公开(公告)号：KR1019990015255A

公开(公告)日：1999-03-05

申请号：KR1019970037237

申请日：1997-08-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인호 ,  이상기 ,  임청우

IPC: C07D263/08 ,  C07D413/04

Abstract: 본 발명은 일반식(I)로 표시되는 비옥사졸린 화합물 및 이들 유도체의 제조방법에 관한 것으로 본 발명 화합물은 Rh, Ir, Cu 또는 Pd 등의 금속을 이용한 비대칭 촉매반응의 리간드로 유용하게 사용할 수 있다. 본 발명의 제조방법은 일반식(II)의 디아민 화합물과 일반식(III)의 카르보닐할라이드 화합물을 염기와 용매존재하에 반응시켜 일반식(IV)의 디아마이드 화합물을 제조하는 제1공정과 일반식(IV)의 디아마이드 화합물을 용매와 촉매존재하에 반응시켜 일반식(V)의 디올 화합물을 제조하는 제 2 공정 및 일반식(V)의 디올 화합물을 아민과 용매하에서 메탄술포닐클로라이드, 파라-톨루엔 술포닐클로라이드 등과 반응시켜 일반식(I)의 비옥사졸린 화합물을 제조하는 3 공정으로 이루어진 제조방법이다.

일반식(I), 일반식(III), 일반식(IV) 또는 일반식(V)에 있어서, Ar은 각각 페닐, 염소, 브롬 또는 불소가 치환된 페닐, 피리딜, 페로센, 디페닐포스핀이 치환된 페닐 또는 나프틸기의 방향족 고리를 나타내며, 일반식(III)에 있어서, X는 염소, 브롬 또는 하이드록시기를 나타낸다.

公开(公告)号：KR1019940009161A

公开(公告)日：1994-05-20

申请号：KR1019920020093

申请日：1992-10-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인호 ,  송충의 ,  이상기

IPC: C07F7/10

Abstract: 본 발명은 강력한 항균활성을 나타내는 구조식(I)의 신규 벤즈이미다졸계 유도체인 메틸 1-(3-트리에톡시실릴프로필카르바모일)벤즈이미다졸-2-일카르바메이트에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100020346B1

公开(公告)日：1985-12-02

申请号：KR1019820005095

申请日：1982-11-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장호남 ,  김인호

IPC: B01D61/00 ,  B01D61/12

公开(公告)号：KR101958930B1

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：KR1020170156540

申请日：2017-11-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이도권 ,  장윤희 ,  김인호 ,  윤희선 ,  정증현

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/05 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

公开(公告)号：KR101919487B1

公开(公告)日：2018-11-19

申请号：KR1020170117578

申请日：2017-09-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이도권 ,  김인호 ,  김원목 ,  박종극 ,  이택성 ,  정두석 ,  이현승 ,  정증현

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은반도체기판을텍스쳐링하는방법과, 이방법에의해제조된반도체기판, 그리고, 이러한반도체기판을포함하는태양전지를개시하고있다. 본발명의일실시예는, 반도체기판상에금속나노입자를형성하는금속나노입자형성단계와, 상기반도체기판을에칭하는제1 식각단계와, 상기금속나노입자를제거하는금속나노입자제거단계, 그리고, 상기제1 식각단계에서에칭된반도체기판을에칭하여나노구조체를형성하는제2 식각단계를포함하는반도체기판을텍스쳐링하는방법을제공한다.

公开(公告)号：KR101853727B1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：KR1020160025303

申请日：2016-03-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  고영진 ,  이경석 ,  김인호 ,  정두석 ,  조정민

IPC: C01B31/04 ,  G01N1/40 ,  G01N27/22 ,  H01B1/04

Abstract: 양파모양탄소(Onion-Like Carbon; OLC)의제조방법은, 나노다이아몬드파우더(nanodiamond powder)를 1000℃내지 1400℃의온도로어닐링(annealing)하는단계를포함한다. 상기어닐링하는단계에의해, 탄소원자간에 sp결합을이루는다이아몬드코어, 및상기코어의바깥쪽에배치되며탄소원자간에 sp결합을이루되인장변형에의해탄소원자간의결합이손상된결함(defect)을포함하는그래핀(graphene) 쉘이형성된다. 어닐링온도를제어함으로써 OLC의최외곽쉘에인장변형에의한결함을생성할수 있으며, 생성된결함은 OLC의전기화학적특성을향상시킬수 있다. 그결과, OLC를전극재료로사용할경우종래와같은별도의후처리공정없이도전기화학적특성이우수한전극을얻을수 있으며, 전극제조공정이간소화될수 있다.

公开(公告)号：KR101773951B1

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：KR1020160074557

申请日：2016-06-15

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  울산과학기술원

Inventor： 김인호 ,  김원목 ,  이택성 ,  이경석 ,  이욱성 ,  정두석 ,  이도권 ,  천시은 ,  최경진 ,  김주영

IPC: H01L31/0236 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02366 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67098 ,  H01L29/0665 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은텍스처링된반도체기판에있어서, 상기반도체기판이텍스쳐링된포물선형구조체와상기포물선형구조체의표면과상기반도체기판의표면을포함하는전체표면에는일정간격의나노홀구조를구비하되, 상기포물선형구조체의표면에는복수의나노홀구조가형성된것을특징으로하는텍스처링된반도체기판을제공한다.

Abstract translation: 但是，本发明设置有纹理化半导体衬底上的一个预定距离的纳米孔结构，所述整个表面包括表面和与该抛物面结构纹理化半导体衬底的抛物线状结构的所述半导体衬底的表面上，该抛物线 类型结构和多个纳米孔结构形成在基板的表面上。

公开(公告)号：KR101731497B1

公开(公告)日：2017-04-28

申请号：KR1020150082816

申请日：2015-06-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인호 ,  김원목 ,  김준곤 ,  송종한 ,  정두석 ,  이택성 ,  이경석 ,  이욱성 ,  최준희

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은반도체기판상에저융점금속을증착하는단계, 상기저융점금속이증착된기판을건식에칭하는단계및 상기건식에칭된기판으로부터상기금속을제거하는단계를포함하는반도체기판의텍스쳐링방법, 이방법에따라제조된반도체기판및 이를포함하는태양전지를제공한다. 본발명에따르면경제적이고, 풀웨이퍼(full wafer) 스케일의대면적응용이가능한반도체기판의텍스쳐링방법을제공할수 있고, 이렇게제조된반도체기판의경우광흡수율이우수하며초박형태양전지에적용이가능하다.

公开(公告)号：KR1020160004131A

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020140082635

申请日：2014-07-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  고영진 ,  이경석 ,  이택성 ,  김인호 ,  정두석

IPC: G01N27/30 ,  G01N33/50 ,  B82B3/00

CPC classification number: G01N27/30 ,  B82B3/00 ,  G01N33/50

Abstract: 센싱전극의제조방법은, 나노다이아몬드파우더를열처리함으로써, 탄소원자간에 sp3 결합을이루는제1 부분및 상기제1 부분의바깥쪽에배치되며탄소원자간에 sp2 결합을이루는제2 부분을포함하는버키(bucky) 다이아몬드를형성하는단계; 및상기버키다이아몬드를재료로센싱전극을형성하는단계를포함할수 있다. 상기센싱전극은산 또는암모니아에의한처리등의파괴공법을거치치않는단순한열처리공정을통해제조되어결함(defect)이적고, 저분자(small molecule)의고 선택도(high selectivity) 및고 감도(sensitivity) 동시센싱(simultaneous sensing)이가능한이점이있다.

Abstract translation: 感应电极的制造方法可以包括：在第一部分的外侧形成包含在碳原子之间形成sp3键的第一部分和形成碳原子之间的sp2键的第二部分的负极金刚石的步骤，通过退火 纳米金刚石粉; 以及使用该金刚石作为材料形成感测电极的步骤。 传感电极通过简单的热处理工艺制造而不经过诸如酸或氨处理的拆除方法，因此具有小分子选择性高，灵敏度高，同时感测少的缺点。

公开(公告)号：KR101573724B1

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：KR1020130143068

申请日：2013-11-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이경석 ,  김원목 ,  이택성 ,  이욱성 ,  정두석 ,  김인호

IPC: G02B5/00

CPC classification number: G02B5/008 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/554 ,  G02B5/0278 ,  G03F7/2014 ,  G03F7/70375

Abstract: 나노안테나배열제조방법은기판위에레지스트층을형성하는단계; 상기레지스트층위에유전체마이크로구조체배열을포함하는포커싱층을형성하는단계; 선형디퓨저를이용하여빛을일 방향으로산란시키는단계; 상기선형디퓨저에의해산란된빛을상기포커싱층및 상기레지스트층에조사시킴으로써상기레지스트층에비등방성의패턴을형성하는단계; 상기기판및 상기패턴이형성된레지스트층에플라즈모닉공진특성을갖는물질을증착하는단계; 및상기레지스트층및 상기레지스트층상에증착된물질을제거함으로써상기기판상에나노안테나배열을형성하는단계를포함할수 있다. 상기선형디퓨저에의한빛의산란각도및 상기유전체마이크로구조체의크기는형성하고자하는패턴의종횡비에기초하여결정된다.