 함유하는 유기절연막 조성물, 상기 유기절연막 조성물을 코팅하는 단계 ; 및 상기 코팅된 유기절연막 조성물을 포토리소그래피법에 의해 UV 조사 및 현상하는 단계를 포함하는 유기절연막의 형성 방법 및 이에 의해 형성된 유기절연막을 포함하는 유기박막 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 방법에 의하여 형성된 유기절연막을 포함하는 유기박막 트랜지스터는 열화 등에 의한 소자의 특성변화를 방지하면서, 유기절연막 형성시 표면처리 공정을 동시에 수행함으로써 공정을 단축시키고, 히스테리시스 등과 같은 유기절연막의 전류전달 특성을 향상시킬 수 있다.
유기절연막, 수용성 고분자, 자외선 경화제, 수용성 불소 화합물, 유기박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR101138869B1

公开(公告)日：2012-05-14

申请号：KR1020060133094

申请日：2006-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  한정석 ,  이상윤 ,  김종만 ,  권장연 ,  박경배

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262

Abstract: 적은 공정수와 간단한 공정으로 쉽게 제조될 수 있도록 그 제조공정이 개선된 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자의 제조방법은, 기판의 동일 평면 상에 배치되는 제1 비정질 영역과 제2 비정질 영역을 포함하는 비정질 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 제1 비정질 영역 상에 소수성의 자기조립 단분자막을 형성하는 단계, 상기 제2 비정질 영역 및 자기조립 단분자막 상에 니켈입자들이 분산된 수용액을 도포하되, 이들 사이의 친수성(hydrophilicity) 차이를 이용하여 상기 자기조립 단분자막 보다 상기 제2 비정질 영역 상에 상대적으로 더 많은 양의 니켈입자들을 분포시키는 단계, 어닐링 공정을 통해 상기 자기조립 단분자막을 증발시키고 동시에 상기 니켈입자들을 매개로 하는 금속유도 결정화를 수행함으로써, 상기 제1 및 제2 비정질 영역을 결정화하여 제1 및 제2 결정화 영역을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 결정화 영역을 패터닝하여 제1 및 제2 채널영역을 형성하는 단계 및 상기 제1 및 제2 채널영역 위에 제1 및 제2 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020080027404A

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：KR1020060091653

申请日：2006-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정석 ,  김태상 ,  이방린 ,  이상윤 ,  이은경

IPC: C08L25/00 ,  C08L25/06 ,  C08L101/00

CPC classification number: C08L65/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: An organic semiconductor composition is provided to enable a solution process and improve characteristics of an organic electronic device by increasing a pi-pi overlapping effect between molecules. An organic semiconductor composition comprises a polymer compound represented by the following formula: -[(A)n-(B)m]l- and at least one oligomer compound selected from the groups represented by the following formulae of (A)o, (B)o and (A-B)p. In the formula: -[(A)n-(B)m]l-, each of A and B is independently a substituted or unsubstituted C6-30 aryl group or substituted or unsubstituted C2-30 heteroaryl group, each of n and m is independently an integer of 0-20(provided that n+m 0), and l is an integer of 10-100,000. In the formulae 2-4, each of A and B is independently a substituted or unsubstituted C6-30 aryl group or substituted or unsubstituted C2-30 heteroaryl group, o is an integer of 4-12, and p is an integer of 2-6.

Abstract translation: 提供有机半导体组合物以通过增加分子之间的pi-pi重叠效应来实现溶液过程并改善有机电子器件的特性。 有机半导体组合物包含由下式表示的高分子化合物： - [（A）n-（B）m] 1-和选自下式（A）o，（ B）o和（AB）p。 在式中： - [（A）n-（B）m] 1-，A和B各自独立地是取代或未取代的C 6-30芳基或取代或未取代的C 3-30杂芳基，n和m各自 独立地为0〜20的整数（n + m 0），l为10〜10000的整数。 在式2-4中，A和B各自独立地为取代或未取代的C 6-30芳基或取代或未取代的C 2-30杂芳基，o为4-12的整数，p为2- 6。

公开(公告)号：KR1020080025220A

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：KR1020060089731

申请日：2006-09-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은경 ,  김주영 ,  이상윤 ,  한정석

IPC: C04B35/468 ,  H01L21/786

CPC classification number: H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y10T428/31678

Abstract: An organic insulating film composition, and an organic insulating film and an organic thin film transistor prepared therefrom are provided to form an organic insulating film without hysteresis during driving of the organic thin film transistor. An organic insulating film composition comprises an organic insulator polymer represented by the formula 1, wherein R is represented by the formula 2, m +n equals 1, each of m and n is a number of 0.1-0.9, x +y equals 1, each of x and y is a number of 0.1-0.9, i + j equals 1, each of i and j is a number of 0-1(provided that, y is not 0), R1 is at least one selected from the group consisting of functional groups represented by the formula 3(in which, m is an integer of 1-12), R2 is at least one photoreactive functional group selected from the group consisting of functional groups represented by the formula 4, and k is an integer of 0-3, in the case that R1 is two or more, each R1 is the same or different. The organic insulating film composition further comprises at least one cross-linking agent.

Abstract translation: 提供有机绝缘膜组合物以及由其制备的有机绝缘膜和有机薄膜晶体管，以在有机薄膜晶体管的驱动期间形成无滞后的有机绝缘膜。 有机绝缘膜组合物包含由式1表示的有机绝缘体聚合物，其中R由式2表示，m + n等于1，m和n分别为0.1-0.9，x + y等于1， x和y中的每一个是0.1-0.9的数，i + j等于1，i和j中的每一个是0-1的数目（假设y不是0），R1是选自组 由式3表示的官能团（其中m为1-12的整数）组成，R2为选自由式4表示的官能团的至少一种光反应性官能团，k为整数 为0-3，在R1为2以上的情况下，各R1相同或不同。 有机绝缘膜组合物还包含至少一种交联剂。

公开(公告)号：KR1020070082676A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：KR1020060015582

申请日：2006-02-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정석 ,  구본원 ,  김주영 ,  한국민 ,  이상윤

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0545 ,  H01L2251/308

Abstract: A method for fabricating an organic TFT is provided to improve charge mobility by increasing the work function of a metal oxide constituting a source/drain electrode as compared with the work function of an organic semiconductor material. In fabricating an organic TFT having a substrate(10), a gate electrode(20), a gate insulation layer(30), a metal oxide source/drain electrode(40,50) and an organic semiconductor layer, the surface of the metal oxide source/drain electrode is processed by an SAM(self-assembled monolayer) formation compound containing live ions. The surface of the metal oxide source/drain electrode can be performed by soaking the SAM formation compound into an SAM formation solution that is obtained by melting the SAM formation compound in a solvent selected from a group composed of water, an organic solvent and a composition thereof.

Abstract translation: 提供一种用于制造有机TFT的方法，以与有机半导体材料的功函数相比，通过增加构成源/漏电极的金属氧化物的功函数来提高电荷迁移率。 在制造具有基板（10），栅极（20），栅极绝缘层（30），金属氧化物源极/漏极（40,50）和有机半导体层的有机TFT中，金属的表面 氧化物源/漏电极由含有活性离子的SAM（自组装单层）形成化合物处理。 金属氧化物源极/漏极的表面可以通过将SAM形成化合物浸入SAM形成溶液中进行，SAM形成溶液是通过在选自水，有机溶剂和组合物中的溶剂中熔融SAM形成化合物而获得的 它们。

公开(公告)号：KR1019990031406A

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：KR1019970052114

申请日：1997-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정석

IPC: H01L21/336

Abstract: 본 발명은 폴리실리콘막으로 형성된 게이트 전극을 갖는 모스 트랜지스터의 제조방법을 개시한다. 본 발명은 반도체기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 게이트 절연막 상에 폴리실리콘막을 형성하는 단계와, 폴리실리콘막을 패터닝하여 게이트 절연막의 소정영역 상에 게이트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 모스 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 폴리실리콘막을 580℃ 내지 620℃의 온도에서 형성하여 그레인의 크기를 증가시킴은 물론, 표면 모폴로지를 평평하게 형성시키는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019980026845A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960045411

申请日：1996-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정석

IPC: H01L21/316

Abstract: 게이트 전극의 형성 공정에서 텅스텐 실리사이드(Silicide)막의 측벽에, 텅스텐의 이상 성장을 방지할 수 있는 반도체 공정의 열처리 방법에 대하여 개시되어 있다. 이를 위하여 본 발명은, 반도체 기판상에 게이트 산화막을 기재하고, 폴리실리콘막, 텅스텐 실리사이드막 및 산화막이 형성된 게이트 패턴을 포함하는 기판의 전면에 열산화막 형성을 위한 열처리 공정에 있어서, a) 650℃의 질소 분위기에서 진행하는 초기 열처리 단계와, b)질소 분위기에서 온도를 850℃로 상승시키는 단계와, c)850℃의 질소 분위기에서 3∼20분간 열처리를 하는 단계와, d)850℃의 산소 분위기에서 열산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열산화막 형성을 위한 열처리 방법을 제공한다. 따라서, 게이트 전극의 형성 공정에서 텅스텐 실리사이드(Silicide)막의 측벽에, 텅스텐의 이상 성장을 방지하고 파티클의 발생을 방지할 수 있는 반도체 공정의 열처리 방법을 구현할 수 있다.