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公开(公告)号：KR1020060041107A
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：KR1020040090589
申请日：2004-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67126 , H01L21/6719
Abstract: 반도체 공정을 진행하기 위한 진공챔버와 진공챔버를 개폐하기 위한 개폐유닛을 구비한 반도체 제조용 공정챔버에 있어서, 상기 개폐유닛을 상기 진공챔버에 수직으로 안착시킴으로써, 오링의 손상이 없어지고, 진공챔버의 기밀의 유지가 쉬워진다.
또한, 개폐유닛이 지지부를 중심으로 회전가능함으로써, 챔버의 부품교환이나 청소시에 진공챔버의 개구부가 완전개방되어 부품교환과 청소가 용이하다.Abstract translation: 一种用于半导体制造的处理室，包括用于执行半导体处理的真空室和用于打开和关闭真空室的打开和关闭单元，其中所述打开和关闭单元竖直地安装在真空室上， 维护机密性变得容易。
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公开(公告)号：KR100541461B1
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020040083718
申请日：2004-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은, 스테이지장치에 관한 것으로서, 베이스와; 상기 베이스에 대해 상대 이동가능하게 마련된 스테이지와; 상기 베이스에 대해 상기 스테이지를 상대 이동시키도록 마련된 복수의 구동유닛을 포함하며, 상기 각 구동유닛은, 상기 베이스에 대해 상기 스테이지방향으로 이동가능하게 마련된 제1영역과, 상기 제1영역의 이동방향에 수직한 방향으로 이동가능하게 마련된 제2영역을 갖는 링크와; 상기 링크의 제1영역이 상기 스테이지를 이동시키도록 상기 링크의 제2영역을 이동시키는 링크구동부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 스테이지장치의 전체크기를 용이하게 줄일 수 있다.
Abstract translation: 舞台装置技术领域本发明涉及一种舞台装置，其包括：基座; 设置成可相对于基座移动的台; 以及多个驱动单元，所述多个驱动单元设置成使所述台相对于所述基座相对移动，其中，每个所述驱动单元包括：第一区域，所述第一区域可沿所述台的方向相对于所述基座移动; 第二区域，该第二区域在与第一方向垂直的方向上可移动; 以及连杆驱动单元，其移动连杆的第二区域，使得连杆的第一区域移动平台。 因此，舞台装置的整体尺寸可以容易地减小。
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公开(公告)号：KR1020050102800A
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：KR1020040028074
申请日：2004-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G9/12
Abstract: 액체 토너 조성물이 개시된다. 본 액체 토너 조성물은 착색제, 오가노졸, 대전 제어제 및 캐리어 액체를 포함하고,상기 오가노졸은 상기 캐리어 액체에 불용성인 열가소성 (코)폴리머 코아와, 상기 열가소성 (코)폴리머 코아에 공유 결합되어 있는 (코)폴리머 그래프트 안정제를 포함하며, 상기 (코)폴리머 그래프트 안정제는 상기 캐리어 액체에 가용성인 모노머와 상기 (코)폴리머 코아용 모노머를 중합한 고분자 물질인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 전자사진용 화상형성장치에 있어서 감광체 및 전사체의 클리닝이 성능을 향상시킬 수 있고, 구동시 마찰력에 의한 과부하를 방지할 수 있는 액체 토너 조성물을 제공할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020050009808A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：KR1020030048881
申请日：2003-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/3244
Abstract: PURPOSE: An etching apparatus is provided to control a density, a deposition rate, an etch rate and uniformity of plasma by adjusting a gas density and gas speed on a wafer in a chamber. CONSTITUTION: A gas supply part(22) has at least a pair of gas supply holes. At least one gas distribution part(2) is separated from the gas supply part by an isolated space, including an upper partition wall and a lower partition wall. The upper partition wall is of a loop type, protruding from the center region of the upper plate of the gas distribution part. The lower partition wall is of a loop type, protruding from the center region of the lower plate of the gas distribution part. A shower head injects process gas into a chamber(1), separated from the gas distribution part by an isolated space.
Abstract translation: 目的：提供蚀刻装置，通过调节腔室中的晶片上的气体密度和气体速度来控制密度，沉积速率，等离子体的蚀刻速率和均匀性。 构成：气体供给部（22）具有至少一对气体供给孔。 至少一个气体分配部分（2）通过包括上分隔壁和下分隔壁的隔离空间与气体供应部分分离。 上分隔壁是从气体分配部的上板的中心区域突出的环状。 下分隔壁是从气体分配部的下板的中心区域突出的环状。 淋浴头将处理气体注入到室（1）中，与气体分配部分隔开隔离空间。
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公开(公告)号：KR1020000020758A
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980039506
申请日：1998-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
Abstract: PURPOSE: An analyzing method is provided to measure impurity doping density of a specific thin film by measuring refractivity, absorbance or reflectance of the specific thin film regarding light having a specific range of a wavelength. CONSTITUTION: A method of analyzing impurity doping density of a thin film comprises the steps of: manufacturing a plurality of a standard wafers on which a standard thin film having different impurity doping density is formed and measuring optic data of a specific range of a wavelength regarding the standard thin film by applying a light source of a predetermined range to the standard wafer; inducing a mutual relation between the impurity doping density of the standard thin film and the optic data; measuring the optic data of the analyzed thin film regarding the same wavelength range as used in measuring the optic data of the standard thin film by applying a light source of a predetermined range to a semiconductor substrate on which a predetermined thickness of an analyzed thin film doped with impurities of arbitrary density is formed; and analyzing impurity doping density of the analyzed thin film from the optic data of the analyzed thin film and the mutual relation.
Abstract translation: 目的：提供一种分析方法，通过测量具有特定波长范围的光的特定薄膜的折射率，吸光度或反射率来测量特定薄膜的杂质掺杂密度。 构成：分析薄膜的杂质掺杂浓度的方法包括以下步骤：制造多个其上形成具有不同杂质掺杂密度的标准薄膜的标准晶片，并测量波长相关的波长的特定范围的光学数据 所述标准薄膜通过将一预定范围的光源施加于所述标准晶片; 引起标准薄膜的杂质掺杂浓度与光学数据之间的相互关系; 通过将预定范围的光源施加到预定厚度的分析薄膜掺杂的半导体衬底上，测量与用于测量标准薄膜的光学数据相同的波长范围的分析薄膜的光学数据 形成任意密度的杂质; 并从分析的薄膜的光学数据和相互关系中分析分析的薄膜的杂质掺杂密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100240125B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970007962
申请日：1997-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김정욱
IPC: G12B17/02
Abstract: 이 발명은 전자기 차폐를 개선한 옵션카드 장착장치 및 이를 사용한 컴퓨터에 관한 것으로, 옵션카드에 연결되어 있는 옵션카드 슬롯과; 상기 옵션카드 슬롯이 외부의 메인보드에 정확히 끼워지도록 가이드 역할을 하고, 옵션카드 블라켓이 휘었더라도 전자기 방해 차폐작용이 되도록 하는 메인보드 샤시를 포함하여 구성되어, 메인보드와 옵션카드의 접촉을 강화하고 빈 공간이 발생치 않도록 옵션카드의 유입을 가이드 할 성형구조를 추가하여 작은 빈 공간이라도 발생되지 않도록, 또한 고주파 신호의 유출이 가능한한 되지 않도록 할 수 있는 전자기 차폐를 개선한 옵션카드 장착장치 및 이를 사용한 컴퓨터에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100191233B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960034496
申请日：1996-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 상온에서 물성요소의 변화가 없이 일정한 시그널(Signal)을 유지하는 시료로서 열파동(Thermal Wave)을 이용하여 이온주입의 정도를 평가하는 검사장치의 검,교정이 정확하게 이루어지도록 개선시킨 반도체 기준시료의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 열파동(Thermal Wave)을 이용하여 이온주입에 따른 손상정도를 평가하는 검사장치를 검,교정하기 위한 반도체 기준시료의 제조방법에 있어서, 소정의 에너지로 이온이 주입된 반도체 시료를 베이킹(Baking)하는 단계 및 상기 베이킹이 수행된 반도체 시료를 플라즈마(Plasma)를 이용하여 표면을 처리하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 열파동을 이용하여 이온주입을 평가하는 검사장치의 정확한 검,교정이 이루어져서 이온주입을 평가하는 데이터에 대한 신뢰도를 높이는 효과가 있다.-
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公开(公告)号：KR1019980015714A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035150
申请日：1996-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 이온(Ion)이 주입된 반도체 웨이퍼를 절단 및 연마(Grinding)하여 반도체 시료로 준비하여 깊이정도에 따른 측정범위를 확대시킨 반도체 웨이퍼 이온주입 평가방법에 관한 것이다.
본 발명은, 이온주입의 깊이정도에 따른 이온의 분포를 평가하기 위한 반도체 웨이퍼 이온주입 평가방법에 있어서, 이온이 주입된 반도체 웨이퍼의 일부를 수직절단하여 반도체 시료를 준비하는 단계, 상기 수직절단된 반도체 시료를 표면을 기준으로 θ각으로 연마하는 단계 및 상기 반도체 시료의 연마면을 따라 이온의 분포를 측정하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 절단 및 연마하여 준비되는 반도체 시료를 이용하여 측정범위가 확대되어 깊이정도에 따른 이온분포를 정확하고 신속하게 평가할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980015246A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960034496
申请日：1996-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 상온에서 물성요소의 변화가 없이 일정한 시그널(Signal)을 유지하는 시료로서 열파동(Thermal Wave)을 이용하여 이온주입의 정도를 평가하는 검사장치의 검,교정이 정확하게 이루어지도록 개선시킨 반도체 기준시료의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 열파동(Thermal Wave)을 이용하여 이온주입에 따른 손상정도를 평가하는 검사장치를 검,교정하기 위한 반도체 기준시료의 제조방법에 있어서, 소정의 에너지로 이온이 주입된 반도체 시료를 베이킹(Baking)하는 단계 및 상기 베이킹이 수행된 반도체 시료를 플라즈마(Plasma)를 이용하여 표면을 처리하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 열파동을 이용하여 이온주입을 평가하는 검사장치의 정확한 검,교정이 이루어져서 이온주입을 평가하는 데이터에 대한 신뢰도를 높이는 효과가 있다.
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