公开(公告)号：KR3005891860000S

公开(公告)日：2011-02-21

申请号：KR3020090043243

申请日：2009-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 이정현 ,  강윤제

公开(公告)号：KR1020100130009A

公开(公告)日：2010-12-10

申请号：KR1020090048652

申请日：2009-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  마동준

IPC: H01L21/208

CPC classification number: C23C18/122 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/14 ,  H01L21/288 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A silicon film manufacturing method is provided to improve the utilization of a silicon film by controlling the thickness range of the silicon film according to a purpose. CONSTITUTION: A solution for the formation of silicon is manufactured. A UV is irradiated to the solution. The solution for the formation of silicon is spread onto a substrate. A solvent within the solution for the formation of silicon is removed. An electron beam is irradiated.

Abstract translation: 目的：提供一种硅膜制造方法，以通过根据目的控制硅膜的厚度范围来提高硅膜的利用率。 构成：制造用于形成硅的解决方案。 对溶液照射UV。 用于形成硅的溶液扩散到基底上。 除去用于形成硅的溶液中的溶剂。 照射电子束。

公开(公告)号：KR100982510B1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：KR1020030064158

申请日：2003-09-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박현수 ,  심재성 ,  이재욱 ,  이정현 ,  류은진 ,  조잉섭

IPC: G11B20/10

CPC classification number: G11B20/10009 ,  G11B20/10203 ,  G11B20/10296 ,  G11B20/10333

Abstract: 본 발명은 신호 특성 측정 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광 디스크에서 비터비 검출기의 레벨 정보를 바탕으로 신호의 특성을 검출하는 신호 특성 측정 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명은 신호 특성 측정 장치로서, 입력 RF 신호로부터 이진 신호를 생성하는 이진화 수단; 상기 입력 RF 신호 및 상기 비터비 디코더의 이진 출력 신호를 수신하여 각 이진 신호에 해당하는 기준 레벨값을 출력하는 채널 식별기; 및 상기 기준 레벨값을 수신하여 신호 특성값을 검출하는 정보 연산기를 포함한다. 본 발명에 의하면, 좀더 정확한 비대칭 지수 및 변조도의 계산을 가능하게 하기 위한 신호 특성 검출 장치 및 방법이 제공된다.

Abstract translation: 用于测量信号特性的装置和方法技术领域本发明涉及用于测量信号特性的装置和方法，并且更具体地涉及用于基于光盘中的维特比检测器的电平信息来测量信号特性的装置和方法。 一种用于测量信号特性的装置，包括：用于从输入RF信号产生二进制信号的二值化装置; 信道标识符，用于接收维特比解码器的输入RF信号和二进制输出信号，并输出对应于每个二进制信号的参考电平值; 信息计算器用于接收参考电平值并检测信号特征值。 根据本发明，提供了一种用于检测信号特征以便能够计算更精确的不对称指数和调制度的设备和方法。

公开(公告)号：KR1020100057772A

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：KR1020100046021

申请日：2010-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  서범석 ,  민요셉 ,  조영진

IPC: H01G4/018 ,  H01G4/005

Abstract: PURPOSE: A method for forming a high dielectric oxide layer, a capacitor with a dielectric layer made by the same, and a manufacturing method thereof are provided to improve productivity using one ALD(Atomic Layer Deposition) device. CONSTITUTION: A capacitor of a semiconductor device comprises a bottom electrode(60a), an AHO((Alx,Hf1-x) Oy) layer(42), an anti-oxidation layer(44), an upper electrode(60b) and a dielectric layer. The AHO layer is laminated on the bottom electrode. The anti-oxidation layer is interposed between the bottom electrode and the AHO layer. The upper electrode is formed on the AHO layer. The dielectric layer is interposed between the upper electrode and the AHO layer. The dielectric layer has higher dielectric constant than that of the AHO layer.

Abstract translation: 目的：提供一种形成高电介质氧化物层的方法，具有由其制成的电介质层的电容器及其制造方法，以使用一种ALD（原子层沉积）器件提高生产率。 构成：半导体器件的电容器包括底电极（60a），AHO（（Alx，Hf1-x）Oy）层（42），抗氧化层（44），上电极（60b）和 电介质层。 AHO层层压在底部电极上。 抗氧化层介于底部电极和AHO层之间。 上电极形成在AHO层上。 电介质层介于上电极和AHO层之间。 电介质层的介电常数高于AHO层。

公开(公告)号：KR100947064B1

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：KR1020030056034

申请日：2003-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  서범석

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691

Abstract: 반도체 장치의 커패시터 및 이를 구비하는 메모리 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 하부전극, 유전막 및 상부전극을 구비하는 반도체 장치의 커패시터에 있어서, 상기 유전막이 서로 다른 복수의 밴드 갭을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터와 함께 이러한 커패시터를 포함하는 메모리 장치를 제공한다. 상기 유전막은 상기 하부전극 상에 형성된, 제1 밴드 갭을 갖는 제1 유전막, 상기 제1 유전막 상에 형성된, 제2 밴드 갭을 갖는 제2 유전막 및 상기 제2 유전막 상에 형성된, 제3 밴드 갭을 갖는 제3 유전막을 포함한다. 상기 제2 밴드 갭은 상기 제1 및 제3 밴드 갭보다 작다.

公开(公告)号：KR1020100007680A

公开(公告)日：2010-01-22

申请号：KR1020080112874

申请日：2008-11-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 방경 ,  주혜리 ,  이정현 ,  박수범

IPC: G03G9/08

Abstract: PURPOSE: An electrophotographic toner is provided to ensure low temperature fixation, fixation property, heat storage and anti-offset property, and high glossiness and to reduce harmfulness for environment and human body. CONSTITUTION: An electrophotographic toner includes a latex, colorant, wax, Si and Fe. The toner has 3-1,000 ppm Si and Fe. A molar ratio of Si/Fe may be about 0.1 to about 5. The fixation property of toner satisfies the condition of chemical formula 1 and chemical formula 2. In chemical formulas, MFTA represents a minimum fixation temperature in a low speed printing of 160 mm/sec. MFTB represents a minimum fixation temperature in a high speed printing of 290 mm/sec. HOTA represents a hot offset temperature in a low speed printing of 160 mm/sec. HOTB represents a hot offset temperature in a high speed printing of 290 mm/sec.

Abstract translation: 目的：提供电子照相调色剂，以确保低温定影，定影性能，储热性和抗偏移性，高光泽度，并减少对环境和人体的危害。 构成：电子照相调色剂包括胶乳，着色剂，蜡，Si和Fe。 该调色剂具有3-1,000ppm的Si和Fe。 Si / Fe的摩尔比可以为约0.1至约5.调色剂的固色性满足化学式1和化学式2的条件。在化学式中，MFTA表示低速印刷中最小定影温度为160mm /秒。 MFTB表示290mm / sec的高速印刷中的最低定影温度。 HOTA表示160mm / sec的低速印刷中的热胶印温度。 HOTB表​​示290mm / sec的高速印刷中的热胶印温度。

公开(公告)号：KR100902504B1

公开(公告)日：2009-06-15

申请号：KR1020060100386

申请日：2006-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  이정현

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C13/0011 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/144

Abstract: 본 발명은 비정질 고체 전해질층을 포함하는 저항성 메모리 소자 및 그 동작방법에 관하여 개시한다. 개시된 저항성 메모리 소자는: 스위칭 소자와 이에 연결된 스토리지 노드를 포함하며, 상기 스토리지 노드는: 하부전극; 상기 하부전극과 교차하는 상부전극; 및 상기 상부전극 및 하부전극 사이에 형성된 데이터 저장층인 비정질 고체 전해질층:을 구비한다. 상기 하부전극 및 상부전극 중 적어도 어느 하나는 확산 금속으로 제조된 것을 특징으로 하는 한다.

公开(公告)号：KR1020090048965A

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：KR1020070115099

申请日：2007-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현

IPC: H04B1/38

CPC classification number: G06F3/0362 ,  G06F3/0485

Abstract: 본 발명은 스크롤 장치에 관한 것으로서, 기기의 케이스 프레임에 일부 돌출되며, 조작에 의해 상호 대향되는 방향으로 유동이 가능하도록 설치되는 스크롤 버튼과, 상기 스크롤 버튼의 유동을 감지하는 센싱 수단 및 상기 센싱 수단의 감지 신호에 대응하여 상기 기기의 디스플레이 된 화면을 일정 방향으로 스크롤하는 제어부를 포함함을 특징으로 하는 스크롤 장치를 사용함으로써, 두께가 얇은 슬림(slim) 휴대용 단말기에 마우스 휠의 스크롤과 같은 편리한 스크롤 장치를 장착하여 사용자의 편의를 도모하고 인터넷이나 문서편집 등의 사용을 편하게 하여 서비스의 이용을 높이므로 사용자의 선호도를 높일 수 있다.
스크롤, 센서, 입력장치, 휴대폰, 휴대용 단말기

公开(公告)号：KR1020090039549A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：KR1020070105262

申请日：2007-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은아 ,  이정현 ,  권태경 ,  박태진

IPC: H04L9/08 ,  H04L9/32 ,  G06K17/00 ,  H04B5/00

CPC classification number: H04L9/3271 ,  H04L2209/08 ,  H04L2209/805

Abstract: A tag authentication method using the rotation and a tag and a reader for executing the method are provided to completely synchronize the leader and the tag by using the rotation factor and the rotation function. A tag authentication method using the rotation is as follows. A reader produces the first random number as the challenge(S301). A tag produces the second random number as the blinding factor(S302). The first random number is transmitted to the tag by the reader(S303). The tag produces the rotation factor by using the first random number and the first secrete value(S304). The tag calculates the first verification value based on the second random number, the second secrete value, and the rotation factor(S305). The tag transmits the first verification value and the second random number generated as the blinding factor to the reader(S306). The reader produces the rotation factor by using the second random number and the first secrete value(S307). The reader calculates the second verification value based on the first random number, the second secrete value, and the rotation factor(S308). The first verification value and the second verification value are compared by the reader(S309).

Abstract translation: 提供使用旋转的标签认证方法和用于执行该方法的标签和读取器，以通过使用旋转因子和旋转功能来完全同步领导者和标签。 使用旋转的标签认证方法如下。 读取器产生第一个随机数作为挑战（S301）。 标签产生第二随机数作为盲目因子（S302）。 第一随机数由读取器发送到标签（S303）。 标签通过使用第一随机数和第一分离值产生旋转因子（S304）。 标签基于第二随机数，第二分泌值和旋转因子计算第一验证值（S305）。 标签将作为盲目因素生成的第一验证值和第二随机数发送到读取器（S306）。 读取器通过使用第二随机数和第一分离值产生旋转因子（S307）。 读取器基于第一随机数，第二分泌值和旋转因子计算第二验证值（S308）。 第一验证值和第二验证值由读取器进行比较（S309）。

公开(公告)号：KR1020090025955A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020070091188

申请日：2007-09-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  박용영 ,  황순원

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0223

Abstract: A self-aligned structure formation method is provided to reduce the processing stage by forming the charge storage layer/air-gap insulating layer/control gate structure at the same time. A self-aligned structure formation method includes the step for forming a nano wire(20) separated from a substrate(10); the step for forming the second material layer(25) on the nano wire surface and the first material layer(15) on the top of the substrate at the same time through the deposition process; the step for forming the self-aligned structure of the first material layer/air-gap insulating layer/second material layer including an air gap insulating layer(23).

Abstract translation: 提供了自对准结构形成方法，通过同时形成电荷存储层/气隙绝缘层/控制栅极结构来减少处理阶段。 自对准结构形成方法包括形成与基板（10）分离的纳米线（20）的工序。 通过沉积工艺同时在纳米线表面上形成第二材料层（25）和在衬底顶部上的第一材料层（15）的步骤; 形成包括气隙绝缘层（23）的第一材料层/气隙绝缘层/第二材料层的自对准结构的步骤。