公开(公告)号：KR101048660B1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：KR1020080121159

申请日：2008-12-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  한진우 ,  김동현 ,  김정우 ,  김진수 ,  송명호 ,  오재섭 ,  박윤창

IPC: H01L21/8242 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108

Abstract: 본 발명은 커패시터리스 디램(capacitorless DRAM) 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 기판상에 연속하여 형성된 소스, 채널 및 드레인, 상기 채널상에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트, 및 상기 채널 내부에 형성된 게르마늄층 또는 게르마늄점을 포함한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 실리콘 기판에 형성된 게르마늄의 연속적인 층 혹은 불연속적인 점이 정공 배리어를(hole barrier) 변화 시켜서 정공(hole)을 효과적으로 모을 수 있기 때문에 정공저장능력이 향상된다.
커패시터리스 디램, 게르마늄 이온 주입, 열처리, 충돌 이온화.