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公开(公告)号：KR101885283B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020170052147
申请日：2017-04-24
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L31/12 , H01L31/0304 , H01L33/02
Abstract: 개시되는양면성장이가능한 GaN 기판은, 제1 성장면; 및상기제1 성장면의반대면인제2 성장면;을가지며, 상기제1,2 성장면은표면원자의구성이동일한것으로구비되며, 양면성장이가능한 GaN 기판을이용하여제조된광소자는, 제1,2 성장면을가지는 GaN 기판; 상기제1 성장면에성장되는제1 화합물반도체; 및상기제2 성장면에성장되는제2 화합물반도체;를포함하고, 상기제1,2 화합물반도체는동시에또는순차로성장되어구비된다.
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公开(公告)号：KR1020170123061A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020160052236
申请日：2016-04-28
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은다중파장대역의광소자및 그의제조방법에관한것으로서, 기판의상면에형성된 n형반도체층을각 변의길이가상이한다각형으로식각함에따라식각된각 변의성장속도차로인해활성층의장벽층의두께차로다중파장의발광스펙트럼을형성할수 있으며, 다중파장의발광스펙트럼형성이가능한광소자의제조공정이용이하고제조단가를절감할수 있는효과를얻는다.
Abstract translation: 具有多波长带的光学装置及其制造方法技术领域本发明涉及一种具有多个波长带的光学装置及其制造方法，更具体地， 可以形成具有厚度差的多个波长的发射光谱，以使用能够形成多个波长的发射光谱的光学器件制造工艺，并且降低制造成本。
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公开(公告)号：KR1020170123060A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020160052235
申请日：2016-04-28
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01S5/2206 , H01S5/02284 , H01S5/0422 , H01S5/2228
Abstract: 본발명은리지형태의 III-V족질화물계레이저다이오드및 제조방법에관한것으로서, 기판상면에형성된 n-반도체층을기준으로측면성장기법을통해무극성또는반극성면 성장방향의리지를가지는레이저다이오드를제조함에따라리지부분에서의에너지밴드의틸팅이방지할수 있고측면성장속도의조절로인해매끄러운표면을형성할수 있어발광다이오드의광효율특성을향상시킬수 있게된다.
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公开(公告)号：KR1020160081378A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140195135
申请日：2014-12-31
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/14
Abstract: 질화물반도체발광소자가개시된다. 본발명의 p형질화물반도체층은, n형질화물반도체층에서활성층이배치되지않은영역과, 활성층의상부에배치되어, 활성층의인-페이즈의평형면과수직면에접합하여동시에홀을활성층에주입한다.
Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体发光器件。 本发明的p型氮化物半导体层配置在n型氮化物半导体层中没有配置有源层的区域和有源层的上部。 p型氮化物半导体层与有源层的同相的垂直面和水平面接触。 同时，孔被注入有源层。 因此，由于空穴的迁移率和电子的迁移率之间的差异可以降低效率下降。 此外，可以提高孔的注入效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150058603A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020130139954
申请日：2013-11-18
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L2933/0083
Abstract: 본발명은발광다이오드제조방법및 이를통해제조된발광다이오드에관한것으로서, 사파이어기판상에제2형반도체층, 활성층, 제1형반도체층을순차적으로형성시키는단계, 상기제1형반도체층상에제1형전극을형성하고, 상기제1형전극상에지지기판을형성하는단계, 상기사파이어기판을제거하고, 상기노출된제2형반도체층상에제1 요철구조를형성하는단계및 상기제1 요철구조상에제2 요철구조를형성하고, 상기제2 요철구조상에제2형전극을형성하는단계를포함하는제조방법을제공함으로써, 반도체층의상부면에규칙적인요철부와불규칙한요철부를통해전위(dislocation) 감소로인한내부양자효율의증가및 광추출효율이개선된다는효과가얻어진다. 또한, 간단한공정으로표면에요철부를생성하여양산성이우수한다이오드제조방법및 상기제조방법을채택하여간단한공정으로양산성이우수한발광다이오드를제공한다는효과가얻어진다.
Abstract translation: 本发明涉及通过该方法制造的发光二极管和发光二极管的制造方法。 该方法包括在蓝宝石衬底上依次形成第二类型半导体层，激活层和第一类型半导体层的步骤; 在所述第一型半导体层上形成第一型电极，在所述第一型电极上形成支撑基板的工序; 去除蓝宝石衬底并在暴露的第二类型半导体层上形成第一不均匀结构的步骤; 以及在所述第一凹凸结构上形成第二凹凸结构的步骤，以及在所述第二凹凸结构上形成第二类型电极。 因此，通过规则的不均匀部分和半导体层的上表面上的不规则的凹凸部分降低位错，提高了光提取的效率，并提高了内量子效率。 此外，提供了一种以简单的工艺在表面上产生不均匀部分的生产率优异的制造方法，以及通过选择制造方法具有优异的生产率的发光二极管。
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公开(公告)号：KR101471893B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020130098616
申请日：2013-08-20
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 제1 질화물계 반도체층, 제2 질화물계 반도체층 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 제2 질화물계 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 구조물을 형성하는 단계 및 상기 구조물 상에 금속 입자를 함유하는 그래핀 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 그래핀 전극층을 형성하는 단계는 상기 구조물 상에 그래핀 박막을 형성하는 단계, 상기 그래핀 박막의 표면에 상기 금속을 함유하는 도금층을 형성하는 단계를 구비하는 발광 다이오드 제조 방법을 개시한다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种发光二极管，其包括用于形成包括第一氮化物半导体层，第二氮化物半导体层和有源层的结构的工艺，所述第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层和有源层被布置在第一氮化物半导体层和第二氮化物 半导体层; 在所述结构上形成包含金属颗粒的石墨烯电极的工艺; 在该结构上形成石墨烯薄膜的工艺; 以及在石墨烯薄膜的表面上形成包含金属的镀层的工艺。
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公开(公告)号：KR101439652B1
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020120135078
申请日：2012-11-27
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/04
Abstract: 장파장대의 광을 형성할 수 있으며, 전자의 오버플로우를 방지할 수 있는 발광 다이오드가 개시된다. 전자의 오버플로우를 방지하기 위해 높은 에너지 장벽을 가진 초격자층은 발광 동작을 수행하는 활성층 내부에 형성되며, 전자를 공급하는 n형 접합층에 인접하여 형성된다. 또한, n형 접합층과 활성층 사이에는 높은 에너지 장벽을 가지는 n 접합 초격자층이 구비될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101436385B1
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020130031468
申请日：2013-03-25
Applicant: 한국광기술원
Abstract: The present invention relates to a III-nitride semiconductor light emitting device. The present invention includes a substrate; a buffer layer formed on the substrate; a first nitride semiconductor layer which is formed on the buffer layer and is doped to have a first conductivity; and a defect reduction layer which is formed between the buffer layer and the first nitride semiconductor layer, blocks the progress of crystal defects or reduces the propagation of the crystal defects which are propagated to the first nitride semiconductor by changing the propagation direction of the crystal defects. According to the present invention, the propagation of crystal defects is reduced, thereby greatly improving an optical property (for examples: IV) and an electrical property (for examples: Vr, Ir).
Abstract translation: 本发明涉及III族氮化物半导体发光器件。 本发明包括基板; 形成在所述基板上的缓冲层; 第一氮化物半导体层，其形成在所述缓冲层上并被掺杂以具有第一导电性; 以及形成在缓冲层和第一氮化物半导体层之间的缺陷减少层，通过改变晶体缺陷的传播方向来阻止晶体缺陷的进行或减少传播到第一氮化物半导体的晶体缺陷的传播 。 根据本发明，晶体缺陷的传播减少，从而大大提高光学性能（例如：IV）和电性能（例如：Vr，Ir）。
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公开(公告)号：KR1020140070764A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020120135078
申请日：2012-11-27
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0008 , H01L33/06 , H01L2924/12041
Abstract: Disclosed is a light emitting diode which forms light with a long wavelength range and prevents overflow of electrons. A supperlattice layer having a high energy barrier for preventing the overflow of the electrons is formed in an active layer which performs a light emitting operation, and is formed adjacent to an n-type junction layer which supplies the electrons. In addition, an n junction supperlattice layer having a high energy barrier can be formed between the n-type junction layer and the active layer.
Abstract translation: 公开了一种形成具有长波长范围的光并防止电子溢出的发光二极管。 在执行发光操作的有源层中形成具有用于防止电子溢出的高能量势垒的超晶格层，并且与提供电子的n型结层相邻地形成。 此外，可以在n型结层和有源层之间形成具有高能量势垒的n结超晶格层。
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