팔라듐 기반 센서 제조 방법 및 장치

    公开(公告)号:KR102223066B1

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:KR1020190092686

    申请日:2019-07-30

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른팔라듐기반센서제조방법은, 전기방사를이용하여제1 기판위에다공성을가지는집합체를형성하는단계와, 상기집합체에소정두께로팔라듐을증착하는단계와, 상기팔라듐이증착된상기집합체를제2 기판상에배치하는단계와, 유기용매제를이용하여상기제2 기판상에배치된집합체를녹임에기초하여, 상기집합체형상의공간을포함하는팔라듐튜브를형성하는단계와, 상기제2 기판및 상기팔라듐튜브를이용하여팔라듐기반센서를제조하는단계를포함할수 있다.

    수소 센서 및 그 제조 방법

    公开(公告)号:KR102208383B1

    公开(公告)日:2021-01-28

    申请号:KR1020190081645

    申请日:2019-07-05

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른수소센서는, 도핑농도에따라복수의전극영역과하나의채널영역으로구획되는상부의반도체층이구비되는 SOI(Silicon-On-Insulator) 기판; 상기반도체층의상기복수의전극영역상에형성되는복수의전극; 및상기반도체층의상기채널영역을식각함으로써형성되는실리콘나노그물및 수소기체와반응하도록상기실리콘나노그물상에증착되는감지물질로구성되는감지부; 를포함한다.

    이종접합 구조의 수직형 트랜지스터 및 그 제조 방법

    公开(公告)号:KR102198765B1

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:KR1020190011453

    申请日:2019-01-29

    Inventor: 박인규 조민규

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른이종접합구조의수직형트랜지스터제조방법은, 제1 전자이동도를가지는제1 물질로구성되는제1 레이어, 상기제1 전자이동도보다큰 제2 전자이동도를가지는제2 물질로구성되는제2 레이어및 상기제1 물질로구성되는제3 레이어를포함하는다층구조를생성하는단계와, 상기다층구조에대해수직으로소스(source), 드레인(drain), 게이트(gate)를형성하여수직형트랜지스터를제조하는단계를포함할수 있다.

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