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公开(公告)号：KR100349625B1
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：KR1019990032369
申请日：1999-08-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/334
Abstract: 본발명은저온에서의에피택셜코발트다이실리사이드형성과고집적회로반도체소자에이용되는모스트랜지스터에서의콘택형성방법에관한것으로서보다상세하게는미세구조의고집적반도체소자의소스/드레인및 폴리실리콘게이트전극의접촉저항과비저항을감소시키기위한실리사이드공정에서단결정 CoSi를형성시키는방법에관한것이다. 본발명은단결정 CoSi를형성시키기위하여 400∼600℃로실리콘기판온도를유지한다음코발트를스퍼터링법이나금속유기화학증착법을이용하여임계증착속도이하로공급하여 400∼600℃의저온에서에피택셜 CoSi이나 (100) 우선방위를가진 CoSi를반응기내에서인시튜(In-situ)로형성시킨다. 본발명은 400∼600℃의온도에서코발트의공급을임계증착속도이하로낮추어코발트와실리콘의금속간화합물인 CoSi나 CoSi와같은중간화합물을형성시키지않고바로 CoSi를직접형성시킴으로서중간층의증착및 보호막증착공정없이실리사이드형성공정을단순화시킬수 있으며, 미세구조의콘택공정에서도누설전류가적은콘택공정을수행할수 있어기가디램급이상의초미세반도체집적회로제조에이용할수 있다.
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公开(公告)号：KR100345037B1
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：KR1020000050117
申请日：2000-08-28
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 금속내부에 고용된 규소를 이용한 다결정 규소박막의 제조방법 및 동 방법에 의해 제조된 규소박막에 관한 것이다.
발명의 금속내부에 고용된 규소를 이용한 다결정 규소박막의 제조방법은첨부한 도 1과 같이 유리기판 또는 실리콘 산화물 위에 금속내부에 규소(Si)가 고용된 금속을 통상의 스퍼터링 증착방법으로 증착한 후 열처리하는 단계와; 상기 열처리 후 냉각하는 단계와; 냉각 후 금속으로부터 석출된 단결정 규소만 유리기판 또는 실리콘 산화물 위에 남기고 선택적으로 금속을 제거하는 단계와; 유리기판 또는 실리콘 산화물 위의 단결정 규소는 통상의 플라즈마 증착방법 또는 저압화학기상법을 이용하여 비정질 규소로 증착하는 단계와; 상기 단계 후 비정질 규소를 열처리하는 단계로 구성된다.-
公开(公告)号：KR100337022B1
公开(公告)日：2002-05-17
申请号：KR1020000021570
申请日：2000-04-24
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C16/34
Abstract: 본 발명은 차세대 평판 디스플레이(Flat Panel Display)로 각광을 받고 있는 Field Emission Display(FED)용 전자 소스인 전계 방출 팁 (Field Emission Tip)의 전자 방출 특성 향상을 위한 실리콘 팁의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 실리콘 팁에 금속 실리사이드와 금속 질화물 이중층을 코팅하여 금속 실리사이드(metal silicide)의 특성인 낮은 저항, 화학적 안정성, 그리고 실리콘 공정과의 적용이 가능한 점과 금속 질화물(metal nitride)의 특성인 높은 경도와 녹는점, 낮은 일함수를 가지는 장점을 취하고자 이들을 이중층으로 실리콘 팁에 코팅한 실리콘 팁의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 금속 실리사이드 또는 금속 질화물 단독으로 코팅한 실리콘 팁의 문제점을 해결하고자 실리콘 팁에 금속 실리사이드와 금속 질화물을 이중층으로 코팅하여 금속 실리사이드 또는 금속 질화물을 단일층으로 코팅한 실리콘 팁의 경우 보다 방출 전류의 신뢰도와 안정성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020020017043A
公开(公告)日：2002-03-07
申请号：KR1020000050117
申请日：2000-08-28
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a polysilicon film using a silicon included in a metal and a polysilicon film thereof are provided to form a polysilicon film by separating a single crystalline silicon from a metal including silicon. CONSTITUTION: A metal including a silicon is deposited on a glass substrate or a silicon oxide by using a normal deposition method. A thermal process is performed. A cooling process is performed after the thermal process is performed. A single crystalline silicon is extracted from the metal including the silicon. The remaining metal except for the single crystalline silicon is removed therefrom. The single crystalline silicon as an amorphous silicon is deposited on the glass substrate or the silicon oxide. The thermal process for the amorphous silicon is performed. The metal including the silicon is mainly one of Al, Au, and Cu.
Abstract translation: 目的：提供一种使用金属中包含的硅及其多晶硅膜制造多晶硅膜的方法，以通过从包含硅的金属分离单晶硅来形成多晶硅膜。 构成：通过使用常规沉积方法将包含硅的金属沉积在玻璃基板或氧化硅上。 进行热处理。 在进行热处理后进行冷却处理。 从包括硅的金属提取单晶硅。 除去单晶硅以外的剩余金属。 作为非晶硅的单晶硅沉积在玻璃衬底或氧化硅上。 进行非晶硅的热处理。 包括硅的金属主要是Al，Au和Cu中的一种。
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公开(公告)号：KR1020010096798A
公开(公告)日：2001-11-08
申请号：KR1020000019691
申请日：2000-04-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01J9/24
Abstract: 본 발명은 투명전극을 게이트로 사용하여 금속 실리사이드가 코팅된 실리콘 팁 어레이 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 살리사이드 공정을 이용하여 실리콘 팁을 금속 실리사이드로 코팅하였고, 산화막을 샤도우 마스크로 하여 삼극관 구조의 실리콘 팁 제조시 게이트 물질을 투명전극으로 대체하여 팁 코팅에 의해 수반되는 추가 공정을 최소화하였다. 팁 어레이 제조 후 전면에 금속을 증착한 후 열처리를 하면 노출된 실리콘 팁 영역만 금속과 반응하여 금속 실리사이드를 형성하고 게이트 절연막과 게이트에는 실리사이드 반응이 일어나지 않고 금속으로 잔존하게 된다. 이 잔존하는 금속을 에칭하게 되면 게이트 물질과는 선택적 에칭이 가능하여 게이트에 손상을 입히지 않고 게이트 절연막에 잔존하는 금속을 완전히 제거할 수 있어 기존 금속 실리사이드 코팅 후에 야기되는 게이트 전류의 증가를 방지 할 수 있게 된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100297498B1
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：KR1019960055647
申请日：1996-11-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/786
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a polycrystalline thin film using microwave is provided to reduce a manufacturing cost of a products by crystallizing an amorphous thin film in a solid state using a microwave to reduce a crystallize temperature and to short a crystallize time. CONSTITUTION: A substrate is cleaned and loaded into a deposition apparatus, and is preheated. An amorphous or a fine amorphous thin film is deposited on the substrate using an LPCVD or a PECVD. An electrical property or a crystal state of the thin film is changed in a solid state by implanting an impurity into the thin film or adsorbing a metal into the thin film. A polycrystalline thin film is formed by heat treating and crystallizing using a microwave at 400-600°C during 2-5 hours.
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公开(公告)号：KR100291202B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019980006293
申请日：1998-02-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C16/42
Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact of cobalt silicide by chemical vapor deposition is provided which simplifies existing complicated processes by heat treating a metal material to be treated inside a reaction chamber or carrying out rapid heat treatment process instead of all processes. CONSTITUTION: The method for forming a contact of cobalt silicide by chemical vapor deposition comprises the steps of forming CoSi which is a compound of metal and silicon by depositing cobalt(4) on the upper surface of source/drain and polysilicon on a silicon substrate at a temperature of 600 deg.C; and forming CoSi2(7) having low contact resistance and resistivity by heat treating the formed thin film to a temperature of 800 deg.C.
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公开(公告)号：KR1020000025656A
公开(公告)日：2000-05-06
申请号：KR1019980042816
申请日：1998-10-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: C01B33/06
Abstract: PURPOSE: An epitaxial cobalt disilicide contact formation method is provided to get low resistance and high repeatability without multi-steps of interlayer deposition processes by depositing and annealing cobalt-carbon alloyed layer. CONSTITUTION: A cobalt layer including carbon is deposited on a substrate(1), then an epitaxial CoSi2 layer(7) is formed on a source and a drain electrodes of an MOSFET(metal-oxide semiconductor field effect transistor) by quick heat treatment at a high-temperature, and an epitaxial CoSi2 layer(7) is formed on a polysilicon gate(3), wherein the quick heat treatment is performed at temperature of 700-800°C.
Abstract translation: 目的：通过沉积和退火钴 - 碳合金层，提供了一种外延二硅化钴接触形成方法以获得低电阻和高重复性，而不需要多步层间沉积工艺。 构成：在基板（1）上沉积包含碳的钴层，然后通过快速热处理在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的源极和漏极上形成外延CoSi 2层（7） 在多晶硅栅极（3）上形成高温和外延CoSi 2层（7），其中快速热处理在700-800℃的温度下进行。
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公开(公告)号：KR1020130114826A
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：KR1020120037165
申请日：2012-04-10
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A ZnS/CIGS thin film solar cell and a manufacturing method thereof are provided to easily commercialize the ZnS/CIGS thin film solar cell by depositing a ZnO transparent conductive film with a sputtering method. CONSTITUTION: A rear electrode is formed on a substrate. A CIGS light absorption layer (3) is formed on the rear electrode. A ZnS buffer layer (4) is formed on the CIGS light absorption layer. A transparent conductive film is formed on the ZnS buffer layer and includes a first ZnO layer (5) and a second ZnO layer (6).
Abstract translation: 目的：提供ZnS / CIGS薄膜太阳能电池及其制造方法，以通过溅射法沉积ZnO透明导电膜来容易地使ZnS / CIGS薄膜太阳能电池商业化。 构成：背面电极形成在基板上。 CIGS光吸收层（3）形成在后电极上。 在CIGS光吸收层上形成ZnS缓冲层（4）。 在ZnS缓冲层上形成透明导电膜，包括第一ZnO层（5）和第二ZnO层（6）。
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公开(公告)号：KR1020130047212A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：KR1020110112097
申请日：2011-10-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C14/24
Abstract: PURPOSE: A multi-evaporation source and an apparatus for forming a thin film using the same are provided to use an element which has a low evaporation temperature as an evaporative material in order to lower the temperature of the source, thereby reducing power consumption. CONSTITUTION: A multi-evaporation source includes a crucible(11), a charging pipe, a heating unit, at least two outlets(19), and a separating unit(18). The crucible has at least two filling spaces(12,13) inside in order to house evaporative materials. The charging pipe feeds the evaporative materials and feeding gas inside each filling space. The heating unit evaporates the evaporative materials which respectively fill the filling spaces. The outlets respectively and downwardly spray the evaporative materials which are evaporated inside the crucible. The separating unit separates the evaporative materials and vapors from the evaporative materials so that the evaporative materials and the vapors cannot be mutually mixed before passing through each outlet.
Abstract translation: 目的：提供一种多蒸发源和使用该多蒸发源的薄膜的装置，以使用具有低蒸发温度的元件作为蒸发材料，以便降低源的温度，从而降低功耗。 构成：多蒸发源包括坩埚（11），充气管，加热单元，至少两个出口（19）和分离单元（18）。 坩埚内部具有至少两个填充空间（12,13），以容纳蒸发材料。 充气管在每个填充空间内供给蒸发物质和进料气体。 加热单元蒸发分别填充填充空间的蒸发材料。 这些出口分别向下喷射在坩埚内蒸发的蒸发物质。 分离单元将蒸发材料和蒸气与蒸发材料分开，使得蒸发物质和蒸气在通过每个出口之前不能相互混合。
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