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公开(公告)号：KR20210028385A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190109381A
申请日：2019-09-04
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/38 , H01L33/44
Abstract: 라운드형 발광소자를 개시한다. 본 발명은 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층으로 구성된 에피 구조체를 포함하고, 상기 에피 구조체는 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2017164484A1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：PCT/KR2016/014262
申请日：2016-12-07
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 다른 기판으로 쉽게 전사할 수 있는 LED 구조체와, 반복적인 전사공정에도 LED 구조체와의 접착력이 유지될 수 있는 전사체와, LED 구조체의 선택적인 전사를 수행할 수 있는 LED 구조체와 이를 전사하는 LED 구조체와 전사체 및 이를 이용한 전사방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
Abstract translation:
本发明进行LED结构，和重复前，在转印步骤中，所述发光二极管结构的粘合力也能够维持部件，所述LED结构的选择性转移，可以容易地转移到不同的衬底 本发明提供了一种LED结构，用于传输该LED结构的LED结构，转印体以及使用该结构的转印方法。
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公开(公告)号：KR101480537B1
公开(公告)日：2015-01-09
申请号：KR1020130109966
申请日：2013-09-12
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/382
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 복수 개의 발광 다이오드 셀 및 상기 복수 개의 발광 다이오드 셀 중 서로 인접한 발광 다이오드 셀을 전기적으로 연결하는 도전성 브릿지를 포함하고, 상기 복수 개의 발광 다이오드 셀의 각각은, 제1 질화물계 반도체층, 상기 제1 질화물계 반도체층의 상부에 배치되는 제2 질화물계 반도체층 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 제2 질화물계 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 구비하는 구조물, 상기 구조물의 하부로부터 연장되어 상기 제2 질화물계 반도체층과 접촉하고, 상기 제1 질화물계 반도체층 및 활성층과 절연되는 제2 도전성 콘택부 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 접하고, 상기 제2 도전성 콘택부와 이격되도록 형성된 제1 도전성 콘택부를 포함하는 발광 다이오드 장치를 개시한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例包括多个发光二极管单元，以及将发光二极管单元之间相邻的发光二极管单元电连接的导电桥。 每个发光二极管单元包括包括第一氮化物半导体层，布置在第一氮化物半导体层的上部的第二氮化物半导体层和布置在第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层之间的有源层的结构; 第二导电接触部分，其从结构的下部延伸并接触第二氮化物半导体层，并与第一氮化物半导体层和有源层绝缘; 以及与第一氮化物半导体层接触并与第二导电接触部分分离的第一导电接触部。
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公开(公告)号：KR102247983B1
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：KR1020190109381
申请日：2019-09-04
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 라운드형발광소자를개시한다. 본발명은 n형반도체층, 활성층, p형반도체층으로구성된에피구조체를포함하고, 상기에피구조체는적어도하나의모서리가일정크기의반지름을갖도록둥글게제거된것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR20210028385A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR20190109381
申请日：2019-09-04
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 라운드형발광소자를개시한다. 본발명은 n형반도체층, 활성층, p형반도체층으로구성된에피구조체를포함하고, 상기에피구조체는적어도하나의모서리가일정크기의반지름을갖도록둥글게제거된것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102169271B1
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：KR1020190026862
申请日：2019-03-08
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/677 , H01L33/00
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8.发明授权건식 접착구조를 갖는 ＬＥＤ 구조체 어레이의 전사체와 이를 이용한 ＬＥＤ 구조체 어레이의 이송방법 및 ＬＥＤ 구조체 有权具有干式接合结构的LED结构阵列的透光体以及使用该结构阵列和LED结构转移LED结构阵列的方法
公开(公告)号：KR101754528B1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：KR1020160034445
申请日：2016-03-23
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L22/20 , H01L25/0753 , H01L33/00 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066 , H01L33/005 , H01L33/0095 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명은 LED 구조체어레이의제조과정에서개별 LED 구조체또는 LED 구조체어레이의반복적인전사공정에도 LED 구조체와의접착력이유지될수 있고, LED 구조체에서성장용으로사용된모기판의제거와다른기판으로의이동이용이한건식접착구조를갖는 LED 구조체어레이의전사체및 이를이용한 LED 구조체어레이의이송방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은건식접착구조를갖는 LED 구조체어레이의전사체로서, 몸체부에임의의패턴으로배열된섬모부가전사대상인 LED 구조체와접촉을통해반데르발스인력또는캐필러리인력을형성하여상기 LED 구조체와의접착력을유지하는것을특징으로한다. 따라서본 발명은건식접착전사체를통해 LED 구조체의제조과정에서개별 LED 구조체또는 LED 구조체어레이의반복적인전사공정에도 LED 구조체와의접착력을유지할수 있고, LED 구조체에서성장용으로사용된모기판의제거가용이하고, 상기 LED 구조체를다른기판으로용이하게이동시킬수 있는장점이있다.
Abstract translation: 个体的本发明运动的LED结构，或LED的结构，即使在重复阵列的转移过程可以保持所述LED结构之间的粘附性，移除期间LED结构阵列的制造过程中使用的LED结构的生长和在另一方的基板的母基板的 以及使用具有干式粘附结构的LED结构阵列的转印结构来转移LED结构阵列的方法。 本发明实现这一点是范德华力或毛细管力的形式加入布置在在所述LED结构和接触受试者的任何图案睫状转移到具有干粘合剂结构体作为LED结构阵列的转印部件 并保持与LED结构的粘合强度。 因此，本发明是一种干燥粘合剂之前个体的重复转印步骤LED结构，或在通过主体的LED结构的制造过程中LED结构阵列，并且可以保持所述LED结构之间的粘附力，去除用于LED结构生长的母基板的 而LED结构可以很容易地移动到另一个基板。
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公开(公告)号：KR101471893B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020130098616
申请日：2013-08-20
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 제1 질화물계 반도체층, 제2 질화물계 반도체층 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 제2 질화물계 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 구조물을 형성하는 단계 및 상기 구조물 상에 금속 입자를 함유하는 그래핀 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 그래핀 전극층을 형성하는 단계는 상기 구조물 상에 그래핀 박막을 형성하는 단계, 상기 그래핀 박막의 표면에 상기 금속을 함유하는 도금층을 형성하는 단계를 구비하는 발광 다이오드 제조 방법을 개시한다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种发光二极管，其包括用于形成包括第一氮化物半导体层，第二氮化物半导体层和有源层的结构的工艺，所述第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层和有源层被布置在第一氮化物半导体层和第二氮化物 半导体层; 在所述结构上形成包含金属颗粒的石墨烯电极的工艺; 在该结构上形成石墨烯薄膜的工艺; 以及在石墨烯薄膜的表面上形成包含金属的镀层的工艺。
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公开(公告)号：KR102102058B1
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：KR1020180135922
申请日：2018-11-07
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
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