홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법
    31.
    发明公开
    홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법 无效
    使用HOLOGRAM LITHOGRAPHY制备氧化锌纳米结构的方法

    公开(公告)号:KR1020130100929A

    公开(公告)日:2013-09-12

    申请号:KR1020130076542

    申请日:2013-07-01

    Abstract: PURPOSE: A production method of a zinc oxide nanostructure using hologram lithography is provided to simply produce the arranged zinc oxide nanostructure without using an expensive device. CONSTITUTION: A production method of a zinc oxide nanostructure using hologram lithography comprises the following steps: forming a photoresist layer on a substrate; firstly exposing the photoresist layer into a predetermined form using hologram lithography; secondly exposing the firstly exposed photoresist layer into a predetermined form using hologram lithography after rotating the substrate into a predetermined angle; forming a nanopattern by developing the photoresist layer; growing the zinc oxide nanostructure on the substrate using a hydrothermal synthesis method; and removing the photoresist layer.

    Abstract translation: 目的:提供使用全息图光刻的氧化锌纳米结构的制造方法,以简单地生产排列的氧化锌纳米结构而不使用昂贵的器件。 构成:使用全息图光刻的氧化锌纳米结构的制造方法包括以下步骤:在基板上形成光致抗蚀剂层; 首先使用全息光刻法将光致抗蚀剂层曝光成预定形式; 其次,在将衬底旋转到预定角度之后,使用全息图光刻将第一曝光的光致抗蚀剂层暴露于预定形式; 通过显影光致抗蚀剂层形成纳米图案; 使用水热合成法在衬底上生长氧化锌纳米结构; 并除去光致抗蚀剂层。

    유기금속함유 무촉매 상온경화형 코팅조성물, 그의 제조방법 및 그에 의한 코팅제품
    33.
    发明授权
    유기금속함유 무촉매 상온경화형 코팅조성물, 그의 제조방법 및 그에 의한 코팅제품 有权
    有机金属非催化剂室温可固化涂料组合物,其制备方法和涂料产品

    公开(公告)号:KR101047963B1

    公开(公告)日:2011-07-12

    申请号:KR1020090000476

    申请日:2009-01-05

    Inventor: 김진혁

    Abstract: 본 발명은 코팅조성물에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 유기금속을 포함하고 상온에서 겔화반응이 유도되지 않아 안정되게 보관할 수 있고 상온에서도 도막을 형성할 수 있는 유기금속함유코팅조성물, 그의 제조방법 및 그에 의한 코팅제품에 관한 것이다.
    유기금속, 코팅, 칼라골재, 실리콘 알콕시드, 자연건조

    Abstract translation: 对于该涂料组合物本发明中,更具体地,可以存储将被包括有机金属化合物和稳定性不凝胶化在室温下,涂层组合物诱导反应,含有能够形成涂膜的有机金属,即使在制造和所得的室温方法 <

    태양전지용 광흡수층 및 그 제조방법
    34.
    发明授权
    태양전지용 광흡수층 및 그 제조방법 有权
    太阳能电池用光吸收层及其制造方法

    公开(公告)号:KR100994830B1

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:KR1020090015444

    申请日:2009-02-24

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본 발명은 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 CIS 또는 CIGS화합물로 이루어진 박막에 SiO
    2 또는 SiN
    x 화합물을 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)를 통하여 상기 박막에 증착함으로써, 셀렌(Se)조성을 일정하게 조절하여 높은 수율을 갖는 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
    태양전지, 광흡수층, CIS, CIGS, 셀레나이제이션(Selenization), Se(Selenium)

    주기적인 패턴을 갖는 산화아연 나노막대 어레이의제조방법
    35.
    发明授权
    주기적인 패턴을 갖는 산화아연 나노막대 어레이의제조방법 失效
    制备周期性氧化锌纳米棒阵列的方法

    公开(公告)号:KR100803053B1

    公开(公告)日:2008-02-18

    申请号:KR1020060098481

    申请日:2006-10-10

    Abstract: A method for fabricating a zinc oxide nanorod array having a periodic pattern is provided to fabricate an inexpensive zinc oxide nanorod array at a low temperature by using a hydrothermal synthesis method and an anodic aluminum nano pattern. An ultrasonic cleaning process can be performed on a substrate(110) wherein acetone, methanol, isopropyl alcohol and deionized water are sequentially used. A silicon oxide layer having a nano pattern is formed on a substrate by using an aluminum anodization process. The substrate is disposed in a solution for hydrothermal synthesis in which a zinc source is melted. A zinc oxide nanorod array(150) is formed on the substrate by performing a hydrothermal synthesis process on the solution for hydrothermal synthesis. The process for forming the silicon oxide layer having the nano pattern includes the following steps. A silicon oxide layer having the nano pattern is formed. An aluminum layer is deposited on the silicon oxide layer. An aluminum anodization process is performed on the aluminum layer to form an aluminum oxide layer made of a porous nano pattern. The silicon oxide layer is etched by using the porous nano pattern formed in the aluminum oxide layer. The aluminum oxide layer is removed.

    Abstract translation: 提供一种制造具有周期性图案的氧化锌纳米棒阵列的方法,以通过使用水热合成法和阳极铝纳米图案在低温下制造便宜的氧化锌纳米棒阵列。 可以在依次使用丙酮,甲醇,异丙醇和去离子水的基材(110)上进行超声波清洗工艺。 通过使用铝阳极氧化处理,在基板上形成具有纳米图案的氧化硅层。 将基板置于水热合成溶液中,其中锌源熔化。 通过对水热合成溶液进行水热合成工艺,在基板上形成氧化锌纳米棒阵列(150)。 形成具有纳米图案的氧化硅层的工艺包括以下步骤。 形成具有纳米图案的氧化硅层。 铝层沉积在氧化硅层上。 在铝层上进行铝阳极氧化处理以形成由多孔纳米图案制成的氧化铝层。 通过使用在氧化铝层中形成的多孔纳米图案来蚀刻氧化硅层。 去除氧化铝层。

    텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법 및 텅스텐-텔루라이트 유리박막을 갖는 광대역 평판형 증폭기
    36.
    发明授权
    텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법 및 텅스텐-텔루라이트 유리박막을 갖는 광대역 평판형 증폭기 失效
    具有钨 - 碲化物玻璃薄膜的钨 - 碲化物玻璃薄膜和宽带平面放大器的制造方法

    公开(公告)号:KR100694794B1

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:KR1020040046188

    申请日:2004-06-21

    Abstract: 본 발명은 광대역 평판형 증폭기에 관한 것으로 특히, 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법 및 텅스텐-텔루라이트 유리박막을 갖는 광대역 평판형 증폭기에 관한 것이다.
    본 발명은 텔루르 옥사이드 (Tellurium (VI) oxide)와 텅스텐 옥사이드 (Tungsten (VI) oxide)를 고상소결법을 이용하여 텅스텐 텔루라이트(TeO
    2 -WO
    3 )의 타겟을 제조하는 단계; 모재를 세척하는 단계; 증착 챔버내에서 RF스퍼터링을 이용하여 상기 타겟 물질을 상기 모재에 증착시켜 텅스텐-텔루라이트박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    가스센서 및 이의 제조방법
    39.
    发明授权
    가스센서 및 이의 제조방법 有权
    气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR101760212B1

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:KR1020160073818

    申请日:2016-06-14

    CPC classification number: G01N27/4141 G01N1/2273 H01L21/203

    Abstract: 본발명은가스센서및 이의제조방법에관한것으로, 종래의사성분계박막과폴리머기판의가스센서에비해, 삼성분계 p형층으로높은화학적안전성을가지는화합물반도체층을채용하여, 상온에서장소에무관하게사용할수 있으며, p형박막형화합물반도체층의치밀한특성으로 n형화합물반도체층과의이종접합을통해검지력을향상시킬수 있어종래의가스센서를대체하는기술로적용될수 있다.

    Abstract translation: 气体传感器及其制造方法技术领域本发明涉及气体传感器及其制造方法,特别是涉及使用化学稳定性高的化合物半导体层的三元p型层的气体传感器, 号,以及半导体薄膜的确切性质通过异质结与该n型化合物I可以提高检测能力可以应用于一个技术代替以往的气体传感器层的p型化合物半导体层。

    화학 수조 증착법을 이용한 CZTS 기반 박막 제조방법
    40.
    发明授权
    화학 수조 증착법을 이용한 CZTS 기반 박막 제조방법 有权
    使用化学浴沉积制造基于CZTS的吸收膜的CZTS方法

    公开(公告)号:KR101649396B1

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:KR1020130112094

    申请日:2013-09-17

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 화학수조증착법을이용한 CZTS 박막제조방법이개시된다. 이방법은수조에전구체용액을준비하는단계와, 전구체용액에기판을넣고소정시간동안유지하여기판에전구체박막을형성하는단계와, 전구체박막이형성된기판을취출하여열처리하는단계를포함한다. 여기서, 전구체용액의다양한예를가진다. 금속염, 착화제, 및황염또는셀렌염을포함하거나, 금속염과착화제만을포함할수 있다. 또한전구체용액을복수의전구체용액으로준비하여복수의전구체박막을형성한후 이를열처리하여 CZTS 박막을형성할수 있다.

Patent Agency Ranking