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公开(公告)号：KR1020130008699A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020110069203
申请日：2011-07-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H02N2/18
CPC classification number: H02N2/18 , H01L41/053 , H02J7/00 , H02N2/22
Abstract: PURPOSE: A plastic nanogenerator and a manufacturing method thereof are provided to generate current at high efficiency according to the bending of a plastic substrate by coupling a piezoelectric element and the flexible plastic substrate. CONSTITUTION: A plastic nanogenerator is arranged in both sides of a plastic substrate and comprises first and second piezoelectric elements. The first and second piezoelectric elements are made of a piezoelectric material layer and a metal layer, respectively. A nano self-generator is used in an automatic heart defibrillator and permanently supplies electricity. [Reference numerals] (AA) Automatic heart defibrillator; (BB) Rectifier; (CC) High-efficiency nano self-generator
Abstract translation: 目的：提供一种塑料纳米发生器及其制造方法，其通过将压电元件与柔性塑料基板连接而根据塑料基板的弯曲而高效率地产生电流。 构成：塑料纳米发生器布置在塑料基板的两侧，并包括第一和第二压电元件。 第一和第二压电元件分别由压电材料层和金属层制成。 纳米自发电机用于自动心脏除颤器，并永久供电。 （附图标记）（AA）自动心脏除颤器; （BB）整流器; （CC）高效纳米自发电机
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公开(公告)号：KR1020120137316A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020120105120
申请日：2012-09-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01M10/0585 , H01M10/0562 , H01M10/04
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a plastic battery device is provided to effectively transcribe and manufacture an electric device without the deformation of a device on a plastic substrate. CONSTITUTION: A manufacturing method of a plastic battery device comprises: a step of forming a battery layer on a sacrifice substrate; a step of removing the sacrifice substrate; and a step of transcribe the battery layer on a plastic board by using a transfer layer. The manufacturing method additionally comprises a step of binding a substrate-supporting layer on the battery layer before removing the sacrifice substrate. A plastic battery device comprises a plastic substrate(600), a joint layer on the plastic substrate layer(500), a battery layer(300) laminated on the joint layer, and a silicon oxide layer(200) between the battery layer and the joint layer.
Abstract translation: 目的：提供塑料电池装置的制造方法，以有效地转录和制造电子装置，而不会在塑料基板上的装置变形。 构成：塑料电池装置的制造方法包括：在牺牲基板上形成电池层的工序; 去除牺牲基材的步骤; 以及通过使用转印层将电池层转印在塑料板上的步骤。 该制造方法还包括在去除牺牲衬底之前将电池层上的衬底支撑层结合的步骤。 塑料电池装置包括塑料基板（600），塑料基板层（500）上的接合层，层压在接合层上的电池层（300）和电池层与电极层之间的氧化硅层（200） 联合层。
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公开(公告)号：KR1020120094190A
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020110013514
申请日：2011-02-16
CPC classification number: H01L33/44 , H01L27/156 , H01L33/32 , H01L2933/0025
Abstract: PURPOSE: A flexible gallium nitride light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to effectively prevent mismatch of a substrate using a flexible substrate instead of a stiffness substrate. CONSTITUTION: A gallium nitride light emitting diode device layer is laminated on a silicon substrate(200). An ohmic contact is formed by laminating a metal layer(203) on the gallium nitride light emitting diode device layer. An element area of a gallium nitride light emitting diode including the metal layer is separated from a silicon sacrificial substrate. The element area of the gallium nitride light emitting diode is transferred on a flexible substrate. A transparency passivation layer is coated on the gallium nitride light emitting diode device layer.
Abstract translation: 目的：提供柔性的氮化镓发光二极管及其制造方法，以有效地防止使用柔性基板代替刚性基板的基板失配。 构成：在硅衬底（200）上层叠氮化镓发光二极管器件层。 通过在氮化镓发光二极管器件层上层叠金属层（203）而形成欧姆接触。 包括金属层的氮化镓发光二极管的元件区域与硅牺牲基板分离。 氮化镓发光二极管的元件面积被传送到柔性基板上。 透明钝化层涂覆在氮化镓发光二极管器件层上。
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公开(公告)号：KR101149677B1
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：KR1020100005035
申请日：2010-01-20
Applicant: 한국과학기술원 , 에스케이실트론 주식회사
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L27/156 , H01L31/03046 , H01L31/03926 , H01L33/0079 , H01L33/32 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자, 태양전지, LED가 제공된다.
본 발명에 따른 플렉서블 소자 제조방법은 (a) 희생기판상에 소자층을 적층시키는 단계; (b) 상기 소자층의 상부에 플렉서블 기판을 접합시키는 단계; 및 (c) 상기 희생기판을 제거하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 플렉서블 소자 제조방법은 고온의 반도체 공정을 실리콘 기판에 진행한 후, 플렉서블 기판에 접합시켜, 전사시키는 방식으로 플렉서블 태양전지의 제조를 가능하게 한다. 특히 하부의 실리콘 기판을 비등방식각하는 방식이 아니므로, 대면적의 소자를 우수한 정렬도로 플렉서블 기판에 전사하여, 구현, 제조할 수 있으므로, 경제성이 우수하다. 또한 얇은 두께로 대면적의 태양전지를 제조할 때, 태양전지 박막의 뒤틀림 등의 문제를 효과적으로 해결할 수 있으므로, 경제성, 공정 안정성 또한 우수하다.-
公开(公告)号：KR101148455B1
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：KR1020100121453
申请日：2010-12-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a plastic solar cell using a layered substrate and the plastic solar cell manufactured by the same are provided to increase the reliability of a process since a wet etching method in which process control is complicated is not used to eliminate a lower substrate. CONSTITUTION: A transparent conductive film(210) is laminated on a mica substrate(100). A first type doped layer(220) is laminated on the transparent conductive film. An intrinsic layer(230) is laminated on the first type doped layer. A second type doped layer(240) is laminated on the intrinsic layer. A top electrode layer(250) is laminated on a p-type doped layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用层叠基板的塑料太阳能电池的制造方法和由该基板制造的塑料太阳能电池的制造方法，以提高工艺的可靠性，因为不使用工艺控制复杂的湿式蚀刻方法来消除较低的 基质。 构成：在云母基板（100）上层叠透明导电膜（210）。 在透明导电膜上层压第一掺杂层（220）。 本征层（230）层压在第一类型掺杂层上。 第二类型掺杂层（240）层压在本征层上。 顶部电极层（250）层压在p型掺杂层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101127742B1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020100091217
申请日：2010-09-16
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C01B32/184 , B01J19/121 , C23C16/26
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing graphene using laser, the graphene manufactured by the same, and an apparatus for manufacturing the same are provided to manufacture graphene of desired patterns by selectively irradiating laser to a desired substrate region. CONSTITUTION: A method for manufacturing graphene includes the following: reacting gas containing carbon is in contact with a substrate(201); laser beam is irradiated to the substrate in contact with the reacting gas to decompose the reacting gas; graphene(204) is grown on the substrate based on the decomposition of the reacting gas. No metal catalyst layer is included in the substrate. The substrate includes a silicon oxide layer(202) as an upper layer. Laser beam is irradiated to one region of the substrate. The graphene is grown at the laser beam irradiated region of the substrate. The temperature of the graphene growing process is between 900 and 2000 degrees Celsius.
Abstract translation: 目的：使用激光制造石墨烯的方法，由其制造的石墨烯及其制造装置被提供以通过选择性地将激光照射到期望的基底区域来制造所需图案的石墨烯。 构成：用于制造石墨烯的方法包括以下：含碳的反应气体与基底（201）接触; 将激光束照射到与反应气体接触的基板上以分解反应气体; 基于反应气体的分解，在基板上生长石墨烯（204）。 基板中不包含金属催化剂层。 衬底包括作为上层的氧化硅层（202）。 激光束照射到基板的一个区域。 石墨烯在衬底的激光束照射区域生长。 石墨烯生长过程的温度在900和2000摄氏度之间。
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37.发明授权플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자, 플렉서블 압전소자 및 커패시터 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 압전소자 및 커패시터 소자 有权柔性装置的制造方法，由其制造的柔性装置，柔性压电装置的制造方法，柔性电容器和柔性压电装置，由其制造的柔性电容器
公开(公告)号：KR101075204B1
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020090128795
申请日：2009-12-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/04
Abstract: 본발명에따른플렉서블소자제조방법은실리콘기판상의실리콘산화물층에제 1 금속층을적층하는단계; 상기제 1 금속층상에소자를적층하는단계; 상기제 1 금속층을어닐링하여, 상기제 1 금속을제 1 금속산화물로산화시키는단계; 상기제 1 금속산화물을식각하여, 상기소자과실리콘산화물층을분리하는단계; 및상기분리된소자를별도의전사층을이용하여플렉서블기판에전사시키는단계를포함하며, 본발명에따른플렉서블소자제조방법은실리콘기판자체를식각하는종래기술과달리실리콘기판상에간단히적층되는별도의금속산화물층을식각하는방식으로상부의소자를기판으로부터분리한다. 이로써, 공정진행에따른실리콘기판의물리적손실을방지할수 있으며, 단결정실리콘기판을사용함에따른고비용을절감할수 있다.
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公开(公告)号：KR101048423B1
公开(公告)日：2011-07-11
申请号：KR1020090095404
申请日：2009-10-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/02
Abstract: 플렉서블 압전 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 플렉서블 압전 소자가 제공된다.
본 발명에 따른 플렉서블 압전 소자 제조방법은 희생기판 상에 압전소자층을 적층하는 단계; 상기 희생기판 상의 압전소자층을 고온처리 하는 단계; 상기 압전소자층을 패터닝하여, 압전소자를 형성하는 단계; 상기 희생기판을 식각하여, 상기 압전소자를 상기 희생 기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 압전소자에 전사층을 접촉시킨 후, 이를 플렉서블 기판에 전사하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 플렉서블 압전 소자 제조방법은 플렉서블 기판상에 압전 소자 뿐만 아니라, 압전 소자에 의하여 발생한 전류를 안정적으로 정류할 수 있는 커패시터를 모두 구현한, 플렉서블 압전 소자를 가능하게 한다. 또한, 복수의 단위 압전 소자와 커패시터를 동일 플렉서블 기판에 전기적으로 상호 연결시키므로, 대면적 압전소자 구현이 가능하며, 본 발명에 따른 플렉서블 압전소자는 플렉서블한 기판의 휘는 특성에 따라 전기를 발생시킬 수 있다 또한, 상기 발생한 전기를 동일 소자 영역에 구비된 커패시터로 정류시킬 수 있으므로, 그 효과가 우수한다.Abstract translation: 提供柔性压电元件制造方法和由此制造的柔性压电元件。
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公开(公告)号：KR1019960029240A
公开(公告)日：1996-08-17
申请号：KR1019950001320
申请日：1995-01-25
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B01D61/28
Abstract: 본 발명은 붕산 분리용 음이온 교환막 추출기 및 그를 이용하여 방사능 액체폐기물 농축액으로부터 붕산을 분리하는 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 가압경수로(pressurized water reactor)에서 발생하는 방사성 액체폐기물(radioactive liquid waste)을 증발기로 농축한 농축액 내에 존재하는 붕산을 분리함으로써, 농축도를 증가시켜 농축폐액의 발생량을 감소시킬 수 있도록 붕산을 분리하기 위한 음이온 교환막 추출기 및 방사능 액체폐기물의 농축액으로부터 붕산을 분리하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 음이온 교환막 추출기는 유입구, 유출구 및 유량 분배구멍이 형성된 상단셀; 유입구, 유출구, 유량 분배구멍 및 윗면에 지지턱이 형성된 농축액셀, 추출액셀 및 하단셀; 상기한 각각의 셀 사이의 면에 삽입되어 농축액 및 추출액의 누수를 막기 위한 누수방지수단; 상기한 각각의 셀의 유입구 및 유출구에 연결되며 각각의 셀 사이에서 농축액 및 추출액을 운반하기 위한 이송관; 상기한 각각의 셀에 형성된 지지턱에 의해 지지되며 음이온교환막을 지지하는 지지스크린; 및, 상기 지지스크린에 의해 지지되며 붕산을 추출하기 위한 음이온 교환막을 포함한다.
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