흡수층을 이용한 광통신 모듈
    31.
    发明授权
    흡수층을 이용한 광통신 모듈 失效
    흡수층을이용한광통신모듈

    公开(公告)号:KR100396524B1

    公开(公告)日:2003-09-02

    申请号:KR1020010071830

    申请日:2001-11-19

    Abstract: PURPOSE: An optical communication module using an absorbing layer is provided to prevent the transmission of the stress to an optical fiber by absorbing the stress between a silicon optical bench and a substrate. CONSTITUTION: A substrate(110) is formed with a Kovar material. A bonding pad and circuit elements are formed on an upper surface of a silicon optical bench(120). A V-shaped groove(115) is formed on the upper surface of the silicon optical bench in order to fix an optical fiber(150). The first and the second semiconductor chips(130,140) are adhered on the upper surface of the silicon optical bench by using AuSn material. The optical fiber is formed on the V-shaped groove. An epoxy(160) is coated on an upper surface of the optical fiber. An absorbing layer(170) is used for absorbing the stress transmitted from the silicon optical bench to the substrate.

    Abstract translation: 目的:提供使用吸收层的光通信模块,以通过吸收硅光学台和基板之间的应力来防止应力传递到光纤。 构成:衬底(110)由可伐合金材料形成。 焊盘和电路元件形成在硅光学台(120)的上表面上。 V形槽(115)形成在硅光具座的上表面上以固定光纤(150)。 第一和第二半导体芯片(130,140)通过使用AuSn材料粘附在硅光具座的上表面上。 光纤形成在V形槽上。 环氧树脂(160)被涂覆在光纤的上表面上。 吸收层(170)用于吸收从硅光学台传输到基板的应力。

    이미지 센서, 이를 포함하는 전자 장치 및 이의 동작 방법
    33.
    发明公开
    이미지 센서, 이를 포함하는 전자 장치 및 이의 동작 방법 审中-实审
    图像传感器,包括该图像传感器的电子设备以及操作方法

    公开(公告)号:KR1020170052315A

    公开(公告)日:2017-05-12

    申请号:KR1020150154619

    申请日:2015-11-04

    CPC classification number: G03B7/26 H04N5/232 H04N5/30 H04N5/335 H04N5/357

    Abstract: 다양한실시예에따른이미지센서는, 복수의픽셀들을포함하는픽셀어레이; 상기픽셀어레이를통해획득된광량을제 1 디지털신호로변환하기위한제 1 그룹의아날로그-디지털변환기; 및상기제 1 그룹과인접하고, 이미지센서로공급되는전원을제 2 디지털신호로변환하기위한제 2 그룹의아날로그-디지털변환기를포함한다. 다양한실시예에따른전자장치는, 전원공급모듈; 및이미지센서를포함하고, 상기이미지센서는, 복수의픽셀들을포함하는픽셀어레이; 상기픽셀어레이를통해획득된광량을제 1 디지털신호로변환하기위한제 1 그룹의아날로그-디지털변환기; 및상기제 1 그룹과인접하고, 상기전원공급모듈로부터상기이미지센서로공급된전원을제 2 디지털신호로변환하기위한제 2 그룹의아날로그-디지털변환기를포함한다. 다양한실시예에따른전자장치는, 이미지센서; 상기이미지센서에전원을공급하기위한전원공급모듈; 및상기이미지센서내부에구비되어있는전원제어모듈을포함하고, 상기전원제어모듈은, 상기전원을측정하고; 및상기전원이지정된범위를벗어났을경우상기전원공급모듈에피드백을전송하도록설정된다. 다양한실시예에따른동작방법은, 픽셀어레이, 제 1 그룹의아날로그-디지털변환기, 및상기제 1 그룹과인접한, 제 2 그룹의아날로그-디지털변환기를포함하는이미지센서에서, 상기이미지센서의외부로부터전원을수신하는동작; 상기제 1 그룹을이용하여, 상기픽셀어레이를통해획득된광량을제 1 디지털신호로변환하는동작; 및상기제 2 그룹을이용하여, 상기전원을제 2 디지털신호로변환하는동작을포함한다.

    Abstract translation: 根据各种实施例的图像传感器包括:包括多个像素的像素阵列; 第一组模数转换器,用于将通过像素阵列获取的光量转换为第一数字信号; 以及与第一组相邻的第二组模数转换器,用于将提供给图像传感器的功率转换为第二数字信号。 根据各种实施例的电子设备包括:电源模块; 一种图像传感器,该图像传感器包括:包括多个像素的像素阵列; 第一组模数转换器,用于将通过像素阵列获取的光量转换为第一数字信号; 以及与第一组相邻的第二组模数转换器,用于将从电源模块提供给图像传感器的功率转换为第二数字信号。 根据各种实施例的电子设备包括图像传感器; 电源模块,用于向图像传感器供电; 以及设置在所述图像传感器内部的电源控制模块,其中所述电源控制模块测量所述电源; 并在电源超出指定范围时向电源模块发送反馈。 根据各种实施例的操作方法包括以下步骤:在包括像素阵列,第一组模数转换器以及与第一组相邻的第二组模数转换器的图像传感器中, 接收能力; 使用第一组转换通过像素阵列获取的光量到第一数字信号; 并且使用第二组将电源转换为第二数字信号。

    이미지 데이터를 생성하는 전자 장치 및 방법
    34.
    发明公开
    이미지 데이터를 생성하는 전자 장치 및 방법 审中-实审
    用于产生图像数据的电子设备和方法

    公开(公告)号:KR1020170040572A

    公开(公告)日:2017-04-13

    申请号:KR1020150139712

    申请日:2015-10-05

    Abstract: 다양한실시예들에따르면, 객체에대응하는광 신호를획득하기위한이미지센서와, 상기이미지센서를제어하기위한제어부를포함하는전자장치에서, 상기광 신호를이용하여상기객체에대응하는이미지를생성하기위한모드를확인하는동작과, 상기모드에적어도기반하여, 상기이미지의상기생성에사용될적어도하나의이미지속성에대한세팅을결정하는동작과, 상기세팅에적어도기반하여, 상기광 신호에대응하는픽셀데이터를이용하여이미지데이터를생성하는동작과, 및상기이미지데이터에적어도기반하여, 상기객체에대응하는상기이미지를상기전자장치와기능적으로연결된디스플레이를통하여표시하는동작을포함할수 있다.

    Abstract translation: 根据各种实施例,在包括用于获取对应于对象的光信号的图像传感器和用于控制图像传感器的控制的电子设备中,光信号被用于生成与对象相对应的图像 至少部分地基于所述模式,确定要在所述图像的所述生成中使用的至少一个图像属性的模式;以及至少基于所述设置, 使用像素数据生成图像数据,并且至少基于图像数据,通过功能上耦合到电子设备的显示器显示与对象相对应的图像。

    이미지를 촬영하는 전자 장치 및 방법
    35.
    发明公开
    이미지를 촬영하는 전자 장치 및 방법 审中-实审
    用于捕获图像的电子设备和方法

    公开(公告)号:KR1020160141572A

    公开(公告)日:2016-12-09

    申请号:KR1020150077453

    申请日:2015-06-01

    Abstract: 이미지를촬영하는전자장치는, 렌즈, 각각의픽셀이복수개의포토다이오드를포함하는이미지센싱모듈, 상기렌즈를제 1 위치로부터제 2 위치로이동시키는렌즈구동모듈및 상기제 1 위치에서상기복수개의포토다이오드각각에서측정된제 1 수광량및 상기제 2 위치에서상기복수개의포토다이오드각각에서측정된제 2 수광량에기초하여, 상기이미지를생성하는프로세서를포함할수 있다.

    Abstract translation: 描述了用于拍摄图像的电子设备,其包括透镜; 具有像素的图像感测模块,每个像素包括多个光电二极管; 透镜驱动模块,其将透镜从第一位置移动到第二位置; 以及处理器,其基于由所述第一位置处的所述多个光电二极管测量的第一接收光量和在所述第二位置处由所述多个光电二极管测量的第二接收光量来创建所述图像。

    이미지 초점 표시 방법 및 상기 방법이 적용되는 전자장치
    37.
    发明公开
    이미지 초점 표시 방법 및 상기 방법이 적용되는 전자장치 审中-实审
    用于显示图像焦点的方法和装置应用于该图像的装置

    公开(公告)号:KR1020150099353A

    公开(公告)日:2015-08-31

    申请号:KR1020140020969

    申请日:2014-02-21

    Abstract: 본 발명의 다양한 실시 예들 중 하나의 실시 예에 따르면, 카메라 모듈 상기 카메라 모듈과 기능적으로 연결된 카메라 제어 모듈을 포함하고, 상기 카메라 제어 모듈은, 상기 카메라 모듈을 이용하여 촬영될(to be captured) 피사체에 대한 초점 정보를 획득하고, 적어도 상기 초점 정보에 기반하여, 상기 피사체에 초점을 맞추기 위하여 상기 카메라의 렌즈를 이동하고, 상기 렌즈의 이동에 대응하는 가이드 정보를 상기 전자 장치와 기능적으로 연결된 출력 장치를 통하여 제공하도록 설정될 구 있다. 다른 실시예가 가능하다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于显示图像焦点的方法和应用其方法的电子设备。 根据本发明的各种实施例中的实施例,电子设备包括:相机模块; 以及摄像机控制模块,其功能性地连接到所述摄像机模块,其中所述摄像机控制模块通过使用所述摄像机模块获得要拍摄的被摄体的焦点信息,移动摄像机的镜头以至少基于所述摄像机模块调整所述对象的焦点 聚焦信息,并且设置与通过功能上连接到电子设备的输出设备提供的透镜的移动相对应的引导信息。 此外,其他实施例也是可能的。

    이미지 촬영 방법 및 그 전자 장치
    38.
    发明公开
    이미지 촬영 방법 및 그 전자 장치 审中-实审
    用于捕获其图像和电子设备的方法

    公开(公告)号:KR1020150026395A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:KR1020130105157

    申请日:2013-09-02

    Inventor: 이우용 장동훈

    CPC classification number: H04N5/23245 H04N5/23212 H04N5/23293

    Abstract: 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 전자 장치의 동작 방법에 있어서, 카메라 촬영 모드 진입 이벤트에 따라 카메라 촬영 모드로 진입하는 동작과, 촬영 이벤트를 감지하는 동작과, 상기 촬영 이벤트가 상기 카메라 촬영 모드 진입 이벤트 발생 시 또는 상기 카메라 촬영 모드 진입 시부터 일정 시간 내인지 결정하는 동작 및 상기 일정 시간 내인 경우에는 즉시 촬영을 수행하고, 상기 일정 시간 이후인 경우에는 일반 촬영을 수행하는 동작을 포함하는 방법을 제공할 수 있다.
    또한, 다른 실시 예가 가능하다.

    Abstract translation: 根据本发明的实施例,提供了一种用于操作电子设备的方法。 所提供的方法包括以下操作:根据相机拍摄模式输入事件进入相机拍摄模式; 检测拍摄事件; 确定拍摄事件是否在从相机拍摄模式进入事件发生时起的预定时间内或者进入相机拍摄模式的时间; 并且当拍摄事件在预定时间之后执行正常拍摄,并且在预定时间内执行立即拍摄。 此外,其他实施例是可用的。

    셰어드 비트라인 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법
    39.
    发明授权
    셰어드 비트라인 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 有权
    具有共享位线方案的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR101458959B1

    公开(公告)日:2014-11-10

    申请号:KR1020080059781

    申请日:2008-06-24

    CPC classification number: H01L27/11521 H01L27/115 H01L27/11519

    Abstract: 셰어드 비트라인 구조에 액티브 브리지 패턴이 형성된 반도체 장치 및 그 제조방법을 개시한다. 반도체 기판의 표면에 액티브 영역들이 서로 이격 배열된다. 소자 분리막은 상기 액티브 영역들을 전기적으로 분리시켜 주고, 상기 액티브 영역들사이에 리세스부들을 구비한다. 절연막이 상기 기판상에 배열되어, 상기 소자 분리막의 상기 리세스부들 및 상기 리세스부들와 접하는 상기 액티브 영역들의 상면 및 측면의 일부분들을 노출시켜 주는 개구부들을 구비한다. 액티브 브리지 패턴들이 상기 소자 분리막의 상기 리세스부들에 적어도 배열되어, 상기 액티브 영역들을 전기적으로 연결시켜 준다. 배선 라인들이 상기 개구부들내에 매립되어 적어도 상기 액티브 브리지 패턴들과 전기적으로 연결된다.

    반도체 소자 및 그 제조 방법
    40.
    发明公开
    반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020140112771A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:KR1020130027261

    申请日:2013-03-14

    Abstract: A vertical semiconductor element includes a semiconductor pattern, including a first foreign matter area doped with a first conductive foreign matter and having first foreign matter concentration, in a substrate. A second foreign matter area, doped with the first conductive foreign matter and having second foreign matter concentration, is included in a part of the substrate touching the semiconductor pattern. A filler structure including a channel pattern is included in the semiconductor pattern. Word line structures horizontally, extended while surrounding sides of the filler structure and the semiconductor pattern and provided to a gate of a transistor, are included. A third foreign matter area, doped with a second conductive foreign matter which is the opposite to the first conductive foreign matter and provided to a common source line, is included in a part of the substrate which is adjacent to a side end part of the word line structures. A fourth foreign matter area, having third foreign matter concentration lower than the first and second foreign matter concentration, is included between first foreign matter areas and between the first and third foreign matter areas. The vertical semiconductor element reduces the distribution of an electric property.

    Abstract translation: 垂直半导体元件包括在衬底中包括掺杂有第一导电异物并且具有第一异物浓度的第一异质区域的半导体图案。 掺杂有第一导电异物并且具有第二异物浓度的第二异物区域包括在接触半导体图案的基板的一部分中。 包括沟道图案的填充结构包括在半导体图案中。 包括字线结构水平地延伸,而填充结构的周边和半导体图案被提供到晶体管的栅极。 掺杂有与第一导电异物相反并提供给公共源极线的第二导电异物的第三异物区域包括在与该字的侧端部分相邻的衬底的一部分中 线结构。 具有第一异物浓度低于第一和第二异物浓度的第三异物浓度的第四异物区域被包括在第一异物区域之间以及第一和第三异物区域之间。 垂直半导体元件减小了电性能的分布。

Patent Agency Ranking