公开(公告)号：KR1020100062502A

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：KR1020080121159

申请日：2008-12-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  한진우 ,  김동현 ,  김정우 ,  김진수 ,  송명호 ,  오재섭 ,  박윤창

IPC: H01L21/8242 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L27/10826 ,  H01L29/1033

Abstract: PURPOSE: A capacitor-less DRAM and a method for manufacturing the same are provided to improve the hole-storage capacity due to a hole-barrier by forming a continuous germanium layers or a non-continuous dots through an ion implantation method and a heat treatment process. CONSTITUTION: A source(105), a channel, and a drain(106) are successively formed on a substrate(100). A gate insulating layer(103) is formed on the channel. A gate is formed on the gate insulating layer. A germanium layer or a germanium dot is formed in the channel. The gate insulating layer is made of a silicon oxide, a nitride film, an aluminum oxide, a hafnium oxide, or a zinc oxide.

Abstract translation: 目的：提供一种无电容器DRAM及其制造方法，以通过离子注入法和热处理形成连续锗层或非连续点来改善由于空穴阻挡引起的空穴存储能力 处理。 构成：源（105），沟道和漏极（106）依次形成在衬底（100）上。 在沟道上形成栅极绝缘层（103）。 栅极形成在栅极绝缘层上。 在通道中形成锗层或锗点。 栅极绝缘层由氧化硅，氮化物膜，氧化铝，氧化铪或氧化锌制成。

公开(公告)号：KR101048660B1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：KR1020080121159

申请日：2008-12-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  한진우 ,  김동현 ,  김정우 ,  김진수 ,  송명호 ,  오재섭 ,  박윤창

IPC: H01L21/8242 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108

Abstract: 본 발명은 커패시터리스 디램(capacitorless DRAM) 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 기판상에 연속하여 형성된 소스, 채널 및 드레인, 상기 채널상에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트, 및 상기 채널 내부에 형성된 게르마늄층 또는 게르마늄점을 포함한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 실리콘 기판에 형성된 게르마늄의 연속적인 층 혹은 불연속적인 점이 정공 배리어를(hole barrier) 변화 시켜서 정공(hole)을 효과적으로 모을 수 있기 때문에 정공저장능력이 향상된다.
커패시터리스 디램, 게르마늄 이온 주입, 열처리, 충돌 이온화.