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公开(公告)号：KR1020130039807A
公开(公告)日：2013-04-23
申请号：KR1020110104387
申请日：2011-10-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A pre-made superlattice thermoelectric oxide plasma surface treatment method is provided to improve relatively insufficient electric conductivity without changing low thermal conductivity due to superlattice structure. CONSTITUTION: A thermoelectric oxide plasma surface treatment method comprises the following steps. Thermoelectric oxide with a pre-made superlattice structure is transferred to a reaction chamber. Plasma is formed by applying RF power to a reaction chamber. Plasma treatment is performed only on the surface of the superlattice thermoelectric oxide transferred from the inside of the reaction chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种预制的超晶格热电氧化物等离子体表面处理方法，以改善相对不足的导电性，而不会由于超晶格结构而改变低热导率。 构成：热电氧化物等离子体表面处理方法包括以下步骤。 具有预制超晶格结构的热电氧化物被转移到反应室。 通过将RF功率施加到反应室来形成等离子体。 仅在从反应室内转移的超晶格热电氧化物的表面进行等离子体处理。
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32.发明授权
公开(公告)号：KR101192934B1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：KR1020110026564
申请日：2011-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 금속산화물 나노구체를 구비한 자외선 센서는 기판; 기판 상에 형성되는 절연막 층; 상기 절연막 층 상의 금속산화물 나노선으로 이루어지는 금속산화물 나노구조체; 및 기판의 하부면과 금속산화물 나노선의 상단면에 각각 형성되는 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 금속산화물 나노구조체를 구비한 자외선 센서에 의하면, 자외선 센서의 배경 전류를 차단하는 절연막이 기판 상에 형성되고 상기 절연막 층 상의 금속산화물 나노선으로 이루어지는 금속산화물 나노구조체를 구비하여 자외선 센서로서 매우 우수한 선택성, 응답성, 그리고 회복속도를 발휘할 수 있는 효과를 제공한다.-
公开(公告)号：KR101191481B1
公开(公告)日：2012-10-15
申请号：KR1020110026124
申请日：2011-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 금속산화물 나노구조체를 구비한 투명 자외선 센서로서,
하부 투명전극; 하부 투명전극 상에 형성된 절연막 층; 절연막 층 상에 형성된 금속산화물 나노구조체; 및 금속산화물 나노구조체의 상단면에 형성된 전극을 포함하며, 하부 투명전극을 하부 전극으로 하고 상기 금속산화물 나노구조체의 상단면에 형성된 전극을 상부 전극으로 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 금속산화물 나노구조체를 구비한 투명 자외선 센서에 의하면, 자외선이 조사되면 금속산화물 나노구조체에 형성된 광전류가 투명한 절연막 층을 통과하게 되고 이로 인해 자외선 센서로서의 기능을 수행하게 되는 것이다. 기존의 발명과의 차이점은 하부 기판을 투명한 기판으로 하여 하부 기판쪽에서 조사되는 자외선도 감지할 수 있는 것이 본 발명의 특징이다.-
公开(公告)号：KR1020120098360A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020110026546
申请日：2011-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y40/00 , C01G9/02 , C23C16/44
Abstract: PURPOSE: A zinc oxide nano-structure in which MgO layer is inserted and a manufacturing method thereof are provided to grow amorphous MgO layer on a substrate in a specific range of thickness, thereby growing the zinc oxide nano-wires into uniform and high areal density vertical nano-wires. CONSTITUTION: A manufacturing method of zinc oxide nano-structure in which MgO layer is inserted comprises the following steps: providing precursors containing magnesium (Mg) and oxygen to the top of a substrate(100); growing an amorphous magnesium oxide film layer(200) on top of the substrate; discontinuing the supply of the precursor which contains magnesium, and providing precursors including zinc and oxygen; and growing the zinc oxide(ZnO) nano-wires(300) on top of the magnesium oxide layer. The thickness of the MgO layer is 5-20 nano meters. In the first and second steps, the precursor containing magnesium is provided at a flow rate of 1-5 micro mol/min for 20-30 minutes. The first to the fourth steps are processed at 500-600 deg. Celsius and the pressure of less than 1 torr.
Abstract translation: 目的：提供一种其中插入有MgO层的氧化锌纳米结构体及其制造方法，以在特定厚度范围内在基板上生长非晶MgO层，由此使氧化锌纳米线生长均匀且高密度 垂直纳米线。 构成：其中插入MgO层的氧化锌纳米结构的制造方法包括以下步骤：向基材（100）的顶部提供含有镁（Mg）和氧的前体; 在衬底的顶部生长无定形氧化镁膜层（200）; 停止供应含有镁的前体，并提供包含锌和氧的前体; 并在氧化镁层的顶部生长氧化锌（ZnO）纳米线（300）。 MgO层的厚度为5-20纳米。 在第一和第二步骤中，含有镁的前体以1-5微摩尔/分钟的流速提供20-30分钟。 第一至第四步骤在500-600度处理。 摄氏度和压力小于1乇。
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公开(公告)号：KR101073348B1
公开(公告)日：2011-10-14
申请号：KR1020090048890
申请日：2009-06-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , C23C16/52
Abstract: 단결정구조를갖는반도체박막의제조방법이제공된다. 상기반도체박막의제조방법은제1 온도로진행되는화학기상증착법을이용하여기판상에반도체나노와이어를형성하는것을구비한다. 상기제1 온도보다낮은제2 온도로진행되는상기화학기상증착법을이용하여상기나노와이어상에반도체층을형성한다. 이를이용하는광전소자의제조방법이또한제공된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101021748B1
公开(公告)日：2011-03-15
申请号：KR1020080106533
申请日：2008-10-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 금속 산화물 나노 구조체를 갖는 전자 소자가 제공된다. 상기 전자 소자는 기판 상에 금속을 함유하는 비단결정층들을 포함한다. 상기 비단결정층들 사이의 상기 기판 상에 단결정의 씨드층들과 상기 씨드층들 상에 선택적으로 형성되는 로드들(rods)을 갖는 금속 산화물 나노 구조체들이 배치된다. 상기 전자 소자의 제조 방법 및 이를 구비하는 전자 소자가 또한 제공된다.
전계 방출 소자, 금속 산화물, 선택적 단결정 형성-
37.发明公开
公开(公告)号：KR1020110011167A
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：KR1020090068689
申请日：2009-07-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C23C16/407 , B82B3/0038 , B82Y40/00 , C01G9/02 , C01P2004/64
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a zinc oxide-based 2 dimensional nanostructure is provided to form a 2 dimensional nanostructure which is vertically grown on a substrate with high inconsistency of a lattice constant through a phase separation process. CONSTITUTION: A method for fabricating a zinc oxide-based 2 dimensional nanostructure comprises the steps: supplying a zinc-containing precursor, metal-containing precursor and gas-containing oxygen to a substrate(100) with an oxide film to form an amorphous metal oxide layer(104); forming amorphous layers(106) employing the metal as a main component on an amorphous metal-oxide layer, and single-crystal seed layers(108) employing zinc as a main component between the amorphous layers; and selectively forming a 2 dimensional nanostructure(112) on the single crystal seed layers.
Abstract translation: 目的：提供一种制造基于氧化锌的二维纳米结构的方法以形成二维纳米结构，其通过相分离方法在晶格常数不一致的基板上垂直生长。 构成：一种制造基于氧化锌的二维纳米结构体的方法，包括以下步骤：向含有氧化物膜的基底（100）供给含锌前体，含金属的前体和含气体的氧，形成无定形金属氧化物 层（104）; 在非晶金属氧化物层上形成采用金属作为主要成分的非晶层（106），以及在非晶层之间使用锌作为主要成分的单晶种子层（108） 并在单晶种子层上选择性地形成二维纳米结构（112）。
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公开(公告)号：KR101862072B1
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：KR1020160085989
申请日：2016-07-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0392 , H01L21/288 , H01L21/02 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/288 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은기판위에비진공상태의전기증착을이용하여반투명막층이형성되는 S1 단계; 및반투명막층위에비진공상태의전기증착을이용하여활성층이형성되는 S2 단계를포함하며, 반투명막층에서특정방향의우선배향성이정해지고, 활성층은반투명막층에서정해진특정방향으로성장하는것을특징으로하는가시광영역의흡수성특성을갖는산화물반도체제조방법에관한것이다. 저온전기증착공정으로성장된 p형산화물반도체의단점인높은비저항문제를, 금속계면활성제를통해전기화학적성장거동을제어하여해결하는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020180005835A
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：KR1020160085989
申请日：2016-07-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0392 , H01L21/288 , H01L21/02 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/288 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L21/02205 , H01L21/02549 , H01L21/2885 , H01L31/022441 , H01L31/1884 , H01L2924/01051 , H01L2924/10672
Abstract: 본발명은기판위에비진공상태의전기증착을이용하여반투명막층이형성되는 S1 단계; 및반투명막층위에비진공상태의전기증착을이용하여활성층이형성되는 S2 단계를포함하며, 반투명막층에서특정방향의우선배향성이정해지고, 활성층은반투명막층에서정해진특정방향으로성장하는것을특징으로하는가시광영역의흡수성특성을갖는산화물반도체제조방법에관한것이다. 저온전기증착공정으로성장된 p형산화물반도체의단점인높은비저항문제를, 금속계면활성제를통해전기화학적성장거동을제어하여해결하는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造在可见光区域中具有吸收特性的氧化物半导体的方法，所述方法包括：S1步骤，用于通过使用电沉积在非真空状态的基板上形成半透明膜层; 以及S2步骤，用于通过使用电沉积在非真空状态下在半透明膜层上形成有源层，其中半透明膜层的优选取向在特定方向上确定，并且有源层在确定的特定方向上生长 在半透明膜层中。 通过用金属表面活性剂控制电化学生长行为，本发明显示了解决高电阻率问题的效果，即，在低温电沉积工艺中生长的p型氧化物半导体的缺点。
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