Abstract:
PURPOSE: A production method of a zinc oxide nanostructure using hologram lithography is provided to simply produce the arranged zinc oxide nanostructure without using an expensive device. CONSTITUTION: A production method of a zinc oxide nanostructure using hologram lithography comprises the following steps: forming a photoresist layer on a substrate; firstly exposing the photoresist layer into a predetermined form using hologram lithography; secondly exposing the firstly exposed photoresist layer into a predetermined form using hologram lithography after rotating the substrate into a predetermined angle; forming a nanopattern by developing the photoresist layer; growing the zinc oxide nanostructure on the substrate using a hydrothermal synthesis method; and removing the photoresist layer.
Abstract:
본 발명은 광흡수용 나노입자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 나노입자(이하 "CZTSS 나노입자")에 관한 것이다. 본 발명은 독성물질을 사용하지 않으면서도 저가 범용원소를 이용하여 합성된 CZTSS 나노입자 전구체 및 그 제조방법과 상기 전구체를 이용한 CZTSS 나노입자 및 그 제조방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 코팅조성물에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 유기금속을 포함하고 상온에서 겔화반응이 유도되지 않아 안정되게 보관할 수 있고 상온에서도 도막을 형성할 수 있는 유기금속함유코팅조성물, 그의 제조방법 및 그에 의한 코팅제품에 관한 것이다. 유기금속, 코팅, 칼라골재, 실리콘 알콕시드, 자연건조
Abstract:
본 발명은 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 CIS 또는 CIGS화합물로 이루어진 박막에 SiO 2 또는 SiN x 화합물을 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)를 통하여 상기 박막에 증착함으로써, 셀렌(Se)조성을 일정하게 조절하여 높은 수율을 갖는 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 태양전지, 광흡수층, CIS, CIGS, 셀레나이제이션(Selenization), Se(Selenium)
Abstract:
A method for fabricating a zinc oxide nanorod array having a periodic pattern is provided to fabricate an inexpensive zinc oxide nanorod array at a low temperature by using a hydrothermal synthesis method and an anodic aluminum nano pattern. An ultrasonic cleaning process can be performed on a substrate(110) wherein acetone, methanol, isopropyl alcohol and deionized water are sequentially used. A silicon oxide layer having a nano pattern is formed on a substrate by using an aluminum anodization process. The substrate is disposed in a solution for hydrothermal synthesis in which a zinc source is melted. A zinc oxide nanorod array(150) is formed on the substrate by performing a hydrothermal synthesis process on the solution for hydrothermal synthesis. The process for forming the silicon oxide layer having the nano pattern includes the following steps. A silicon oxide layer having the nano pattern is formed. An aluminum layer is deposited on the silicon oxide layer. An aluminum anodization process is performed on the aluminum layer to form an aluminum oxide layer made of a porous nano pattern. The silicon oxide layer is etched by using the porous nano pattern formed in the aluminum oxide layer. The aluminum oxide layer is removed.
Abstract:
본 발명은 광대역 평판형 증폭기에 관한 것으로 특히, 텅스텐-텔루라이트 유리박막의 제조 방법 및 텅스텐-텔루라이트 유리박막을 갖는 광대역 평판형 증폭기에 관한 것이다. 본 발명은 텔루르 옥사이드 (Tellurium (VI) oxide)와 텅스텐 옥사이드 (Tungsten (VI) oxide)를 고상소결법을 이용하여 텅스텐 텔루라이트(TeO 2 -WO 3 )의 타겟을 제조하는 단계; 모재를 세척하는 단계; 증착 챔버내에서 RF스퍼터링을 이용하여 상기 타겟 물질을 상기 모재에 증착시켜 텅스텐-텔루라이트박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
공융용매를이용한구리칼코게나이드화합물의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는단일포트콜로이드합성방법을적용하고공융용매를이용하여구리칼코게나이드화합물을제조하는제조방법이제공된다. 본발명은공정의편리성을제공하고무독성의저렴한시약을사용하여친환경적이며이로인해공정단가를낮을수 있다. 또한, 낮은전이온도를가지며공기와물에안정적인공융용매를사용하여구리칼코게나이드화합물을제조함에따라제조되는구리칼코게나이드나노입자는광전기, 물분해, 태양전지의조립및 나노잉크형성에사용될수 있다.