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公开(公告)号：KR1020100080321A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020090080770
申请日：2009-08-28
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425 , C11D7/08 , C11D7/34 , H01L21/02052 , H01L21/02063 , H01L21/0209 , H01L21/0274 , H01L21/31133 , H01L21/76814
Abstract: PURPOSE: A cleansing solution composition for a semiconductor device and a method for cleansing the semiconductor device using the same are provided to reduce damage to a thin film or pattern thereof and to improve the processing yield and reliability of the semiconductor device. CONSTITUTION: A cleansing solution composition for semiconductor device contains fluorine compounds, hydroxide alkyl ammonium compounds, anti-corrosive agent, and water. The fluorine compound is hydrofluoric acid, ammonium fluoride, middle ammonium fluoride, tetramethylammonium fluoride, fluoboric acid, fluorobenzene, or a mixture thereof.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体器件的清洁溶液组合物和使用其的半导体器件的清洁方法，以减少对薄膜或其图案的损伤，并提高半导体器件的加工成品率和可靠性。 构成：用于半导体装置的清洁溶液组合物含有氟化合物，氢氧化物烷基铵化合物，抗腐蚀剂和水。 氟化合物是氢氟酸，氟化铵，中氟化铵，四甲基氟化铵，氟硼酸，氟苯或其混合物。
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公开(公告)号：KR100916353B1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：KR1020070070683
申请日：2007-07-13
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 반도체 기판 상에서 포토레지스트 패턴을 사용해 각종 패터닝 대상막을 식각한 후에, 상기 패터닝 대상막 상의 포토레지스트 잔유물 및 식각 잔유물 등을 제거하기 위해 사용되는 반도체 소자용 세정액 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정 방법이 제공된다.
하나의 반도체 소자용 세정액 조성물은, 0.001 내지 10 중량%의 불소계 화합물과, 0.1 내지 20 중량%의 수산화 알킬암모늄계 화합물과, 0.1 내지 10 중량%의 무기산과, 나머지 함량의 물을 포함하고, pH 4.0 내지 6.0을 나타낸다. 또한, 다른 반도체 소자용 세정액 조성물은, 0.001 내지 10 중량%의 불소계 화합물과, 0.1 내지 20 중량%의 수산화 알킬암모늄계 화합물과, 0.1 내지 20 중량%의 무기산의 암모늄계 화합물과, 나머지 함량의 물을 포함하고, pH 4.0 내지 6.0을 나타낸다.
반도체 소자, 세정액 조성물, 세정 방법, pH, 무기산, 무기산의 암모늄계 화합물-
公开(公告)号：KR100906502B1
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：KR1020080028666
申请日：2008-03-27
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인 식각 선택성이 향상된 것을 특징으로 하는 식각용액이 제공된다. 본 발명에 따른 습식 식각용액은 불화수소 0.1 내지 10 중량부, 불화암모늄 0.1 내지 10 중량부, 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 30 내지 50 중량부, 알콜류 30 내지 50 중량부, 및 물을 포함한다.
실리콘 산화막, 금속실리사이드막, 선택성, 유기산 화합물-
公开(公告)号：KR1020090042216A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：KR1020090021731
申请日：2009-03-13
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K13/08
Abstract: Wet etching solution is provided to suppresses the etching of a metal silicide layer and to improve the etching selectivity of a silicon oxide film, thereby effectively removing a boron phosphor silicate glass oxide film. Etching solution comprises hydrogen fluoride 0.1~10 weight%, ammonium fluoride 0.1~10 weight%, organic acid compound 30~50 weight% having at least one carboxyl group, alcohols 30~50 weight% and the balance of water.
Abstract translation: 提供湿蚀刻溶液以抑制金属硅化物层的蚀刻并提高氧化硅膜的蚀刻选择性，从而有效地除去硼磷硅玻璃氧化物膜。 蚀刻液含有0.1〜10重量％的氟化氢，0.1〜10重量％的氟化铵，30〜50重量％的有机酸化合物，至少有一个羧基，30〜50重量％的醇和余量的水。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100810681B1
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020060035841
申请日：2006-04-20
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01M10/05
Abstract: 고전압 적용시 사이클 특성 및 저온 특성이 향상되는 리튬 2차전지용 비수성 전해액이 제공된다. 리튬 2차전지용 비수성 전해액은 유기용매, 리튬염, 및 하기의 화학식 1으로 표시되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 할로겐화 벤젠을 포함한다.
(상기 식에서 X는 F, Cl, Br, I 이고 n= 1~3의 정수임)
리튬 2차전지, 전해액, 할로겐화 벤젠-
公开(公告)号：KR1020080017576A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：KR1020060078818
申请日：2006-08-21
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C03C15/00 , C09K13/08 , H01L21/31111
Abstract: A wet etchant having the selectivity to a silicon oxide layer, and a method for etching a silicon oxide layer selectively by using the wet etchant are provided to increase the selectivity of a silicon oxide layer to a metal silicide by inhibiting the etching of a metal silicide layer and by increasing the etching of a silicon oxide layer. A wet etchant having the selectivity to a silicon oxide layer comprises 0.1-3 wt% of hydrofluoric acid; 10-40 wt% of at least one inorganic acid selected from nitric acid, sulfuric acid and hydrochloric acid; and the balance of water. Also, the wet etchant comprises 0.1-10 wt% of hydrofluoric acid; 60-98 wt% of an organic acid compound having at least one carboxyl group; and the balance of water. Also the wet etchant comprises 0.1-10 parts by weight of hydrofluoric acid; 0.1-10 parts by weight of ammonium hydrofluorate; 30-50 parts by weight of an organic acid compound having at least one carboxyl group; and 30-50 parts by weight of an alcohol; and the balance of water.
Abstract translation: 提供具有对氧化硅层的选择性的湿蚀刻剂以及通过使用湿蚀刻剂选择性地蚀刻氧化硅层的方法，以通过抑制金属硅化物的蚀刻来增加氧化硅层对金属硅化物的选择性 并且通过增加氧化硅层的蚀刻。 具有对氧化硅层的选择性的湿蚀刻剂包含0.1-3重量％的氢氟酸; 10-40重量％的至少一种选自硝酸，硫酸和盐酸的无机酸; 和水的平衡。 此外，湿蚀刻剂包含0.1-10重量％的氢氟酸; 60-98重量％的具有至少一个羧基的有机酸化合物; 和水的平衡。 湿蚀刻剂也包括0.1-10重量份的氢氟酸; 0.1-10重量份氢氟酸铵; 30-50重量份具有至少一个羧基的有机酸化合物; 和30-50重量份的醇; 和水的平衡。
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公开(公告)号：KR100750246B1
公开(公告)日：2007-08-17
申请号：KR1020060025068
申请日：2006-03-17
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01M10/05
Abstract: Provided are a nonaqueous electrolyte solution for a lithium secondary battery to improve charge/discharge characteristics and cycle characteristics, and a lithium secondary battery containing the nonaqueous electrolyte solution. A nonaqueous electrolyte solution comprises 0.01-50 parts by weight of at least one lactone-based compound selected from alpha-methyl GBL represented by a formula 1, gamma-caprolactone represented by a formula 2 and gamma-valerolactone represented by a formula 3; a lithium salt; and 100 parts by weight of an organic solvent containing an aromatic hydrocarbon compound represented by a formula 4, wherein R is a halogen atom or a C1-C10 alkyl group; and n is an integer of 1-5.
Abstract translation: 提供一种用于锂二次电池的非水电解质溶液以改善充电/放电特性和循环特性，以及包含该非水电解质溶液的锂二次电池。 非水电解质溶液包含0.01-50重量份的至少一种选自由式1表示的α-甲基GBL，由式2表示的γ-己内酯和由式3表示的γ-戊内酯的内酯类化合物; 锂盐; 和100重量份的含有由式4表示的芳族烃化合物的有机溶剂，其中R为卤原子或C1-C10烷基; 并且n是1-5的整数。
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公开(公告)号：KR100600598B1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1020030068745
申请日：2003-10-02
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 연마능 및 연마 재현성이 우수하면서도 연마결함을 야기시키지 않는 금속 CMP(Metal Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 산화제로서 무기산 및 과산화 화합물, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 연마제로서 금속산화물 및 탈이온수를 포함한 금속 CMP용 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조성물은 화학적 연마능이 뛰어날 뿐만 아니라, CMP 공정에 적용시 발생하는 옥사이드 이로젼, 부식, 피트, 디싱, 스크래치 등의 연마결함을 현저히 감소시킬 수 있고, 슬러리의 저장안정성 및 연마재현성이 현저히 향상된다.
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公开(公告)号：KR100565426B1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：KR1020030098871
申请日：2003-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 과산화 화합물, 알코올, 카르복시산, 리놀레산, 무기 산화제, 금속 착화합물, pH 조절제 및 탈이온수를 포함하는 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것이며, 본 발명에 의하면 텅스텐 배선의 CMP 공정시 스크래치 및 잔류 입자 등의 결함을 방지할 수 있으며, 금속산화물의 연마입자 침강 및 뭉침을 방지하여 저장안정성이 개선되는 효과를 제공할 수 있다.
반도체, CMP, 과산화물, 알코올, 리놀레산, 스크래치, 저장안정성
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