公开(公告)号：KR1020050113294A

公开(公告)日：2005-12-02

申请号：KR1020040037322

申请日：2004-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도영 ,  타카시노구치 ,  조세영 ,  권장연

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: Provided are a high quality poly-Si structure and a method of fabricating the same. The poly-Si structure includes a substrate, a polycrystallized silicon thin film, and an adhesive layer disposed between them. In the method of fabricating the poly-Si structure, an adhesive layer is first formed on a substrate, a-Si is deposited at a low temperature, and a polycrystallization process of silicon is, then performed by high density energy. Polycrystallization by high energy is possible, and therefore, high quality poly-Si can be achieved. The method can be employed in a low-temperature process, and a heat-sensitive material such as plastic or the like can be used as a substrate.

公开(公告)号：KR1020050054788A

公开(公告)日：2005-06-10

申请号：KR1020030088423

申请日：2003-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권장연 ,  한민구 ,  조세영 ,  박경배 ,  김도영 ,  이민철 ,  한상면 ,  타카시노구치 ,  박영수 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: A method of fabricating a poly-Si thin film and a method of fabricating a poly-Si TFT using the same are provided. The poly-Si thin film is formed at a low temperature using inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD). After the ICP-CVD, excimer laser annealing (ELA) is performed while increasing energy by predetermined steps. A poly-Si active layer and a SiO2 gate insulating layer are deposited at a temperature of about 150° C. using ICP-CVD. The poly-Si has a large grain size of about 3000 Å or more. An interface trap density of the SiO2 can be as high as 1011/cm2. A transistor having good electrical characteristics can be fabricated at a low temperature and thus can be formed on a heat tolerant plastic substrate.

公开(公告)号：KR1020050042702A

公开(公告)日：2005-05-10

申请号：KR1020030077763

申请日：2003-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경배 ,  타카시노구치 ,  조세영 ,  김도영 ,  권장연

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 폴리 실리콘막 형성 방법, 이 방법으로 형성된 폴리 실리콘막을 구비하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 기판 상에 적층된 제1 열전도막, 상기 제1 열전도막 상에 적층된, 상기 제1 열전도막보다 열전도도가 낮은 제2 열전도막, 상기 제2 열전도막과 상기 제2 열전도막 양쪽의 상기 제1 열전도막 상에 적층된 폴리 실리콘막 및 상기 제2 열전도막을 덮는 상기 폴리 실리콘막 상에 적층된 게이트 적층물을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 제2 열전도막은 상기 제1 열전도막 상에 형성되는 대신, 상기 제1 열전도막의 일부와 대체될 수 있다. 상기 폴리 실리콘막은 상기 제1 및 제2 열전도막 상에 형성된 비정질 실리콘막에 엑시머 레이저광을 한번 조사하여 형성한 것이다. 또한, 상기 게이트 적층물은 상기 폴리 실리콘막의 채널영역으로 사용된 부분의 아래쪽에 구비될 수 있다.

公开(公告)号：KR101475411B1

公开(公告)日：2014-12-22

申请号：KR1020080068664

申请日：2008-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  박경배 ,  이상윤 ,  권장연 ,  유병욱 ,  김태상 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78624 ,  H01L29/66765

Abstract: 폴리실리콘박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는폴리실리콘(poly-Si)으로이루어진활성층상에저농도로도핑된제1 폴리실리콘층및 이제1 폴리실리콘층과같거나고농도로도핑된제2 폴리실리콘층이순차적으로형성된구조를가지며, 제1 폴리실리콘층의내측단부에는누설전류를줄일수 있는 LDD(lightly doped drain) 영역이형성된다.

公开(公告)号：KR101472798B1

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：KR1020080019304

申请日：2008-02-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  이상윤 ,  이제훈 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: G02F1/136

Abstract: ZnO 계박막트랜지스터의제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터의제조방법은소스/드레인전극을 1회또는 2회의습식에칭에의해패터닝한다. 또한채널층에는플라즈마에대해상대적으로안정적인강한결합력의 SnO, 불화물, 염화물등을함유시킨다. 습식채널에의해채널층의손상, 특히산소결핍등의문제가나타나지않으며, 특히강한결합력의물질이채널층에분포되어있으므로패시베이션층 형성시채널층의손상이억제된다.

公开(公告)号：KR101375831B1

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：KR1020070124382

申请日：2007-12-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  정지심

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F2203/01

Abstract: 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 디스플레이 장치가 개시된다. 개시된 디스플레이 장치는, 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 및 적어도 하나의 스토리지 캐퍼시터;를 구비하고, 상기 스토리지 캐퍼시터는, 투명한 산화물 반도체로 이루어진 스토리지 전극과, 이 스토리지 전극과 일정 간격으로 두고 대향되게 배치되는 화소 전극을 포함한다.

公开(公告)号：KR101345376B1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020070052226

申请日：2007-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: ZnO 계박막트랜지스터및 제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터는복수의반도체층을가지는채널층을포함하며, 최상위의반도체층은플라즈마에의한산소결핍을억제하기위하여하부반도체층에비해낮은 ZnO 농도를가진다. 이에더하여플라즈마에대해상대적으로안정적인강한결합력의 Sn 산화물, 염화물, 불화물등을포함한다. 최상위 반도체층은플라즈마충격에강하며, 플라즈마에노출되었을때 잘분해되지않으며따라서캐리어농도증가가억제된다.

Abstract translation: 公开了一种ZnO基薄膜晶体管及其制造方法。 ZnO基薄膜晶体管包括具有多个半导体层的沟道层，并且为了抑制由等离子体造成的氧缺陷，最上面的半导体层具有比下面的半导体层低的ZnO浓度。 此外，它还包括Sn氧化物，氯化物，氟化物等，它们对等离子体相对稳定并且具有强结合力。 最上面的半导体层耐等离子体冲击并且在暴露于等离子体时不会很好地分解，因此抑制了载流子浓度的增加。

公开(公告)号：KR101334182B1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：KR1020070051560

申请日：2007-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  정지심

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법에 관해 개시된다. ZnO 계 박막 트랜지스터는 채널 층의 산소함량에 매우 민감한 특성 변화를 보인다. 바텀 게이트 방식의 박막 트랜지스터의 제조에서 불가피한 채널 층의 손상과 이에 따른 깊은 음의 문턱 전압을 보상시키기 위하여 불안정한 상태의 산소를 다량 함유하는 저온 패시베이션 층이나 식각 저지층 등의 산화물 층을 이용하여 열처리(annealing)시 산화물 층과 채널 층과의 계면 반응에 의해 캐리어의 농도를 감소시킨다.

公开(公告)号：KR101270168B1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020060090467

申请日：2006-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정지심 ,  김종만 ,  권장연 ,  박경배

IPC: H05B33/00 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244

Abstract: 디스플레이는 OLED를구동하는드라이빙트랜지스터와상기드라이빙트랜지스터의동작을제어하는스위칭트랜지스터를구비하고, 상기드라이빙트랜지스터및스위칭트랜지스터는서로다른결정립크기를가지도록실리사이드에의한차등적결정화과정을거쳐얻어진다. 유기전자발광디스플레이를설계함에있어서스위칭트랜지스터와드라이빙트랜지스터의요구조건에부응할수 있으므로저이동도의스위칭트랜지스터와고이동도드라이빙트랜지스터를효율적으로제조할수 있다.

公开(公告)号：KR1020110081637A

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：KR1020100001894

申请日：2010-01-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손경석 ,  이광희 ,  권장연 ,  정지심

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13624 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/067 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/1225 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/136286 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3696

Abstract: PURPOSE: A switching apparatus for an active display device is provided to improve the electric reliability of the display device. CONSTITUTION: A switching apparatus for an active display device comprises two or more TFT which are connected in serial and a gate line which is separately connected with the two or more TFT. The TFT is made of oxide semiconductor as a channel. Zinc Oxide, Ga-In-Zn Oxide, In-Zn-Oxide, In-Sn-Oxide or Tin Oxide is used for making the oxide semiconductor.

Abstract translation: 目的：提供一种用于主动显示装置的开关装置，以提高显示装置的电可靠性。 构成：有源显示装置的开关装置包括串联连接的两个或更多个TFT和与两个或更多个TFT分开连接的栅极线。 TFT由氧化物半导体作为沟道。 氧化锌，G​​a-In-Zn氧化物，In-Zn氧化物，In-Sn氧化物或氧化锡用于制造氧化物半导体。